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刘鑫

作品数：45 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 44篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 18篇电路
  • 12篇探测电路
  • 10篇存储器
  • 8篇读写
  • 8篇反相器
  • 8篇放大器
  • 8篇SRAM
  • 7篇漏极
  • 7篇纠错
  • 6篇电压
  • 6篇抗辐射
  • 5篇信号
  • 5篇译码
  • 5篇源极
  • 5篇冗余
  • 4篇电路技术
  • 4篇噪声
  • 4篇冗余校验
  • 4篇灵敏放大器
  • 4篇晶体管

机构

  • 45篇中国科学院微...

作者

  • 45篇韩郑生
  • 45篇刘鑫
  • 45篇赵发展
  • 32篇刘梦新
  • 2篇罗家俊

传媒

  • 1篇电子设计工程

年份

  • 2篇2018
  • 12篇2017
  • 5篇2016
  • 9篇2015
  • 12篇2014
  • 5篇2013
共 45 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
辐射探测电路
本发明提供了一种辐射探测电路，包括：辐射敏感电流源单元，所述辐射敏感电流源单元包含至少一个辐射敏感PMOS管，用于感测待测辐射，从而产生随辐射量变化的参考电流；电流镜单元，用于复制辐射敏感电流源单元产生的参考电流；电压输...
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一种基于DICE结构的改进SRAM存储单元
本发明提供了一种基于DICE结构的改进SRAM存储单元，该单元包括以下结构：4个反相器结构，所述反相器结构由PMOS管和NMOS管串联形成，PMOS管漏极和NMOS管漏极之间作为存储节点，每个存储节点控制其它反相器结构的...
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一种灵敏放大器
本发明属于集成电路技术领域，公开了一种灵敏放大器，包括：钳位反相放大电路、预充电电路以及关断电路；所述预充电电路与所述钳位反相放大电路相连，用于对输出位线进行预充电；所述关断电路作为开关与所述与所述钳位反相放大电路的输出...
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一种SRAM存储器
本实用新型公开了一种SRAM存储器，包括：第一N型MOS管、第二N型MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五N型MOS管、第六N型MOS管、第一至第四P型MOS管;其中，第一N型MOS管与第一P型MOS管形成第一反相器...
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一种灵敏放大器
本发明属于集成电路技术领域，公开了一种灵敏放大器，包括：传输门电路、钳位放大电路以及预充电电路；所述传输门电路连接在所述钳位放大电路的输入端与所述输入信号之间；所述预充电电路连接在所述电源与所述钳位放大电路输出端之间，对...
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一种基于并行编码译码的循环汉明码的纠错方法
本发明涉及纠错方法技术领域，公开了一种基于并行编码译码的循环汉明码的纠错方法，包括：先分析传统的串行CRC编码电路的结构得到串行CRC编码电路的六个寄存器中的数据之间的递推关系式；再将递推关系式展开得到并行编码中校验位和...
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辐射探测电路
本发明提供了一种辐射探测电路，包括：差分放大器模块，包括共模支路和差模支路，共模支路和差模支路分别含有用于分别感测待测辐射的第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管，共模支路的共模输出与差模支路的差模输出的差反映所述待测辐...
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高可靠性SRAM中缩短汉明码EDAC电路的失效分析被引量：1
2014年
缩短汉明码及其改进码字被广泛使用在宇航级高可靠性存储器的差错检测与纠正电路中。作为一种成熟的纠正单个错误编码,其单字节内多位翻转导致缩短汉明码失效的研究却很少。这篇文章分析了单字节多位翻转导致缩短汉明码失效的情况,分析了各种可能的错误输出模式,并从理论上给出了其概率计算公式。采用Matlab软件进行的计算机模拟试验表明,理论结果与试验结果基本相符。这篇文章最后分析了ISSI公司在其抗辐射SRAM设计中采用的一种将较长信息位分成相等两部分,分别采用缩短汉明码进行编译码的方案。分析表明,这种编译码方案可以降低失效状态下输出3 bit翻转的概率。
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关键词：可靠性
（15，5）BCH码的编码电路设计方法
本发明提供一种(15,5)BCH码的编码电路设计方法，该编码电路设计方法包括：根据该(15,5)BCH码的生成多项式，构造串行编码电路；分别为串行编码电路中的每个寄存器，获得输入第i+1位信息位后其存储的冗余校验位与输入...
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抗辐射SRAM单元
本发明提供了一种改进的抗辐射SRAM存储单元，该单元包括：反相器结构，包括第一反相器结构、第二反相器结构、第三反相器结构、第四反相器结构，其中反相器结构由PMOS管和NMOS管串联形成，PMOS管漏极和NMOS管漏极之间...
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