您的位置： 专家智库 > >

付鹏宇

作品数：8 被引量：8H指数：2
供职机构：华北电力大学更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇绝缘
  • 3篇放电
  • 2篇单芯片
  • 2篇电力
  • 2篇电力电子
  • 2篇电力电子器件
  • 2篇电流
  • 2篇电子器件
  • 2篇密封
  • 2篇局部放电
  • 2篇局部放电脉冲
  • 2篇绝缘缺陷
  • 2篇绝缘试验
  • 2篇夹具
  • 2篇降噪
  • 2篇高压IGBT
  • 2篇放电电流
  • 2篇高温高压
  • 2篇IGBT器件
  • 1篇等效电路

机构

  • 7篇华北电力大学
  • 3篇全球能源互联...
  • 2篇国家电网公司
  • 2篇国网河北省电...

作者

  • 7篇付鹏宇
  • 3篇赵志斌
  • 2篇李学宝
  • 2篇崔翔
  • 2篇马浩
  • 1篇黄飞
  • 1篇王正光
  • 1篇周诗超
  • 1篇王桐

传媒

  • 1篇绝缘材料
  • 1篇环球市场信息...

年份

  • 1篇2020
  • 4篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2013
共 8 条 记 录，以下是 1-7
全选 清除 导出
排序方式：
压接型IGBT器件封装结构中PEEK框架的绝缘特性分析被引量：5
2019年
为了改善压接型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件子模组中聚醚醚酮(PEEK)框架的绝缘性能,探讨了PEEK电导率表征模型和测量方法,分析了电导率经验模型中引起电导率改变的主要因素及其对PEEK框架绝缘性能的影响。结果表明:温度为影响电导率变化的主要因素,但不同温度条件下的电场仿真计算表明,PEEK框架温度不影响IGBT器件中子模组的电场分布和绝缘性能。通过仿真计算发现,增大PEEK框架与芯片间气隙距离可以显著提高压接型IGBT器件的绝缘性能。
王浩宇赵志斌付鹏宇李金元张朋
关键词：绝缘栅双极型晶体管聚醚醚酮绝缘
压接型IGBT器件子模组封装的放电特性及机制研究
高压大功率压接型IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)器件是全控型的功率半导体器件,具有电流容量大和短路失效模式等优点,是制造各类柔性高压直流输电装备的核心器件...
付鹏宇
文献传递
一种电力电子器件绝缘试验装置
本发明公开一种电力电子器件绝缘试验装置，所述电力电子器件包括单芯片、子模组和集成模块，所述试验装置包括：腔体密封外壳、控制器底座和内部夹具；所述腔体密封外壳为所述电力电子器件提供一个密封的工作环境；所述内部夹具夹置所述电...
文腾付鹏宇马浩赵志斌李学宝崔翔
文献传递
一种高压IGBT局部放电电流时域参数的确定方法和装置
本发明提供了一种高压IGBT局部放电电流时域参数的确定方法和装置，对高压IGBT的局部放电电流进行预筛选得到局部放电脉冲；然后对预筛选出的局部放电脉冲进行计数，并提取局部放电脉冲的电流幅值；最后根据局部放电脉冲的电流幅值...
付鹏宇金锐文腾王浩宇李立赵志斌
一种电力电子器件绝缘试验装置
本发明公开一种电力电子器件绝缘试验装置，所述电力电子器件包括单芯片、子模组和集成模块，所述试验装置包括：腔体密封外壳、控制器底座和内部夹具；所述腔体密封外壳为所述电力电子器件提供一个密封的工作环境；所述内部夹具夹置所述电...
文腾付鹏宇马浩赵志斌李学宝崔翔
文献传递
一种高压IGBT局部放电电流时域参数的确定方法和装置
本发明提供了一种高压IGBT局部放电电流时域参数的确定方法和装置，对高压IGBT的局部放电电流进行预筛选得到局部放电脉冲；然后对预筛选出的局部放电脉冲进行计数，并提取局部放电脉冲的电流幅值；最后根据局部放电脉冲的电流幅值...
付鹏宇金锐文腾王浩宇李立赵志斌
文献传递
基于强磁耦合共振的无线能量传输系统线圈设计
2013年
谐振耦合是一种新的电能传输方式，能在中等距离内传递能量。本文主要对强磁耦合机理进行分析，建立系统原理图，推导数学模型，得出系统磁耦舍等效电路图。并根据耦舍公式，设计耦合线圈参数计算程序。根据计算出的最佳线圈参数，设计一个耦合谐振体，验证了该方法的有效性。
黄飞付鹏宇王正光周诗超王桐
关键词：传输系统线圈无线等效电路图
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0