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闫礼: 作品数：29 被引量：26H指数：4; 供职机构：中国电子科技集团公司第十八研究所更多>>; 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：电气工程理学电子电信一般工业技术更多>>

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纳米结构柔性薄膜太阳电池制备方法: 本发明涉及一种纳米结构柔性薄膜太阳电池制备方法，包括以下制备过程：①将纳米孔膜粘贴在柔性铝箔衬底上；②在纳米孔膜中生成纳米柱：③在生成纳米柱的纳米孔膜上生成CIGS吸收层；④在CIGS吸收层上沉积顶电极层。本发明的采用n...; 李微闫礼李巍赵彦民杨立冯金晖刘兴江; 文献传递

薄膜太阳电池技术的研发现状及产业化进展: 目前,单晶、多晶硅材料为主的晶硅太阳电池在光伏应用领域占有统治地位。但是,晶硅太阳电池的成本降价空间已经很小。从长远看,光伏市场将更趋向于使用低成本的薄膜型太阳电池。薄膜太阳电池具有生产成本低、能量回收期短、便于大面积连...; 李微刘兴江赵彦民杨立冯金晖李巍闫礼乔在祥; 文献传递

I-III-VI族材料双结薄膜太阳电池的制备方法: 本发明涉及一种I-III-VI族材料双结薄膜太阳电池的制备方法，步骤包括：衬底上依次制备背电极Mo、底电池p型吸收层、底电池n型缓冲层、底电池本征窗口层、连接层、顶电池p型吸收层、顶电池n型缓冲层、顶电池本征窗口层、顶电...; 李微杨立杨盼闫礼赵彦民冯金晖乔在祥

刚性衬底制备柔性太阳电池的方法: 本发明涉及一种刚性衬底制备柔性太阳电池的方法，其特点是：包括以下制备步骤：步骤1.制作柔性衬底-刚性衬底构成的刚性复合衬底；步骤2.在刚性复合衬底的柔性衬底上制作柔性太阳电池；步骤3.将柔性衬底-刚性衬底分离，完成刚性衬...; 乔在祥张嘉伟闫礼纪伟伟方亮潘振张瀚铭; 文献传递

化合物半导体叠层薄膜太阳电池: 本发明涉及一种化合物半导体叠层薄膜太阳电池，包括一个窄带隙的铜铟镓硒底电池和一个宽带隙的铜镓硒顶电池，其特点是：所述底电池和顶电池由连接层内部串联成为一体；所述连接层由位于底电池的透明金属氧化物导电层和位于顶电池的纳米金...; 李微杨立杨盼闫礼赵彦民冯金晖乔在祥; 文献传递

Ga_(x)In_(1-x)P氢化物气相外延制备工艺及性能研究进展: 2022年; 对Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体Ga_(x)In_(1-x)P材料的性质、应用和外延工艺的发展进行了简单阐述,重点介绍了Ga_(x)In_(1-x)P材料的氢化物气相外延(HVPE)制备工艺对Ga_(x)In_(1-x)P外延层质量和Ga_(x)In_(1-x)P太阳电池性能的影响,并对国外研究中用于制备Ga_(x)In_(1-x)P材料的垂直和水平HVPE结构设计、外延的原理和工艺改进、Ga_(x)In_(1-x)P太阳电池的结构等对外延层质量和相关器件性能的影响进行了评述,总结了近年来HVPE法制备Ga_(x)In_(1-x)P材料在太阳电池领域的研究进展,HVPE有望代替MOCVD而成为Ga_(x)In_(1-x)P的主流制备工艺。最后,对HVPE法制备Ga_(x)In_(1-x)P太阳电池的研究成果和难点以及未来研究的重点进行了总结,并对国内在该领域的研究工作指明了方向。; 张嵩程文涛王健王健王健程红娟董增印

卷对卷技术制备大面积柔性CIGS薄膜太阳电池吸收层被引量：4: 2011年; 以轻质柔性聚酰亚胺(PI)材料为衬底,采用低温共蒸发"一步法"工艺制备四元化合物Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜。本文采用卷对卷(roll-to-roll)技术,在衬底幅宽300 mm的方向上实现了良好的成膜均匀性。利用XRD和XRF分别分析了所制备薄膜的晶相、组分和厚度,SEM分析了薄膜的表面形貌,讨论了不同衬底温度下制备的CIGS薄膜的性能。; 赵彦民李微闫礼乔在祥刘兴江; 关键词：CIGS薄膜聚酰亚胺

溅射后硒化过程对铜铟镓硒薄膜太阳电池吸收层的影响: 本文阐述了在沉积Mo的玻璃衬底上采用直流磁控溅射制备Cu-In-Ga预制层,然后敞开式N载气固态源硒化制备CIGS吸收层的材料特性。重点研究硒化时间对吸收层特性的影响,得到相对合理的硒化过程,以制备高质量的CIGS薄膜太...; 赵彦民李微冯金晖杨立闫礼李巍乔在祥; 文献传递

柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池被引量：4: 2011年; 介绍了柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的基本结构、研究现况、关键技术,同时指出了未来面临的挑战。; 闫礼乔在祥; 关键词：铜铟镓硒薄膜太阳电池

一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池组件内联方法: 本发明公开了一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池组件内联方法，包括如下步骤：步骤1、采用激光蚀刻法在透明导电层上蚀刻出至少一条预处理沟道；预处理沟道的底面为高阻层的上表面；步骤2、采用激光蚀刻法在每条预处理沟道的一侧分别蚀刻出第...; 闫礼乔在祥冯洋刘洋张超冯金晖; 文献传递