黄晓华
- 作品数：2 被引量：6H指数：2
- 供职机构：浙江大学信息与电子工程学系更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- CMOS低噪声放大器Miller效应分析与噪声优化被引量：4
- 2011年
- 根据反馈分解理论将晶体管栅漏电容分解等效到放大器输入输出两端,研究了栅漏电容对低噪声放大器(LNA)输入阻抗和噪声系数的影响.基于分析结果对阻抗及噪声公式进行了修正,提出功耗约束条件下的LNA噪声优化方法.设计的2.4GHz LNA基于中芯国际(SMIC)0.18μm RF CMOS工艺,版图后仿结果表明:在1.2V的工作电压下,该低噪声放大器直流功耗仅为2.4mW,噪声系数为1.0dB,功率增益为16.3dB,输入输出反射损耗均小于-22dB,三阶互调点IIP3为-3.2dBm.相比已有的设计,根据修正公式设计的LNA在功耗、输入阻抗匹配、噪声系数等性能指标上有较大的改善.
- 黄晓华陈李佳周金芳陈抗生
- 关键词：CMOS低噪声放大器
- 一种新型全集成CMOS低噪声放大器优化设计方法被引量：2
- 2010年
- 提出一种以几何规划作为全局搜索算法的全集成低噪声放大器优化方法。在优化过程中,将功耗、输入匹配、器件尺寸等性能参数表示为约束条件,将片上电感寄生电阻噪声和晶体管噪声表示为优化目标,从而将复杂的全集成LNA优化问题转化为一个能够进行高效求解的几何规划问题。版图后仿真结果表明,在2.4GHz工作频率下,低噪放的功耗为4.8mW,正向增益S21可达17.4dB,反射参数S11、S22均小于-20dB,三阶互调点IIP3为-4.2dBm,噪声系数NF仅为2.0dB。
- 黄晓华王先锋陈抗生周金芳
- 关键词：全集成CMOS低噪声放大器
