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谢生

作品数：264 被引量：171H指数：7
供职机构：天津大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 185篇专利
  • 79篇期刊文章

领域

  • 95篇电子电信
  • 15篇自动化与计算...
  • 8篇理学
  • 3篇机械工程
  • 2篇经济管理
  • 1篇电气工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 57篇放大器
  • 56篇电路
  • 37篇通信
  • 29篇接收机
  • 27篇光电
  • 25篇探测器
  • 25篇互连
  • 22篇光接收
  • 22篇光接收机
  • 22篇标签
  • 22篇标准CMOS...
  • 21篇跨阻放大器
  • 20篇光互连
  • 18篇电压
  • 18篇光电探测
  • 18篇光电探测器
  • 18篇光通信
  • 17篇振荡器
  • 17篇可见光通信
  • 16篇CMOS工艺

机构

  • 253篇天津大学
  • 17篇厦门大学
  • 3篇南开大学
  • 3篇天津工业大学
  • 2篇河北半导体研...
  • 2篇辽宁工程技术...
  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇大连理工大学
  • 1篇复旦大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中兴通讯股份...
  • 1篇厦门理工学院
  • 1篇天津城市建设...
  • 1篇中国科学院软...
  • 1篇天津河西医院

作者

  • 264篇谢生
  • 244篇毛陆虹
  • 96篇张世林
  • 49篇郭维廉
  • 17篇肖谧
  • 16篇赵帆
  • 15篇丛佳
  • 12篇陈松岩
  • 10篇高谦
  • 9篇何国荣
  • 8篇康玉琢
  • 8篇陈朝
  • 8篇吴思聪
  • 8篇侯贺刚
  • 7篇陈燕
  • 7篇贺鹏鹏
  • 6篇于欣
  • 6篇郭增笑
  • 6篇郭婧
  • 5篇肖新东

传媒

  • 9篇光电子．激光
  • 9篇固体电子学研...
  • 8篇传感技术学报
  • 6篇功能材料
  • 6篇半导体光电
  • 4篇发光学报
  • 4篇传感器与微系...
  • 3篇半导体技术
  • 3篇科学通报
  • 3篇高技术通讯
  • 3篇微电子学
  • 3篇光通信技术
  • 3篇天津大学学报
  • 2篇电路与系统学...
  • 2篇南开大学学报...
  • 1篇量子电子学报
  • 1篇哈尔滨工业大...
  • 1篇华侨大学学报...
  • 1篇中国激光
  • 1篇光学学报

