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冯忠

作品数：14 被引量：11H指数：2
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文基金：微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信航空宇航科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 4篇会议论文

领域

  • 14篇电子电信
  • 2篇航空宇航科学...

主题

  • 5篇单片
  • 5篇S波段
  • 4篇电路
  • 4篇脉冲
  • 4篇集成电路
  • 4篇功率管
  • 3篇单片集成
  • 3篇内匹配
  • 3篇接收机
  • 3篇金属半导体
  • 3篇光接收
  • 3篇光接收机
  • 3篇光接收机前端
  • 3篇半导体
  • 3篇SIC
  • 3篇SIC_ME...
  • 3篇4H-SIC
  • 3篇场效应
  • 2篇单片微波
  • 2篇单片微波集成...

机构

  • 14篇南京电子器件...
  • 4篇电子科技大学
  • 4篇微波毫米波单...

作者

  • 14篇冯忠
  • 11篇蒋幼泉
  • 9篇柏松
  • 9篇李哲洋
  • 9篇陈刚
  • 8篇陈辰
  • 6篇吴鹏
  • 5篇陈征
  • 4篇杨立杰
  • 4篇焦世龙
  • 4篇冯欧
  • 4篇叶玉堂
  • 4篇邵凯
  • 4篇陈堂胜
  • 3篇陈雪兰
  • 3篇林川
  • 2篇郑惟彬
  • 2篇任春江
  • 2篇李拂晓
  • 2篇钱峰

传媒

  • 8篇固体电子学研...
  • 2篇半导体技术
  • 2篇全国第十二届...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2009
  • 10篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
4H-SiC MESFET工艺中的金属掩膜研究被引量：2
2008年
在4H-SiC MESFET微波功率器件制造技术中干法刻蚀是一个很重要的工艺,而对SiC外延片的RIE、ICP等干法刻蚀来说,有光刻胶、Ni、Al和NiSi化合物等多种掩膜方法,其中用光刻胶做掩膜时刻蚀形成的台阶角度缓,不垂直,而Ni、Al等金属掩膜在干法刻蚀后易形成接近垂直的台阶。通过对Ni、Al、NiSi化合物等多种金属掩膜的研究,得到了干法刻蚀台阶垂直且表面状况良好的Ni金属掩膜条件,最终成功制备出9mm SiC MESFET微波功率器件,在2GHz脉冲输出功率超过38W,功率增益9dB。
陈刚李哲洋陈征冯忠陈雪兰柏松
S波段SiC MESFET微波功率MMIC被引量：1
2008年
利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和MMIC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,采用微带技术以及全套的无源器件,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC。研制的SiC MMIC工作频段为S波段,在1.8~3.4GHz的频带内小信号增益大于12dB,漏电压为32V时带内脉冲输出功率超过5W。SiCMMIC小信号特性达到了设计预期,但输出功率低于设计值。这是由于受到MI M电容耐压能力的限制,SiC MMIC的工作电压比较低。
柏松陈刚冯忠钱峰陈征吴鹏任春江李哲洋郑惟彬蒋幼泉陈辰
关键词：金属半导体场效应晶体管微波功率单片微波集成电路
单片集成GaAsPIN／PHEMT光接收机前端工艺研究被引量：2
2008年
利用0.5μm GaAs PHEMT技术研究了适用于单片集成GaAs PIN/PHEMT光接收机前端的关键工艺,解决了台面工艺和PHEMT平面工艺的兼容性问题,包括不同浓度磷酸系腐蚀液对台面腐蚀均匀性的影响、台面与平面共有金属化工艺对光刻技术的要求。结果表明,工艺技术完全满足单片设计要求,研制得到的单片集成光接收机前端在输入1Gb/s和2.5Gb/s非归零(NRZ)伪随机二进制序列(PRBS)调制的光信号下得到较为清晰的输出眼图。
冯忠焦世龙冯欧杨立杰蒋幼泉陈堂胜陈辰叶玉堂
关键词：单片集成分布放大器光接收机眼图
S波段280W SiC内匹配脉冲功率管
2008年
柏松吴鹏陈刚冯忠李哲洋林川蒋幼泉陈辰邵凯
关键词：S波段功率管内匹配脉冲SIC微波功率器件
S波段280W SiC内匹配脉冲功率管
2008年
柏松吴鹏陈刚冯忠李哲洋林川蒋幼泉陈辰邵凯
关键词：内匹配脉冲功率SIC波段
S波段280W SiC内匹配脉冲功率管被引量：3
2008年
柏松吴鹏陈刚冯忠李哲洋林川蒋幼泉陈辰邵凯
关键词：S波段功率管SIC内匹配脉冲微波功率器件
5Gb/s GaAs MSM/PHEMT单片集成光接收机前端被引量：1
2006年
焦世龙陈堂胜蒋幼泉冯欧冯忠杨立杰李拂晓陈辰邵凯叶玉堂
关键词：单片集成PHEMTGAASMSM
大栅宽SiC MESFET器件的制造与研究
本论文针对S波段1mm、3.6mm、9mm、20mm多种大栅宽4H-SiC MESFET功率管的版图设计、制作工艺和微波性能进行研究及比较.采用半绝缘衬底的自主外延的SiC三层外延片,制作出单胞总栅宽1mm、3.6mm、...
陈刚蒋幼泉李哲洋张涛吴鹏冯忠汪浩陈征陈雪兰柏松
关键词：金属半导体场效应管微波技术宽禁带半导体
文献传递
4H-SiC功率MESFET台面光刻技术研究
本文详细描述了4H-SiC功率MESFET台面光刻技术,利用光刻胶阻挡离子束台面刻蚀,其工艺简单,重复性好,获得良好的4H-SiC刻蚀表面,有利于器件的性能提高.SiC的台面刻蚀需要较长时间,通常金属掩膜又会带来微管、缺...
冯忠王雯陈刚李哲洋柏松蒋幼泉
关键词：碳化硅
文献传递
S波段SiC MESFET微波功率MMIC
利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFE和MMIC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,采用微带技术以及全套的无源器件,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC。...
柏松陈刚冯忠钱峰陈征吴鹏任春江李哲洋郑惟彬蒋幼泉陈辰
关键词：金属半导体场效应晶体管微波功率单片微波集成电路
文献传递
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