您的位置: 专家智库 > >

丁德辉

作品数:4 被引量:14H指数:1
供职机构:中国建筑材料科学研究院更多>>
相关领域:化学工程理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇化学工程
  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇显微结构
  • 3篇SIC薄膜
  • 3篇CVD
  • 3篇CVD法
  • 1篇氧化锆
  • 1篇增韧
  • 1篇硼化锆
  • 1篇显微结构分析
  • 1篇相变
  • 1篇SIC
  • 1篇ZRO

机构

  • 4篇中国建筑材料...

作者

  • 4篇丁德辉
  • 3篇樊启晟
  • 3篇唐婕
  • 3篇苏盛彪
  • 2篇陈玉峰
  • 1篇金宗哲
  • 1篇赵宏
  • 1篇陈玉峰

传媒

  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇第十一届全国...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 3篇2000
  • 1篇1990
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
CVD法制备SiC薄膜的气孔分布及显微结构的分析
在较低温度下,采用CVD法制制备出了β-SiC薄膜,薄膜的厚度随反应人有线性增加的关系。通过对央不同条件下制备样品的显结构和气孔大小分布的分析,发现提高温度和增加反应时间不仅可以降低气孔含量,而且可以降低大气孔的数量,从...
陈玉峰唐婕樊启晟丁德辉苏盛彪
关键词:CVDSIC薄膜显微结构
文献传递
ZrO_2相变对ZrB_2陶瓷的增强与增韧效应被引量:14
1990年
本文通过对不同ZrO_2含量的ZrB_2陶瓷的力学性能及显微结构的研究,探讨了ZrO_2相变对ZrB_2陶瓷的强度和韧度的影响,分析了各种增强与增韧的机制,用能量平衡理论讨论了强度和韧度增加的原因。结果表明,利用ZrO_2相变效应,可以有效地提高ZrB_2陶瓷的弯曲强度和断裂韧度。
赵宏金宗哲丁德辉朱文
关键词:氧化锆相变硼化锆增韧
CVD法制备SiC薄膜的气孔分布及显微结构的分析
在较低温度下,采用CVD法制制备出了β-SiC薄膜,薄膜的厚度随反应人有线性增加的关系。通过对央不同条件下制备样品的显结构和气孔大小分布的分析,发现提高温度和增加反应时间不仅可以降低气孔含量,而且可以降低大气孔的数量,从...
陈玉峰唐婕樊启晟丁德辉苏盛彪
关键词:CVDSIC薄膜显微结构
文献传递网络资源链接
CVD法制备SiC薄膜的气孔分布及显微结构分析
在较低温度下,采用CVD法制备出了β-SiC薄膜,薄膜的厚度随反应时间具有线性增加的关系。通过对在不同条件下制备样品的显微结构和气孔大小分布的分析,发现提高温度和增加反应时间不仅可以降低气孔含量,而且可以降低大气孔的数量...
陈玉峰唐婕樊启晟丁德辉苏盛彪
关键词:显微结构
文献传递
共1页<1>
聚类工具0