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刘心莲

作品数：8 被引量：9H指数：2
供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
相关领域：电子电信环境科学与工程理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电荷耦合
  • 2篇电荷耦合器
  • 2篇电荷耦合器件
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇半导体
  • 2篇CCD
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇电路
  • 1篇电子束
  • 1篇电子束蒸发
  • 1篇动态范围
  • 1篇镀膜
  • 1篇镀膜机
  • 1篇多晶硅薄膜
  • 1篇多路传输器
  • 1篇性能分析
  • 1篇真空镀膜
  • 1篇真空镀膜机

机构

  • 6篇重庆光电技术...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇电子工业部

作者

  • 8篇刘心莲
  • 8篇程开富
  • 1篇李仁豪

传媒

  • 3篇电子工业专用...
  • 3篇四川真空
  • 1篇半导体情报
  • 1篇集成电路通讯

年份

  • 3篇2001
  • 3篇1997
  • 2篇1991
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
电子束蒸发技术被引量：6
1991年
本文介绍电子束蒸发的基本原理、关键技术以及一些典型应用实例。
程开富刘心莲
关键词：电子束镀膜
热壁 LPCVD 氮化硅薄膜的制备及其应用被引量：3
1997年
论述了热壁低压化学汽相淀积（ＬＰＣＶＤ）制备氮化硅薄膜的工艺过程。对氮化硅薄膜进行测试分析，用它作介质膜、钝化膜，并作出了多种性能良好的光电器件。
程开富刘心莲
关键词：热壁LPCVD氮化硅半导体薄膜技术
CCD多路开关组件的研制
1997年
采用三层多晶硅交迭栅三相埋沟结构，设计并研制成功了６０路ＣＣＤ多路开关动态范围≥５０ｄＢ，转移效率≥９９．９９％；非均匀性±５％；最小输入５ｍＶ；最大输入信号２Ｖ；输入积累时间１３４μｓ；串行移出时间２μｓ；输出幅度≥２Ｖ。文章阐述该器件的结构、工作原理、特点、用途、器件参数分析及影响器件因素和专项工艺研究。
程开富刘心莲
关键词：CCD多晶硅电荷耦合器件
红外CCD多路传输器的研制
1997年
成功地研制了八元线阵红外ＣＣＤ多路传输器。该器件为三相结构，采用埋沟和三层多晶硅技术。器件动态范围≥４５ｄＢ，转移效率≥９９．９９％，非均匀性±５％，信号输出幅度≥８００ｍＶ，每个输出信号时间为９６．６μｓ，驱动电压±１５Ｖ。
程开富刘心莲李仁豪
关键词：电荷耦合器件多路传输器红外CCD
HWPCVD多晶硅薄膜的制备及性能分析
2001年
介绍了热壁低压化学气相淀积（HWLPCVD）多晶硅簿膜的结构，电子，光学和腐蚀性能。
程开富刘心莲
关键词：多晶硅薄膜
国外真空蒸发自动化
1991年
本文介绍了国外真空蒸发自动化内容、蒸发设备自动控制典型方框图以及自动蒸发设备发展状况。
程开富刘心莲
关键词：半导体器件集成电路
真空镀膜机的X射线形成及其防护
2001年
本文仅对真空镀膜机产生的X射线的形成、对人体的危害、计算及其防护等进行简单的分析和计算。
程开富刘心莲
关键词：真空镀膜X射线电子束蒸发真空镀膜机辐射防护
埋沟道P沟CCD红外信号处理器件的研制
2001年
采用三相埋沟结构，研制成了2×64位埋沟道P沟CCD红外信号处理器件。该器件采用埋沟和三层多晶硅技术，其动态范围达到45dB，转移效率≥99．995％，工作频率≥3MHz。本文对该器件的工作原理，设计和制作工艺作了详细的介绍。
程开富刘心莲
关键词：动态范围
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