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赵丽霞

作品数：94 被引量：46H指数：5
供职机构：河北普兴电子科技股份有限公司更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金陕西省自然科学基金石家庄市科学技术研究与发展计划更多>>
相关领域：电子电信文化科学化学工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 68篇专利
  • 19篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 3篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 27篇电子电信
  • 4篇文化科学
  • 3篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 25篇硅外延
  • 21篇外延片
  • 18篇衬底
  • 15篇外延层
  • 14篇碳化硅
  • 14篇互连
  • 14篇互连线
  • 12篇电阻率
  • 12篇刻蚀
  • 11篇电路
  • 11篇集成电路
  • 10篇刻蚀速率
  • 9篇过渡区
  • 8篇迁移
  • 8篇迁移率
  • 8篇硅外延片
  • 7篇多晶
  • 7篇二极管
  • 6篇应变SI
  • 6篇自对准

机构

  • 76篇河北普兴电子...
  • 24篇西安电子科技...
  • 1篇中国航天科技...
  • 1篇专用集成电路...

作者

  • 94篇赵丽霞
  • 35篇陈秉克
  • 32篇袁肇耿
  • 31篇吴会旺
  • 22篇薛宏伟
  • 21篇张鹤鸣
  • 17篇宣荣喜
  • 16篇胡辉勇
  • 16篇戴显英
  • 14篇舒斌
  • 14篇宋建军
  • 9篇刘英斌
  • 6篇徐小波
  • 6篇屈江涛
  • 6篇高国智
  • 6篇张志勤
  • 5篇王毅
  • 4篇王晓燕
  • 4篇秦珊珊
  • 4篇肖凌

传媒

  • 10篇微纳电子技术
  • 6篇半导体技术
  • 2篇西安电子科技...
  • 1篇物理学报
  • 1篇2010年全...
  • 1篇2013‘全...

年份

  • 3篇2023
  • 3篇2021
  • 11篇2020
  • 11篇2019
  • 2篇2018
  • 8篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 5篇2013
  • 10篇2012
  • 2篇2011
  • 12篇2010
  • 17篇2009
  • 5篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
共 94 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
用于碳化硅外延生长的石墨基座
本实用新型提供了一种用于碳化硅外延生长的石墨基座，包括基座本体以及嵌块，基座本体顶部设有开口朝上、用于容纳碳化硅衬底并供其进行外延生长的片槽，片槽的侧壁上开设有连通片槽与基座本体外部空间的凹槽；片槽的侧壁用于与碳化硅衬底...
杨龙赵丽霞吴会旺李伟峰陈秉克
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一种抑制导电型碳化硅晶体生长中碳包裹体缺陷生成的方法
本发明公开了一种抑制导电型碳化硅晶体生长中碳包裹体缺陷生成的方法。其是以碳粉、硅粉和氮气为原料合成含氮碳化硅粉料，然后以所述含氮碳化硅粉料为原料进行碳化硅单晶的生长，得碳化硅晶体。本发明使用含氮碳化硅粉体生长碳化硅晶体，...
吴会旺赵丽霞陈秉克刘英斌李胜华
文献传递
8英寸高压快恢复二极管用外延材料的生长
快恢复二极管是一类很重要的开关器件，目前已在各种电子设备特别是开关电源中广泛应用。随着开关器件的不断进步，工作频率的不断提高，对相关功率二极管性能的要求也越来越高，其中尤以与开关器件匹配使用的功率二极管要求最为特殊，该二...
赵丽霞袁肇耿王艳祥候志义
P++衬底上P-层硅外延片的制备方法
本发明公开了一种P++衬底上P-层硅外延片的制备方法，属于硅外延片技术领域。其包括下述步骤：（1）选用P+〈111〉/Boron单面抛光片；（2）HCl抛光；（3）吹扫；（4）双层外延生长：采用高纯度SiHCl<Sub>...
侯志义袁肇耿薛宏伟赵丽霞田中元许斌武李永辉
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高压VDMOS用外延片的外延参数设计被引量：8
2009年
通过理论计算,对VDMOS器件的外延层厚度和掺杂浓度进行了优化设计,探讨用于VDMOS的外延工艺,讨论了外延层厚度和过渡区的测试方法,提出了有效外延层厚度是影响击穿电压的最关键参数,应用此参数监控外延工艺,提高了片内及批次间的击穿电压一致性。特别通过对600 V的VDMOS外延参数及其器件结果分析得出,用此参数来调整中间和边缘厚度及不同外延设备之间的参数,使同种参数下有效外延层厚度保持相当,则可以大大减少离散性和设备间变差。
赵丽霞袁肇耿张鹤鸣
关键词：过渡区击穿电压硅外延
重掺砷衬底上外延层过渡区的控制方法
本发明公开了一种重掺砷衬底上外延层过渡区的控制方法。本发明采用化学气相沉积技术，在n型重掺砷硅衬底上分两次生长轻掺的薄硅外延层。即生长完第一层本征外延层后，降至870-930℃取出，此期间通入HCl腐蚀基座除去记忆效应，...
赵丽霞袁肇耿陈秉克薛宏伟
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三维量子阱CMOS集成器件及其制作方法
本发明公开了一种三维量子阱CMOS集成器件及其制作方法，它涉及微电子技术领域，主要解决现有三维集成电路速度低的问题。其方案是采用SSOI和SSGOI衬底构建新的三维集成器件的两个有源层。其中，下层有源层采用SSOI衬底，...
胡辉勇张鹤鸣宣荣喜戴显英宋建军舒斌赵丽霞
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低正向压降肖特基二极管用材料的外延方法
本发明公开了一种低正向压降肖特基二极管用材料的外延方法，本发明通过调节升温的程序及氢气流量的仔细配合，控制优化每一步的升温时间，使片子在热处理过程中来自衬底杂质外扩，再加上氢气赶气，最终使得硅外延片的过渡区达到1.2-1...
赵丽霞袁肇耿
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一种硅外延设备的进气口装置
本实用新型公开了一种硅外延设备的进气口装置，适用于晶体硅制备技术领域。本实用新型包括石墨基座和石英托盘，所述石墨基座位于石英托盘上，且与石英托盘同心设置，在所述石墨基座的中间圆孔内同心设置有石英环。本实用新型的有益效果如...
赵丽霞刘英斌
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硅抛光片或外延片层错及位错缺陷的无损检测方法
本发明公开了一种硅抛光片或外延片层错及位错缺陷的无损检测方法，包括下述步骤：（1）设定表面颗粒测试仪的颗粒直径测试区间；（2）将待测试的抛光片或外延片放在测试台上，开始依次测试，并记录下每个区间的颗粒数据；（3）将颗粒数...
赵丽霞
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