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刘轮才

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文基金：模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇基极
  • 1篇基极电流
  • 1篇集电极
  • 1篇集电极电流
  • 1篇辐照
  • 1篇Γ辐照
  • 1篇SIGE_H...
  • 1篇SIGEHB...

机构

  • 1篇四川大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇龚敏
  • 1篇杨晨
  • 1篇程兴华
  • 1篇王健安
  • 1篇石瑞英
  • 1篇刘轮才
  • 1篇蒲林
  • 1篇谭开州

传媒

  • 1篇四川大学学报...

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
γ辐照对SiGe HBT特性的影响被引量：2
2007年
对室温下γ射线辐照对SiGe异质双极晶体管(HBT)直流特性的影响进行了研究.结果表明,γ辐照后SiGe HBT的集电极电流和基极电流都有不同程度的增加,直流电流增益减少.并对γ辐照后引起SiGe HBT集电极电流净增加的原因进行了探讨.这可能有助于其抗辐照模型的建立.
杨晨刘轮才龚敏蒲林程兴华谭开州王健安石瑞英
关键词：SIGEHBT基极电流集电极电流Γ辐照
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