您的位置： 专家智库 > >

陈龙庆

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：清华大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

领域

  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇电场
  • 2篇形状各向异性
  • 2篇随机存储器
  • 2篇功耗
  • 2篇磁存储
  • 2篇磁矩
  • 2篇磁性层
  • 2篇磁阻
  • 2篇存储密度
  • 2篇存储器
  • 1篇电极
  • 1篇数据存储
  • 1篇记录层
  • 1篇磁电
  • 1篇磁电效应
  • 1篇磁化
  • 1篇磁化强度
  • 1篇磁记录

机构

  • 4篇清华大学

作者

  • 4篇南策文
  • 4篇陈龙庆
  • 4篇胡嘉冕
  • 4篇李峥
  • 2篇林元华
  • 2篇沈洋
  • 2篇王建军
  • 2篇马静

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2012
共 4 条 记 录，以下是 1-4
全选 清除 导出
排序方式：
一种电压可调的磁阻变随机存储单元及其随机存储器
本发明提出一种电压可调的磁阻变随机存储单元，包括：底电极层；形成在底电极层之上的铁电氧化物层；形成在铁电氧化物层之上的磁性层，其中，磁性层和底电极层分别作为铁电氧化物层的上下电极而对铁电氧化物层施加电压，其中电压的方向垂...
南策文胡嘉冕李峥陈龙庆
文献传递
一种电压可调的磁阻变随机存储单元及其随机存储器
本发明提出一种电压可调的磁阻变随机存储单元，包括：底电极层；形成在底电极层之上的铁电氧化物层；形成在铁电氧化物层之上的磁性层，其中，磁性层和底电极层分别作为铁电氧化物层的上下电极而对铁电氧化物层施加电压，其中电压的方向垂...
南策文胡嘉冕李峥陈龙庆
一种利用电场写入数据的四态磁存储单元
本发明公开了一种利用电场写入数据的四态磁存储单元。其包括：第一电极层；铁电氧化物层，所述铁电氧化物层形成于所述第一电极层上；第二电极层，所述第二电极层形成于所述铁电氧化物层上；磁性记录层，所述磁记录层形成于所述第二电极层...
南策文王建军李峥胡嘉冕冯明马静陈龙庆林元华沈洋
文献传递
一种利用电场写入数据的四态磁存储单元
本发明公开了一种利用电场写入数据的四态磁存储单元。其包括：第一电极层；铁电氧化物层，所述铁电氧化物层形成于所述第一电极层上；第二电极层，所述第二电极层形成于所述铁电氧化物层上；磁性记录层，所述磁记录层形成于所述第二电极层...
南策文王建军李峥胡嘉冕冯明马静陈龙庆林元华沈洋
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0