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冯斌

作品数：5 被引量：45H指数：4
供职机构：重庆大学物理学院应用物理系更多>>
发文基金：国家自然科学基金教育部“春晖计划”更多>>
相关领域：理学电子电信化学工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇金刚石
  • 2篇金刚石薄膜
  • 2篇核化
  • 2篇刚石
  • 2篇CVD
  • 2篇衬底
  • 1篇氧化钛薄膜
  • 1篇溶胶-凝胶工...
  • 1篇锐钛矿
  • 1篇热灯丝
  • 1篇膜成核
  • 1篇金刚石膜
  • 1篇光催化
  • 1篇光催化氧化
  • 1篇硅衬底
  • 1篇核子
  • 1篇核子发射
  • 1篇二氧化钛薄膜
  • 1篇TIO_2薄...
  • 1篇XRD

机构

  • 5篇重庆大学

作者

  • 5篇冯斌
  • 4篇廖克俊
  • 4篇王万录
  • 3篇秦友兰
  • 1篇董玉峰
  • 1篇王银峰
  • 1篇方亮
  • 1篇郭忠诚
  • 1篇张智
  • 1篇王必本

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇重庆邮电学院...

年份

  • 1篇2002
  • 2篇1999
  • 2篇1998
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
光纤TiO_2薄膜的制备及理化特性研究被引量：12
2002年
用溶胶 凝胶法制得TiO2 ,通过提拉法在光纤上成膜。利用X射线衍射仪分析了TiO2 薄膜的物相 ,结果表明其物相是锐钛矿相。通过酸碱浸泡实验及附着性能测试 ,得到了具有较好抗腐蚀性及良好附着性。从理论上对光纤TiO2 薄膜光纤的光催化降解机理进行研究 ,结果表明其在处理污水方面具有可行性及优越性 ,并讨论其发展方向和所需的改进。
秦友兰冯斌王银峰
关键词：溶胶-凝胶工艺锐钛矿XRD光催化氧化二氧化钛薄膜
负偏压对M_0衬底上生长金刚石膜的影响被引量：4
1998年
研究用热灯丝化学气相沉积（ＨＦＣＶＤ）法在Ｍ０衬底上生长多晶金刚石膜。实验研究表明，负偏压对金刚石膜生长的影响十分显著，这是负偏压极大地影响了金刚石的核密度引起的，研究表明，来自金刚石的发射电子对气体分子的撞击，加速了ＣＨ４、Ｈ２分子离化，在衬底表面附近形成了一等离子体区。
冯斌廖克俊王万录秦友兰张智
关键词：CVD法金刚石膜
衬底负偏压热灯丝CVD金刚石薄膜在锥体上核化的研究被引量：2
1999年
以ＣＨ４ 和Ｈ２ 为反应混合气体，用衬底负偏压热灯丝ＣＶＤ法在Ｓｉ（１００）面上制备金刚石膜，使用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、Ｒａｍ ａｎ 谱和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对在硅尖上的金刚石核化进行了研究，并着重讨论了沉积在硅尖上的金刚石颗粒的生长机理。
郭忠诚王万录廖克俊董玉峰秦友兰冯斌
关键词：金刚石薄膜核化CVD热灯丝
负衬底偏压热灯丝CVD金刚石膜成核的研究被引量：14
1999年
本文利用扫描电子显微镜和原子力显微镜研究了Ｓｉ（１００）衬底上热灯丝金刚石膜成核过程。在－２４０Ｖ和２５０ｍＡ下，在镜面抛光的Ｓｉ（１００）衬底上金刚石最大成核密度超过了１０１０ｃｍ－２。研究表明，负衬底偏压增强成核主要是发射电子和离子轰击的结果。
王万录廖克俊方亮王必本冯斌
关键词：金刚石薄膜
负偏压热灯丝CVD金刚石膜核化和早期生长的研究被引量：20
1998年
利用扫描电子显微镜、Ｒａｍａｎ谱和Ｘ射线光电子能谱，研究了Ｓｉ衬底上热灯丝ＣＶＤ金刚石膜的核化和早期生长．在－３００Ｖ和１００ｍＡ条件下预处理１５ｍｉｎ，镜面抛光的Ｓｉ（１００）表面上金刚石核密度超过了１０９ｃｍ－２，但是核的分布极不均匀且可分为三个区域：Ａ区，边缘处以锥体为主；Ｂ区，位于边和中心之间过渡区是纳米金刚石；Ｃ区，中心处有ＳｉＣ层．无偏压下生长４ｈ后，Ａ区形成许多大而弧立的金刚石颗粒，Ｂ区成为织构金刚石膜，而Ｃ区变为含有大量缺陷的连续金刚石膜．衬底负偏压增强金刚石核化是由于离子轰击和发射电子同时作用的结果，离子流本身的不均匀导致核化的不均匀性．
廖克俊王万录冯斌
关键词：CVD金刚石核化硅衬底核化
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