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刘金城

作品数:6 被引量:39H指数:2
供职机构:哈尔滨工业大学航天学院光电子技术研究所更多>>
相关领域:理学机械工程兵器科学与技术电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 6篇理学
  • 2篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 4篇二氧化钒
  • 3篇溅射
  • 3篇磁控
  • 2篇氧化钒
  • 2篇氧化钒薄膜
  • 2篇激光
  • 2篇激光防护
  • 2篇二氧化钒薄膜
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇信号增益
  • 1篇增益
  • 1篇折射率
  • 1篇三重态
  • 1篇探测器
  • 1篇武器
  • 1篇相变
  • 1篇相变温度
  • 1篇小信号
  • 1篇小信号增益
  • 1篇滤光片

机构

  • 6篇哈尔滨工业大...

作者

  • 6篇刘金城
  • 5篇王骐
  • 4篇田雪松
  • 2篇李连江
  • 2篇掌蕴东
  • 2篇袁萍
  • 2篇鲁建业
  • 1篇贾晓玲
  • 1篇董蕴华
  • 1篇马祖光
  • 1篇高惠德
  • 1篇刘伟

传媒

  • 2篇哈尔滨工业大...
  • 1篇光子学报
  • 1篇激光技术

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2003
  • 1篇2002
  • 1篇1999
  • 1篇1992
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
ZnSe基片上氧化钒薄膜的制备及热非线性吸收特性
ZnSe晶体在红外波段10.6μm附近透射率为70﹪,可作二氧化钒薄膜的基片应用于激光防护领域.VO2薄膜用磁控溅射法制备,针对薄膜与ZnSe结合不好的特点,先对基片进行特殊的清洗.制备时基片温度为450℃,氧氩流量比在...
田雪松刘金城李连江王骐
关键词:二氧化钒激光防护磁控溅射
磁控溅射法制备二氧化钒薄膜最佳参量的研究被引量:19
2003年
用X射线电子能谱仪 (XPS)对不同条件下用磁控溅射法制备的VO2 薄膜进行测试 ,得到VO2 薄膜内部组成成份的信息 .研究了获得高含量VO2 薄膜的最佳制备参量 .同时还观察到V2 O3、VO2 、V2 O5以接近含量共存的现象 ,这与以前研究所给出的薄膜几乎只由V2 O3、VO2 、V2 O5中的两种组成的结论有所不同 .
刘金城鲁建业田雪松掌蕴东袁萍贾晓玲王骐
关键词:二氧化钒薄膜功能材料激光武器
ZnSe基片上氧化钒薄膜的制备及热非线性吸收特性
ZnSe 晶体在红外波段10.6 μm 附近透射率为70%,可作二氧化钒薄膜的基片应用于激光防护领域。VO 薄膜用磁控溅射法制备,针对薄膜与 ZnSe 结合不好的特点,先对基片进行特殊的清洗。制备时基片温度为 450℃,...
田雪松刘金城李连江王骐
关键词:二氧化钒激光防护磁控溅射ZNSE
文献传递
Na_2第一三重态吸收系数及小信号增益系数测量被引量:1
1992年
本文报导了 Na_2第一三重态跃迁吸收系数和小信号增益系数的测量。在整个第一三重态跃迁区域内,小信号增益系数大于吸收系数,证实了产生激光振荡的可能。
王骐刘伟刘金城马祖光
关键词:增益三重态
负滤光片膜系讨论与修改被引量:2
1999年
阐述了实验室条件下修改理想负滤光片膜系的可行性采用新膜系镀制的光学器件满足了单态氧二聚物非线性效应实验研究的需要.修改后的负滤光片膜系用到三种介质材料:(TiO2+ZrO2)5:3混合料,ZrO2及SiO2,比理想负滤光片膜系所用材料减少一种,膜系由高级次修改为调谐比,不但保证了反射带宽度而且降低了膜层厚度.膜系最外层介质材料由SiO2替代MgF2提高了光学器件耐用性能.同时,本文对膜系进行了简化处理与计算通过估算和参数直接对比可清楚镀件的光谱特性.
刘金城董蕴华高惠德
关键词:膜系折射率光学器件
二氧化钒薄膜研究的最近进展被引量:18
2002年
VO2 在 6 8℃左右发生低温半导体态到高温金属态的相变 ,其电学和光学性质发生突变 ,在热、电开关和光存储介质方面有着广泛的应用 .然而钒和氧作用生成的薄膜是钒的各种价态的氧化物如VO、V2 O3、VO2 、V2 O5的混合体 ,要得到纯的VO2 很难 .人们做了很多工作来研究其电气化学的性质 ,并用了多种方法来镀制VO2 薄膜 .通过对VO2 一些有代表性的研究成果 ,从薄膜制备、降低相变温度以及VO2 应用前景等几个主要方面来介绍了VO2
刘金城鲁建业田雪松掌蕴东袁萍王骐
关键词:二氧化钒薄膜相变温度非制冷红外探测器
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