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陈龙海

作品数：10 被引量：4H指数：1
供职机构：厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
发文基金：福建省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 7篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇INGAAS...
  • 3篇量子阱结构
  • 3篇光电
  • 3篇半导体
  • 2篇多量子阱
  • 2篇多量子阱结构
  • 2篇磷化铟
  • 2篇GAAS/I...
  • 2篇INP
  • 2篇MOCVD
  • 1篇导电
  • 1篇电器件
  • 1篇电子结构
  • 1篇多量子阱激光...
  • 1篇应变量子阱
  • 1篇增益
  • 1篇砷化镓
  • 1篇气相沉积
  • 1篇子结构
  • 1篇铟镓砷

机构

  • 9篇厦门大学
  • 4篇吉林大学

作者

  • 9篇陈龙海
  • 9篇黄美纯
  • 7篇陈松岩
  • 7篇刘宝林
  • 5篇王本忠
  • 5篇刘式墉
  • 5篇陈朝
  • 2篇赵方海
  • 1篇沈耀文
  • 1篇洪火国
  • 1篇李正庭
  • 1篇彭宇恒
  • 1篇张志鹏
  • 1篇李玉东
  • 1篇陈丽容
  • 1篇杨树人
  • 1篇陈伯军
  • 1篇范爱英

传媒

  • 5篇厦门大学学报...
  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇物理学报
  • 1篇半导体光电

