闫娜
- 作品数：69 被引量：56H指数：3
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学政治法律更多>>
- 一种超低电源电压的带隙基准源
- 本发明属于集成电路设计技术领域，具体为一种超低电源电压的带隙基准源。该带隙基准源由亚阈值管M1和亚阈值管M2，低电压运放，若干分压电阻，电流镜M3、M4、M5和输出电阻R6组成；本发明利用工作在亚阈值区的MOSFET的温...
- 李一雷韩科锋谈熙闫娜闵昊
- 文献传递
- 一种用于电容型电荷泵的优化的电荷转移结构与方法
- 本发明属于集成电路设计领域，具体为一种用于电容型电荷泵的优化的电荷转移结构与方法。本发明用于电容间的电荷转移，将前一级的电容拆分成多个电容的并联，各电容彼此独立，依次向后一级电容充电；当有电荷输入时，并联电容连接在一起形...
- 王彧张怡云闫娜闵昊史传进
- 文献传递
- 适用于无源射频标签的低功耗单栅非挥发性存储器(英文)被引量：2
- 2008年
- 针对低成本、低功耗无源射频电子标签,采用SMIC0.18μm标准CMOS工艺设计实现了单栅、576bit的非挥发性存储器.存储器单元基于双向Fowler-Nordheim隧穿效应原理并采用普通的pMOS晶体管实现;编程/擦写时间为10ms/16bit.芯片实现块编程和擦写功能,通过提出一种新型的敏感放大器而实现了读功耗的优化.在电源电压为1.2V,数据率为640kHz时,读操作平均消耗电流约为0.8μA.
- 赵涤燹闫娜徐雯杨立吾王俊宇闵昊
- 关键词：射频识别非挥发性存储器标准CMOS工艺低功耗
- 适用于软件无线电的高线性度、低功耗无源下变频混频器的设计
- 2014年
- 设计了一个用于软件无线电的高线性度、低功耗的无源下变频混频器,采用TSMC 65 nm CMOS工艺实现,芯片面积为0.2 mm^2,总功耗为8 mW@1.2 V.混频器中采用了改进的Gm单元,结合源级负反馈技术和MGTR技术,在提高混频器IIP_3的同时,拓宽了输入线性区域的范围.测试结果表明:线性区域的范围得到一定程度的提高,即使输入RF信号的功率为-12 dBm.混频器的IIP_3≥10.9 dBm,IIP_2≥45 dBm;在900 MHz处,混频器获得最大转换增益13.2 dB,此时NF为13.8 dB.
- 陈烨昕闫娜许建飞
- 关键词：高线性度低功耗软件无线电
- 适用于射频识别标签的64-kbit嵌入式阻变存储器被引量：2
- 2011年
- 设计并实现了一颗适用于射频识别(RFID)标签的低功耗嵌入式64-kbit阻变存储器芯片。提出了新型的带尖峰电流控制功能的高压稳压电路,在提供稳定编程电压的同时降低了芯片电源上的瞬态大电流,改善了存储器电路的可靠性;设计了适用于2T2R(2 Transistors and 2 Resistive cells)单元的敏感放大器,实现了低功耗读出。芯片在640 kb/s数据率下的读功耗为2.2μA,在5 kb/s的写数据率下的写功耗为18.5μA。芯片采用SMIC 0.13μm标准CMOS工艺制造,存储器总面积为0.39 mm2。
- 毕中裕简文翔金钢彭巍闫娜闵昊林殷茵
- 关键词：低功耗射频识别标签电容分压
- 高动态范围射频信号功率检测电路
- 本发明属于集成电路设计技术领域，具体为一种射频信号功率检测电路。其包括整流器、增益可变的跨阻放大器、电平调整电路、高精度比较器、计数器与自动增益控制电路、RC校准电路和时钟产生和控制电路。本发明中的功率检测电路通过电压检...
- 黄烈超王肖谈熙闫娜闵昊
- 文献传递
- 一种具有自适应电压偏置的宽带低功耗的振荡器装置
- 本发明公开一种具有自适应电压偏置的宽带低功耗的振荡器装置，包含:振荡器；自适应偏置电路，用于输出偏置电压至振荡器；自适应偏置电路设有：信号检测电路模块，用于检测振荡器的输出信号得到检测结果；信号做差电路模块，接收检测结果...
- 纪书江闫娜闵昊
- 文献传递
- 一种分隔直流交流通路的循环电流跨导运算放大器
- 本发明属于集成电路设计技术领域，具体为一种分隔直流交流通路的循环电流跨导运算放大器。该跨导运算放大器包括输入对管、交叉耦合电流镜、直流通路以及直流电流源；通过交叉耦合电流镜放大循环电流，并用直流通路分隔循环电流的直流信号...
- 李一雷韩科锋谈熙闫娜闵昊
- 一种基于反向散射技术的多副载波多址无源无线传感系统
- 本发明属于反向散射通信技术领域，具体为一种基于反向散射技术的多副载波多址无源无线传感系统，它使用一个无源无线传感器标签和一个读写器来支持来自多个传感器的并发数据流。读写器通过给传感器标签分配不同的副载波频率使每个传感器标...
- 唐宽锋王毛冬张超纪书江闫娜闵昊
- 文献传递
- 非挥发性存储器单元
- 本发明属集成电路设计技术领域，具体为一种标准CMOS工艺实现的非挥发性存储器单元电路。存储器单元电路由隧穿晶体管、控制晶体管和读出晶体管构成，其中，隧穿晶体管、控制晶体管均连接成MOS电容的形式，两管的栅极相连形成浮栅，...
- 闫娜王俊宇闵昊
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