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倪经

作品数:41 被引量:40H指数:4
供职机构:西南应用磁学研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程理学电子电信更多>>

文献类型

  • 18篇期刊文章
  • 18篇专利
  • 3篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 16篇一般工业技术
  • 11篇电气工程
  • 10篇理学
  • 5篇电子电信

主题

  • 10篇铁磁
  • 10篇铁氧体
  • 6篇软磁
  • 5篇电路
  • 5篇微加工
  • 5篇激光
  • 5篇交换偏置
  • 5篇反铁磁
  • 5篇磁电
  • 5篇磁电阻
  • 4篇软磁薄膜
  • 4篇铁磁层
  • 4篇退火
  • 4篇清洗机
  • 4篇纳米
  • 4篇溅射
  • 4篇超声波清洗
  • 4篇超声波清洗机
  • 4篇磁控
  • 4篇磁控溅射

机构

  • 34篇西南应用磁学...
  • 8篇西南科技大学
  • 4篇四川大学
  • 4篇中国科学院
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇山东大学

作者

  • 41篇倪经
  • 23篇周俊
  • 12篇郭韦
  • 11篇陈彦
  • 11篇邹延珂
  • 11篇黄豹
  • 7篇代波
  • 4篇张明
  • 3篇朱世富
  • 3篇蒋运石
  • 3篇杨陆
  • 3篇蔡建旺
  • 3篇刘峰
  • 3篇闫欢
  • 2篇陈学平
  • 2篇陈宁
  • 2篇蒋庆林
  • 2篇赵北君
  • 2篇陈兴明
  • 2篇叶军

