谢聪伟
- 作品数：2 被引量：18H指数：2
- 供职机构：西北工业大学材料学院超高温结构复合材料国防科技重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金西北工业大学基础研究基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学更多>>
- Hf-C体系的高压结构预测及电子性质第一性原理模拟被引量：3
- 2015年
- 本论文中,采用晶体结构预测软件USPEX结合第一性原理方法全面地搜索了Hf-C体系在高压下的晶体结构,预测得到了两种新的化合物及HfC在高压下的相变路径.压力低于100 GPa时,除了常压下的结构HfC,Hf_3C_2,Hf_6C_5,并没有得到新的热力学稳定结构.在200 GPa时,预测得到了一种新化合物——Hf_2C,空间群为I4/m;且HfC的结构发生了相变,空间群由Fmˉ3m变为C2/m.在300 GPa时,预测得到了另一种新化合物——HfC_2,空间群为Immm.而在400 GPa时,HfC的结构再次发生相变,空间群为Pnma.通过能量计算,得到了Hf-C体系的组分-压力相图:在压力分别低于15.5 GPa和37.7 GPa时,Hf_3C_2和Hf_6C_5是稳定的;压力分别大于102.5 GPa和215.5 GPa时,Hf_2C和HfC_2变成稳定化合物;HfC的相变路径为Fmˉ3m→C2/m→Pnma,相变压力分别为185.5 GPa和322 GPa.经结构优化后,得到了这四种高压新结构的晶体学数据,如晶格常数、原子位置等,并分析了其结构特点.对于Hf-C体系中的高压热力学稳定结构,分别计算了其弹性性质和声子谱曲线,证明是力学稳定和晶格动力学稳定的.采用第一性原理软件VASP模拟高压结构的能带结构、态密度、电子局域函数和Bader电荷分析,发现HfC(C2/m,Pnma结构),Hf_2C和HfC_2中Hf-C键具有强共价性、弱金属性和离子性,且C-C间存在共价作用.
- 彭军辉曾庆丰谢聪伟朱开金谭俊华
- 关键词：电子性质
- 三维打印结合反应烧结制备多孔氮化硅陶瓷被引量：15
- 2013年
- 以硅粉(Si)为起始原料,糊精为粘结剂,采用三维打印(3DP)快速成型技术制备出多孔硅坯体,通过反应烧结得到高孔隙率的氮化硅(Si3N4)陶瓷。研究了反应烧结工艺对3DP多孔Si3N4陶瓷性能的影响。结果表明:3DP成型的硅坯体采用阶梯式升温机制,可得到抗弯强度为(5.1±0.3)MPa,孔隙率达(74.3±0.6)%的多孔Si3N4陶瓷。反应烧结后,样品的线收缩率小于2.0%。三维打印结合反应烧结法实现了复杂形状陶瓷构件的无模制造与净尺寸成型。
- 翁作海曾庆丰谢聪伟彭军辉张瑾
- 关键词：多孔氮化硅孔隙率
