邢东
- 作品数：138 被引量：18H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金浙江省杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学更多>>
- 一种砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管及其制备方法
- 本发明提供一种砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管及其制备方法。该制备方法包括：在金刚石基片上生长砷化镓多晶薄膜层，其中，砷化镓多晶薄膜层为半绝缘砷化镓；在砷化镓多晶薄膜层上制备肖特基二极管的器件层。本发明能够通过在金刚石基片...
- 杨大宝刘波邢东赵向阳冯志红
- 太赫兹二倍频平衡式倍频电路
- 本发明公开了一种太赫兹二倍频平衡式倍频电路，涉及用非正频率从一个独立信号源倍频或分频产生振荡的装置技术领域。所述倍频电路包括射频输入波导、石英基板和输出波导，在石英基板上倒装焊接两个分立的多管结GaAs基倍频二极管组件作...
- 王俊龙冯志红杨大宝梁士雄张立森赵向阳邢东
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- 用于太赫兹混频器的新型混合集成电路
- 本发明公开了一种用于太赫兹混频器的新型混合集成电路，涉及电通信的传输装置技术领域。包括石英基板电路、GaAs基板电路、射频波导以及本振波导，GaAs基板电路包括GaAs基板和位于GaAs基板内的GaAs太赫兹肖特基二极管...
- 王俊龙杨大宝邢东梁士雄张立森赵向阳冯志红
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- 一种改善MMIC功率放大器性能的芯片布局方法
- 本发明公开了一种改善MMIC功率放大器性能的芯片布局方法，涉及微波单片集成电路的制作方法技术领域。包括以下步骤：（1）将有源器件形成于半导体基板的正面，无源器件形成于半导体基板的背面；（2）通过有源器件上的栅极PAD以及...
- 冯志红宋旭波敦少博徐鹏王元刚顾国栋房玉龙吕元杰尹甲运邢东
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- 220GHz GaAs单片集成分谐波混频器被引量：1
- 2022年
- 基于在30μm厚的GaAs衬底上开发的平面肖特基二极管,设计了220 GHz GaAs单片集成分谐波混频器。考虑了二极管外形结构对电磁波传输的影响,采用场路结合联合仿真的经典方法建立二极管模型来仿真其电性能,并利用这一模型在非线性电路仿真软件中对混频器的性能进行仿真和优化。制作的220 GHz分谐波混频器模块在本振频率为110 GHz、输入功率为6 dBm的条件下进行测试。结果表明,在射频频率210~220 GHz内,混频器模块的单边带变频损耗小于11 dB,在220 GHz处具有最小变频损耗,为7.2 dB。
- 杨大宝赵向阳刘波刘波邢东
- 关键词：单片集成电路肖特基二极管变频损耗
- 用于太赫兹肖特基二极管的多孔衬底
- 本实用新型公开了一种用于太赫兹肖特基二极管的多孔衬底，属于半导体器件领域。本实用新型包括半绝缘衬底，在所述半绝缘衬底的背面设有两个以上的空气孔，所述空气孔的深度小于半绝缘衬底的厚度，大于半绝缘衬底厚度的三分之一。本实用新...
- 王俊龙冯志红邢东梁士雄张立森杨大宝张雄文宋旭波何泽召蔚翠
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- 半导体器件栅凹槽与N<Sup>+</Sup>凹槽自对准加工方法
- 本发明公开了一种半导体器件栅凹槽与N<Sup>+</Sup>凹槽自对准加工方法,它涉及半导体器件的工艺制备方法。它采用普通的工艺设备,采用一次光刻、两次腐蚀介质的工艺过程,制造得到栅凹槽自动位于N<Sup>+</Sup>...
- 丁奎章冯震王民娟李岚周瑞张雄文吴阿惠张务永焦艮平邢东
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- 基于调制掺杂的GaN肖特基二极管
- 本发明公开了一种基于调制掺杂的GaN肖特基二极管，属于半导体器件领域。本发明包括用于支撑整个GaN肖特基二极管的半绝缘的衬底层、在衬底层上生长的高掺杂的N+型GaN层，以及在N+型GaN层上采用调制掺杂生长的N-型GaN...
- 梁士雄冯志红房玉龙邢东王俊龙张立森杨大宝
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- C波段8W PHEMT功率管的设计
- 本文介绍了C波段PHEMT功率管的材料设计、制作工艺和微波性能.采用高质量PHEMT材料,成功地制作了单胞9.6mm栅宽的芯片.经内匹配,合成器件在C波段得到3.7～4.2GHz,输出功率8W,增益10dB,效率45﹪的...
- 邱旭邢东权东利余若祺
- 关键词：功率晶体管半导体材料
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- 用于太赫兹倍频链的新型混合集成电路
- 本实用新型公开了一种用于太赫兹倍频链的新型混合集成电路，涉及太赫兹器件技术领域。所述电路包括射频输入波导、第一石英基板、射频输入过度微带线、第一传输微带线、第一低通滤波器、输入匹配微带线、第一GaAs太赫兹倍频二极管、第...
- 王俊龙杨大宝梁士雄张立森赵向阳邢东冯志红
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