赵鸿滨
- 作品数：50 被引量：71H指数：5
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 一种低驱动电压凹面电极静电执行器及制作方法
- 本发明属于微机电技术领域，尤其涉及一种低驱动电压凹面电极静电执行器及制作方法，静电执行器包括：由弹性薄膜作为上电极和由塑性薄膜作为凹面电极，上电极的下表面和凹面电极的上表面之间形成封闭空间；电极或凹面电极的上、下表面均为...
- 魏峰赵鸿滨苑鹏杜军
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- 一种基于PDMS振膜的MEMS静电执行器及制作方法
- 本发明公开了一种基于聚二甲基硅氧烷(PDMS)振膜的静电执行器及制作方法。该具有静电执行器是以PDMS薄膜作为可以往复运动的高弹性薄膜作为振膜形成执行器部件，与以往全Si静电执行器相比，本发明所述基于PDMS静电执行器不...
- 魏峰赵鸿滨苑鹏杨志民杜军徐瑶华
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- 一种免电激活的阻变存储器及其制备方法
- 本发明公开了一种免电激活的阻变存储器及其制备方法，属于半导体非易失性存储器技术领域。本发明的免电激活的阻变存储器，包括底电极、顶电极以及位于所述底电极和顶电极之间的阻变功能层材料，阻变功能层材料由一层稀土氧化物薄膜和一层...
- 赵鸿滨屠海令杜军魏峰
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- 新型二元氧化物阻变薄膜与器件研究
- 随着半导体工业即将进入22nm时代,半导体存储行业面临着技术与基础材料等方面的机遇与挑战。基于传统硅材料的非易失性Flash存储器已不能满足未来技术节点的要求,耐久性差、写入速度低、写入操作中的电压高等问题日益突出。更重...
- 赵鸿滨
- 关键词：非易失性存储器二元氧化物氧空位
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- 一种免电激活互补阻变存储器及其制备方法
- 本发明公开了一种免电激活互补阻变存储器及其制备方法。该存储器由初始态为低阻态的阻变存储器与初始态为高阻态的阻变存储器串联而成，器件结构由底部至顶端依次为底电极、初始低阻态存储功能层、中间电极、初始高阻态存储功能层和顶电极...
- 赵鸿滨屠海令魏峰杨志民陈博昊
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- 一种稀土氧化物作为存储层的全透明阻变存储器及其制作方法
- 一种稀土氧化物作为存储层的全透明阻变存储器，包括底电极、顶电极以及位于底电极和顶电极之间的阻变存储层材料，所述阻变存储层材料由一层稀土氧化物薄膜构成，在可见光区具有接近100％的透过率。其制作方法包括以下步骤：(1)透明...
- 赵鸿滨屠海令魏峰杜军
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- 低压化学气相沉积生长双层石墨烯及其电输运特性研究被引量：2
- 2013年
- 采用低压化学气相沉积法(LPCVD)以铜箔为生长衬底来制备石墨烯。XRD表征得石墨烯生长前后铜箔衬底主要为(100)晶面,而且铜箔在高温下退火晶粒明显长大有利于高质量石墨烯的生长。拉曼光谱表明所制备的石墨烯为双层结构。通过转移、刻蚀等工艺制备了石墨烯场效应晶体管(G-FET)原型器件,其转移特性曲线(IDS-VGS)表明所制备的石墨烯表现为p型输运特性。在器件中石墨烯的XPS图谱说明了石墨烯吸附有有机物基团,导致p型特性的部分原因。同时本文研究了真空退火对G-FET器件性能的影响,结果表明:退火温度为200℃时,G-FET的空穴载流子迁移率最佳;而随着温度增加,开关比(ON-OFF ratio)在不断减小,载流子迁移率迅速在降低。
- 曾亭吴革明赵鸿滨杨萌萌魏峰杜军
- 关键词：RAMAN光谱退火输运特性
- 新型传感材料与器件研究进展被引量：25
- 2019年
- 新型传感技术融合了材料科学、微纳电子技术、生物技术等学科,是人工智能、精准医疗、新能源等战略前沿的先导和基础,也是智慧城市、智慧医疗等物联网应用的技术关键。智能化、微型化、多功能化、低功耗、低成本、高灵敏度、高可靠性是新型传感器件的发展趋势和主要研究方向。新型传感器件的传感性能很大程度上取决于传感材料的化学成分、表面修饰、传感层微观结构和完整性等因素。近年来,新型传感材料与器件的研究方兴未艾,为现代传感技术的深入开发与应用带来了新的机遇。本文综述了新型传感材料,包括硅纳米线、石墨烯、碳纳米管、二维材料、金属有机框架材料、水凝胶材料以及有机半导体材料等在力学传感、声学传感、生物传感、爆炸物监测等方面的应用。讨论了微机电系统(MEMS)和纳机电系统(NEMS)传感器技术,以及柔性可穿戴传感器相关材料、器件结构和制造方法的最新进展。
- 屠海令赵鸿滨魏峰张青竹樊彦艳杜军
- 关键词：传感器件石墨烯有机半导体生物传感微机电系统
- 基于纳米片堆叠结构的生化传感器
- 本实用新型公开了一种基于纳米片堆叠结构的生化传感器。该生化传感器包括：SOI衬底、通过选择性刻蚀由牺牲层/敏感材料层构成的多堆叠层而形成的具有敏感材料的多层悬空堆叠结构、形成在多层悬空堆叠结构上的阳电极和阴电极、附着在多...
- 张青竹屠海令魏峰赵鸿滨杜军
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- 石墨烯/n-Si异质结光伏及光响应性能研究被引量：3
- 2015年
- 采用化学气相沉积法(CVD)在铜箔上制备石墨烯,与n型硅(n-Si)形成石墨烯/n-Si异质结并研究了该结构的光伏和光响应性能。采用拉曼光谱和高分辨透射电镜(HRTEM)分析对石墨烯的结构进行了表征,并通过制备和测试石墨烯场效应晶体管考察了石墨烯的电学性能。采用光刻、等离子刻蚀等工艺将石墨烯与n-Si结合制备成异质结,在标准光源下对其光电性能进行测试。结果表明石墨烯为单层且呈现p型输运特性,载流子迁移率为3900 cm2·V-1·s-1。在无光照条件下,石墨烯/n-Si异质结表现出较好的整流特性。加上光照之后,表现出良好的光伏性能,开路电压和短路电流分别为0.28 V和0.87 m A,填充因子为0.37。同时该异质结在光响应测试中表现出非常快的响应速度和良好的稳定性,光源开启和关闭时的弛豫时间分别为96.9和84.9 ms,且在多个循环之后电流大小保持不变。对石墨烯/n-Si异质结良好的光响应及光伏特性的机制进行了简要分析,认为石墨烯高的电子迁移率及良好的光透过性起到了关键性作用。
- 吴革明曾亭赵鸿滨魏峰杜军屠海令
- 关键词：石墨烯化学气相沉积异质结光响应光伏特性
