任策
- 作品数：4 被引量：5H指数：2
- 供职机构：吉林大学更多>>
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- 相关领域：理学机械工程电子电信更多>>
- 硅材料的场致线性电光效应被引量：2
- 2009年
- 从经典的极化理论出发,分析了直流电场、低频调制电场和光波电场共同存在时硅材料折射率的变化,从理论上揭示了场致线性电光效应的物理实质。以近本征硅材料为样品,采用金属-绝缘体-半导体样品结构,搭建了由塞纳蒙(Senarmont)补偿器改进成的横向电光调制系统。在硅材料空间电荷区内观测到显著的线性电光调制效应,系统的半波电压小于170 V,从实验上直接证实了硅材料中内建电场诱导的场致线性电光效应的存在。此外还观测到由克尔效应引起的二次电光调制信号,以及由场致光整流效应引起的、随线偏振光的方位角的二倍余弦变化的电信号。实验结果与经典极化理论的预期完全一致,也间接证实了硅材料中场致线性电光效应的存在。
- 陈占国赵建勋张玉红贾刚刘秀环任策武文卿孙鉴波曹昆王爽时宝
- 关键词：非线性光学硅材料
- 立方氮化硼晶体基于电致变色的吸收调制特性
- 伴随击穿的发生立方氮化硼(cBN)晶体产生电致变色现象。基于这一现象,我们利用650nm激光进行了吸收调制实验。在直流情况下。测得cBN晶体击穿及恢复时的吸收瞬态响应时间为50ms。晶体对光的吸收程度随着击穿后电流的增加...
- 任策贾刚陈占国曹昆
- 关键词：电致变色电光调制
- 文献传递
- 单晶硅材料电致双折射的研究被引量：3
- 2008年
- 首次测量了硅材料在1.3μm波长处,基于克尔效应和弗朗兹-凯尔迪什效应的电致双折射,进而计算出三阶非线性极化率张量(χ3)的分量x(χy3x)y.观测到弗朗兹-凯尔迪什效应引起的折射率变化与入射光的偏振态有关.在实验中,测得了由克尔效应引起的折射率之差为Δn=5.49×10-16E20,而弗朗兹-凯尔迪什效应引起的折射率之差为Δn′=2.42×10-16E20.5.
- 张玉红陈占国贾刚时宝任策刘秀环武文卿
- 关键词：偏振态
- 立方氮化硼晶体电流—电压特性及变色现象的研究
- 本论文介绍了立方氮化硼（cubic boron nitride, cBN）单晶的电流-电压（I-V）特性和变色现象的研究过程和研究结果。cBN晶体在强电场的作用下发生了击穿现象,这使得晶体的I-V特性分成了三个阶段——击...
- 任策
- 关键词：立方氮化硼I-V特性电击穿电吸收调制热致变色
- 文献传递
