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介晓瑞

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：华中理工大学固体电子学系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇多孔硅
  • 1篇微结构
  • 1篇稳定性
  • 1篇硅二极管
  • 1篇二极管
  • 1篇伏安特性
  • 1篇比表面
  • 1篇比表面积
  • 1篇V-I特性
  • 1篇P
  • 1篇M
  • 1篇S-

机构

  • 2篇华中理工大学

作者

  • 2篇介晓瑞
  • 2篇刘刚
  • 1篇于军
  • 1篇谢基凡

传媒

  • 2篇华中理工大学...

年份

  • 1篇1998
  • 1篇1997
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
多孔硅微结构及其稳定性研究被引量：1
1997年
应用低温氮吸附法测量了多孔硅（ＰＳ）样品的比表面积、孔容及孔径分布等微结构参数，总结出这些微结构参数随环境条件及工艺参数的变化规律．根据ＰＳ特性的测试结果，进一步论述了处理工艺对其特性的有效影响．为改善和控制多孔硅结构及拓宽应用提出了新方法．
刘刚介晓瑞
关键词：多孔硅比表面积微结构稳定性
M-PS-S结构的V-I特性及其优化
1998年
选用n-，p-和p+三种半导体硅材料作为衬底，通过电化学腐蚀方法分别形成PS薄膜；在PS／S膜上再淀积一层具有一定图形的铝金属膜并焊接引线，形成了M－PS－S二极管结构；在外加直流偏置电压下分别测量它们的V－I特性，得出了不同的V－I特性曲线；V-I特性都具有整流效应．根据对所得特性的理论分析．论述了材料、工艺和结构等因素对M－PS－S特性的影响．并提出了优化设计的方法，以改善M－PS－S结构的特性，实现其在发光、敏感等方面的应用。
刘刚谢基凡于军介晓瑞
关键词：伏安特性硅二极管
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