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文献类型

  • 1篇中文科技成果

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇单晶拉制
  • 1篇英寸
  • 1篇抛光片
  • 1篇硅单晶
  • 1篇硅抛光片
  • 1篇IC

机构

  • 1篇北京有色金属...

作者

  • 1篇尤重远
  • 1篇常青
  • 1篇屠海令
  • 1篇张厥宗
  • 1篇高玉芬
  • 1篇张椿
  • 1篇周旗钢
  • 1篇朱悟新
  • 1篇冯仪

年份

  • 1篇1999
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
2-3μmIC用φ5英寸硅单晶(片)研制
屠海令张椿尤重远周旗钢常青冯仪朱悟新高玉芬张厥宗
为提高集成度和降低制造成本,要求硅单晶直径不断增大,并对其杂质和晶体完整性的要求越来越高。但直径增大,必然增加大投料量,带来的是热容量增大,拉晶时间延长,熔体与石英坩埚反应变大,晶体生产热历史对晶体质量的影响更大,生长出...
关键词:
关键词:硅单晶单晶拉制硅抛光片
共1页<1>
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