年份

  • 2篇1998
  • 4篇1997
  • 2篇1996
  • 1篇1995
共 10 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
高性能InP/InP、InGaAs/InP体材料LP-MOCVD生长
1997年
给出利用低压金属有机化合物化学汽相沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）生长技术在ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ的条件，研究了ＩｎＰ／ＩｎＰ的生长特性、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ的组份控制、生长特性及生长温度对ＩｎＧａＡｓ特性的影响．发现ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ最佳生长温度为６４０℃，得到ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ１６Ｋ光荧光（ＰＬ）谱全高半峰宽为３２．０ｎｍ，ＩｎＰ／ＩｎＰ室温霍尔迁移率为４３６０ｃｍ２／Ｖｓ，背景掺杂浓度为５×１０１４ｃｍ－３，Ｘ光双晶衍射全高半峰宽为２１＂．
刘宝林黄美纯陈松岩陈龙海陈朝王本忠王本忠刘式墉
关键词：MOCVD铟镓砷磷化铟
多量子阱结构的MOVPE生长
1997年
利用金属有机气相沉积技术生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ多量子阱结构，通过改变生长程序，得到了优化的陡峭量子阱界面．并利用光致发光（ＰＬ）和Ｘ射线双晶衍射对其界面质量分析，Ｘ射线双晶衍射表明界面起伏为一个原子层厚度。
陈松岩陈龙海黄美纯刘宝林洪火国李玉东王本忠刘式墉
关键词：多量子阱气相沉积MOVPE光电器件
InGaAsP多量子阱结构激光器阱数设计与制备
1996年
针对目前多量子阱激光器结构设计中，忽略了载流子在每个阱内的注入不均匀性的问题，从油松方程和电流连续方程出发，提出每个阱单独考虑的计算方法，从而比较精确地计算出多量子阱激光器的净增益，给出多量子阱激光器的最佳阱数选择，根据设计结果，生长了ＩｎＧａＡｓＰ分别限制量子阱结构．利用质子轰击制得条形量子阱激光器，实现室温连续工作．阈值电流为６０ｍＡ，激射波长为１．５２μｍ，单面输出外微分量子效率为３６％．
陈龙海陈松岩彭宇恒刘式墉黄美纯
关键词：多量子阱激光器净增益
（Ba_1－_xK_x）BiO_3电子结构与超导电性被引量：1
1996年
用第一原理的ＬＤＦＬＭＴＯＡＳＡ超元胞法，模拟由Ｘ射线吸收谱精细结构测定的ＢａＢｉＯ３中，Ｂｉ有两种价态Ｂｉ３＋和Ｂｉ５＋及与之相应的两种不同键长的Ｂｉ—Ｏ八面体，以及Ｋ掺杂对晶体结构的影响．计算了Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ１２，（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ１２，（ＢａＫ）Ｂｉ２Ｏ６，（ＢａＫ３）Ｂｉ４Ｏ１２，Ｋ２Ｂｉ２Ｏ６（简记为（４０４），（３１４），（１１２），（１３４），（０２２））五种“样本”的电子结构．结果表明，（４０４）和（３１４）分别为Ｅｇ＝１６ｅＶ及Ｅｇ＝１５ｅＶ的半导体，其它“样本”为金属．总能的分析表明（１３４）是不稳定的，故溶解极限为ｘ＝０５．以“取样”方式按伯努利分布确定任意组分各“样本”的概率，进而计算了（Ｂａ１－ｘＫｘ）ＢｉＯ３电子结构随组分的变化．最后用逾渗模型说明了超导转变温度Ｔｃ在ｘ＝０．
沈耀文张志鹏陈龙海黄美纯
关键词：电子结构超导电性
利用K·P方法计算InGaAs/InP应变量子阱的能带
1997年
利用Ｋ·Ｐ方法计算了阱宽１０．０ｎｍ的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ应变量子阱在１％压缩应变、无应变和１％伸张应变三种情况下的能带结构及其态密度．结果表明在阱宽较宽时，伸张应变在１３．５～１３．２３ｍｅＶ能量范围之内子带较少，而在１３．３２～－３８ｍｅＶ能量内，具有比无应变时较低的的态密度．从能带角度考虑，在伸张应变时。
陈龙海刘宝林陈松岩黄美纯
关键词：磷化铟
InP/GaAs/InPⅡ型量子阱的光致发光研究被引量：1
1998年
报道了用金属有机化合物化学气相沉积技术生长ＩｎＰ／ＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱结构，通过线性形变势理论计算表明该结构为Ⅱ型量子阱结构．
陈松岩刘宝林陈龙海黄美纯陈朝
关键词：量子阱结构光致发光半导体
LP－MOCVD制作InGaAs／InPPIN光电二极管被引量：1
1995年
采用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ制作了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ平面型ＰＩＮ光电二极管。器件光敏面直径为７５μｍ，采用Ｚｎ扩散形成ＰＮ结，－６Ｖ偏置下其暗电流低达８～１３ｎＡ；反向击穿电压为６０Ｖ（１μＡ）。在没有增透膜时，对１．３μｍ注入光响应度为０．５６Ａ／Ｗ，光谱响应范围为０．９０～１．７０μｍ。
刘宝林黄美纯陈朝陈丽容陈龙海杨树人陈伯军王本忠范爱英李正庭刘式墉
关键词：半导体器件半导体工艺光电二极管
用于光电集成的GaAs/InP MESFET研究
1998年
提出了一种新的生长过渡层的方法，并利用低压金属有机气相外延技术在InP衬底上生长出高质量GaAs外延材料，用X射线双晶衍射测得5μm厚GaAs外延层的（004）品面行射半高峰宽（FWHM）低至140arcsee。并制出GaAs金属半导体场效应晶体管（MESFET），其单位跨导为100mS／mm，可满足与长波长光学器件进行单片集成的需要。
陈松岩刘宝林陈龙海王本忠刘式墉陈朝黄美纯
关键词：场效应晶体管砷化镓
MOCVD生长InGaAs/InP体材料研究被引量：1
1997年
首先给出在InP衬底上利用MOCVD法生长InP、InGaAs的生长条件，而后分别给出了InP／InP的生长特性，InGaAs／InP的组份控制和生长特性及生长温度对InGaAs特性的影响。
陈龙海刘宝林陈松岩陈朝黄美纯王本忠赵方海刘式墉
关键词：MOCVD化合物半导体
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