传媒

  • 10篇磁性材料及器...
  • 2篇功能材料
  • 1篇物理学报
  • 1篇无机化学学报
  • 1篇四川大学学报...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇真空电子技术
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 3篇2021
  • 1篇2020
  • 4篇2019
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 6篇2015
  • 3篇2014
  • 3篇2013
  • 3篇2012
  • 3篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇2002
41 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于高介陶瓷的铁氧体半填充式SIW环行器
本实用新型公开了一种基于高介陶瓷的铁氧体半填充式SIW环行器,包括水平设置的基板,基板中心设有圆形通孔,通孔内设有铁氧体基片,铁氧体基片上方设有永磁体,铁氧体基片上表面设有一金属盖板,金属盖板上表面与基板上表面平齐,并与...
蒋运石闫欢韩晓川任士晶刘峰李红炬倪经周俊
文献传递
自旋电子学及其器件
1988年Fert与Grunberg科研小组彼此独立地在铁/铬多层膜纳米结构中发现了高达50%的磁电阻效应,从此自旋电子学诞生了。目前,自旋电子学已经发展出磁读头、磁电隔高耦合器、磁随机存储器(MRAM)、微波探测器等器...
倪经周俊杨陆黄豹
关键词:自旋电子学磁电阻
铁氧体薄膜器件的光刻多次涂胶工艺
2014年
提出了铁氧体薄膜器件光刻多次涂胶新工艺,研究了涂覆次数对光刻胶的表面粗糙度、均匀性和厚度的影响。同时结合培烘试验,对一种实际电路基片进行了验证。试验结果表明:随着光刻胶涂覆次数的增加,光刻胶厚度逐渐增大,增加幅度逐渐减小,涂覆光刻胶的表面粗糙度有明显改善,均匀性也逐渐提高。当烘焙温度为50℃、烘焙时间为25min,光刻胶与基底的附着力、感光性和耐腐蚀性均能满足铁氧体器件薄膜电路制作工艺的要求。利用多次涂胶法可有效去除电路手工修补工艺,从而提高铁氧体薄膜器件的电路图形加工质量及效率。
陈学平陈彦倪经王自力
关键词:光刻
Fe/Si多层膜的层间耦合与界面扩散被引量:6
2004年
对以本征Si及重掺杂p型和n型Si作为中间层的Fe Si多层膜的层间耦合进行研究 ,并通过退火 ,增大Fe ,Si之间的扩散 ,分析界面扩散对层间耦合的影响 .实验结果表明 ,层状结构良好的制备态的多层膜 ,Fe ,Si之间也存在一定程度的扩散 ,它是影响层间耦合的主要因素 ,远远超过了半导体意义上的重掺杂 ,使不同种类的Si作为中间层的层间耦合基本一致 .进一步还发现 ,在一定范围内增大Fe ,Si之间的扩散 ,即使多层膜的层状结构已经有了相当的退化 ,Fe Si多层膜的反铁磁耦合强度基本保持不变 .
倪经蔡建旺赵见高颜世申梅良模朱世富
关键词:多层膜反铁磁层状结构本征重掺杂
面心立方结构TaN_δ薄膜功率电阻研究被引量:2
2010年
TaN薄膜电阻由于具有高的微波承受功率、低的电阻温度系数以及良好的化学稳定性,是目前常用的功率电阻。在Ar/N2混合气氛下,利用直流反应溅射制备了面心立方结构的TaN薄膜功率电阻。实验发现,当Ta/N原子比在0.9~1.2之间时,可以形成比较好的面心立方结构TaN。其电阻温度系数约为-1.86‰/℃,对于6mm(长)×0.3mm(宽)×0.25μm(厚)的薄膜电阻,微波承受功率超过3W,而Ta薄膜电阻承受微波功率小于2W。
代波倪经
Fe//Si多层膜的层间耦合与界面扩散
早在上世纪九十年代初,人们就观察到Fe//Si多层膜的层间耦合现象。在接下来的二十年中,人们致力于其机理的研究。但直到现在,对于Fe//Si多层膜层间耦合机理的认识仍然存在较大的争论。本文在研究Fe//Si多层膜层间耦合...
倪经
文献传递
永磁薄膜材料的研究进展被引量:1
2016年
永磁薄膜是相关电子器件及系统小型化、集成化的关键材料。首先概括介绍了永磁薄膜的常用制备技术,包括电沉积、溅射、激光脉冲沉积等方法。在此基础上,总结了各种永磁薄膜(金属合金、铁氧体、稀土化合物等)的国内外研究进展,以及在相关器件上的应用。最后展望了永磁薄膜的发展趋势和前景。
郭韦倪经周俊曹照亮陈彦
亚微米级铁磁条的磁场分布被引量:3
2009年
基于等效磁荷模型,导出了仅在一个方向均匀完全磁化的矩形亚微米磁条在外部空间磁场分布的解析表达式。通过对单个磁条的空间磁场的数值分析,得出了不同宽度、不同厚度的磁条磁场的二维分布,总结了磁条外部空间磁场的分布规律,确定出最合适的铁磁层的宽度和厚度及隔离层的厚度范围。得出了磁化后的铁磁层FM1的磁场在相邻铁磁层FM2处的分布情况。这对研究磁性三明治结构(铁磁层FM1/隔离层NM/铁磁层FM2)中磁性层之间的耦合有一定的参考价值。
刘晓霞代波倪经
关键词:磁场
自旋电子学及其器件
1988年Fert与Grunberg科研小组彼此独立地在铁/铬多层膜纳米结构中发现了高达50%的磁电阻效应,从此自旋电子学诞生了。目前,自旋电子学已经发展出磁读头、磁电隔高耦合器、磁随机存储器(MRAM)、微波探测器等器...
倪经周俊杨陆黄豹
关键词:自旋电子学磁电阻
文献传递
一种旋磁铁氧体基片快速激光通孔方法
本发明公开了一种旋磁铁氧体基片快速激光通孔方法,微加工技术领域,其方法是将待通孔的旋磁铁氧体基片固定在夹具上,并通过夹具中的电阻丝对基片进行加热,然后再进行激光通孔,本发明在旋磁铁氧体基片激光通孔时,对基片进行加热,可有...
周俊陈宁黄河倪经邹延珂郭韦徐德超林亚宁陈彦
文献传递
共5页<12345>
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