年份

  • 2篇2024
  • 9篇2023
  • 9篇2022
  • 14篇2021
  • 13篇2020
  • 20篇2019
  • 28篇2018
  • 31篇2017
  • 14篇2016
  • 25篇2015
  • 24篇2014
  • 21篇2013
  • 15篇2012
  • 7篇2011
  • 13篇2010
  • 6篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 6篇2004
共 264 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于标准SiGe BiCMOS工艺的光电集成接收机
本发明属于光纤通信系统及光互连领域，为实现单片集成所具有的体积小、成本低、可靠性好、功能丰富等优点。本发明提出一种与标准SiGe BiCMOS工艺兼容的光电探测器，以及集成该探测器的高速、高灵敏度单片集成光接收机。为了达...
谢生毛陆虹郭增笑付友康玉琢
文献传递
肖特基栅型共振隧穿三极管器件模型的研究
2010年
基于共振隧穿二极管(RTD)的电流-电压方程,结合对肖特基栅型共振隧穿三极管(SGRTT)物理机制的分析和计算,推导出了SGRTT器件的器件模型。根据实际器件的材料结构、版图参数等指标计算得到的SGRTT器件模型,能很好地与实际器件的特性相吻合。利用PSPICE软件,该模型可准确快捷地实现电路功能验证和仿真,此项研究的结果为共振隧穿器件的电路集成和研制奠定了基础。
宋瑞良毛陆虹郭维廉谢生齐海涛张世林梁惠来
关键词：肖特基接触
标准Ge-on-SOI工艺全差分光电探测器(本期优秀论文)
2013年
基于IME标准Ge-on-SOI工艺提出了一种全差分光电探测器结构,由定向耦合偏振分束器与锗垂直PIN光电探测器组成,可将一路由单模光纤输入的高速1550nm光信号转换为一对高速差分电信号。分析并设计了具体结构,进行了器件模拟,模拟得到定向耦合偏振分束器TE波与TM波的消光比分别为-16.7dB与-15.7dB,锗垂直PIN光电的响应度与带宽分别为0.42A/W与6.51GHz。
康玉琢毛陆虹张世林谢生
关键词：偏振分束器全差分光束传播法
一种RFID电子标签
本发明公开了一种RFID电子标签，属于射频识别技术领域，所述电子标签包括：太阳能电池天线、电感、电容、标签芯片；所述太阳能电池天线的第一端和所述电感的第一端、所述电容的第一端相连；所述电感的第二端和所述标签芯片的正极性端...
毛陆虹田金峰张世林谢生刘启源
一种基于三路鉴相和多数投票的1/4速率PAM4时钟与数据恢复电路
本发明公开了一种基于三路鉴相和多数投票的1/4速率四级脉冲幅度调制(PAM4)的时钟与数据恢复电路，涉及高速通信领域，包括：三个1/4速率鉴相器与一个多数投票器，鉴别三路温度计码与多相时钟之间的相位差并判决，降低离散过零...
谢生郏成奎毛陆虹
标准CMOS工艺下单片集成MSM光电探测器的2Gb/s光接收机被引量：2
2011年
在标准互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)工艺下设计了1种单片集成金属-半导体-金属(metal-semiconductor-metal,MSM)光电探测器的光接收机.带有源反馈和负米勒反馈电容的跨阻前置放大器用来提高光接收机的带宽.由于MSM光电探测器具有较高的响应度,所以光接收机的灵敏度得到改善.由于MSM光电探测器的寄生电容较小,在特许半导体0.35μm工艺下实现了带宽为1.7GHz的光接收机.测试结果表明,在-15dBm的光功率和误码率为10-9的条件下,光接收机的数据传输速率达到了2Gb/s.在3.3V电压下,芯片的功耗为94mW.
肖新东张世林毛陆虹谢生陈燕
关键词：光接收机跨阻放大器MSM光电探测器CMOS
一种垂直耦合结构的半导体环形激光器及其制备方法
本发明公开了一种垂直耦合结构的半导体环形激光器及其制备方法，有源环形谐振腔为：脊型波导或条形波导构成的任意闭合环路，有源环形谐振腔上制作有P型电极和N型电极，有源环形谐振腔内的激射光通过垂直耦合器耦合进条形直波导，条形直...
谢生郭婧毛陆虹张世林郭维廉
文献传递
一种具有新型材料结构的半球形透镜矩阵太赫兹波源
一种具有新型材料结构的半球形透镜矩阵太赫兹波源，在半球形透镜，半球形透镜的下表面设置有由多个RTO发射单元构成的RTO矩阵，RTO矩阵位于半球形透镜下表面的圆心处。RTO矩阵是由2×2～32×32个RTO发射单元构成的矩...
毛陆虹赵帆郭维廉谢生张世林贺鹏鹏
文献传递
一种基于垂直耦合微环激光器结构的全光与门和或门
本实用新型公开了一种基于垂直耦合微环激光器结构的全光与门和或门，包括：第一纳米线波导通过第一方向耦合器将输入光信号耦合进微环谐振腔，微环谐振腔经过第二方向耦合器将输出光信号耦合进第二纳米线波导；第一纳米线波导和第二纳米线...
谢生毛陆虹郭婧王浩
文献传递
InP／GaAs异质键合界面的XPS研究
2009年
用直接键合技术在480℃实现了InP/GaAs的异质键合,用X射线光电子谱研究了样品的界面化学态。研究分析表明,InP/GaAs样品在480℃的键合过程中发生相互扩散(除P外),键合界面处形成了由InP、GaAsI、nAs和GaP构成的中间过渡层,过渡层厚度约为6nm。
谢生陈松岩毛陆虹郭维廉
关键词：晶片键合X射线光电子谱磷化铟
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