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华林

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：华东师范大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 8篇锗化硅
  • 8篇双极型
  • 6篇增益
  • 6篇金属氧化物半...
  • 6篇互补金属氧化...
  • 5篇放大器
  • 4篇氧化物半导体
  • 4篇双极型器件
  • 4篇开关级
  • 4篇混频
  • 4篇混频器
  • 4篇半导体
  • 3篇低噪
  • 3篇低噪声
  • 3篇射频
  • 2篇电流镜
  • 2篇电路
  • 2篇电容
  • 2篇电压钳
  • 2篇上变频

机构

  • 11篇华东师范大学
  • 2篇上海集成电路...

作者

  • 11篇华林
  • 8篇陈磊
  • 8篇张书霖
  • 8篇刘盛富
  • 8篇赖宗声
  • 8篇张伟
  • 8篇苏杰
  • 8篇阮颖
  • 2篇陈磊
  • 2篇石春琦
  • 2篇严琼

年份

  • 1篇2013
  • 5篇2012
  • 5篇2011
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种锗化硅双极-互补金属氧化物半导体上变频混频器
本发明公开了一种锗化硅双极-互补金属氧化物半导体上变频混频器，该混频器具体电路包含了两个吉尔伯特双平衡单元结构，电路结构从上到下包括输出级，开关级，跨导级，电流源级；同时，电路还采用了电流注入方式，在最顶端有四个N型MO...
华林陈磊赖宗声石春琦张伟刘盛富张书霖苏杰胡少坚王勇赵宇航陈寿面
文献传递
一种射频绝缘体上硅互补金属氧化物半导体低噪声放大器
本发明公开了一种工作于中心频率为2.4GHz的基于部分耗尽绝缘体上硅互补型金属氧化物半导体工艺全片集成并带有静电防护的低噪声放大器。该放大器采用带源极负反馈共源共栅结构，电路中钳位二极管和电压钳位系统起到了良好的静电防护...
严琼陈磊赖宗声石春琦张书霖华林苏杰张伟刘盛富阮颖
UHF RFID单片集成阅读器芯片射频接收前端电路设计
超高频射频识别（UHF RFID）是一种通过阅读器和标签交换数据从而实现信息读取的技术。UHF RFID阅读器具有读写距离远、多标签识别速率快、抗干扰能力强等优点。本文以840-960MHz UHF RFID单片集成阅读...
华林
关键词：高线性度低噪声放大器
一种锗化硅双极-互补金属氧化物半导体AB类功率放大器
本发明公开了一种锗化硅双极-互补金属氧化物半导体AB类功率放大器，该放大器电路结构分为第一级预放大级和第二级功率放大级，其中第一级放大管用的是标准锗化硅双极型晶体管，第二级放大管用的是高压锗化硅双极型晶体管，以得到高的功...
张书霖陈磊赖宗声苏杰张伟华林刘盛富阮颖
一种可变增益低噪声驱动放大器
本发明公开了一种可变增益低噪声驱动放大器，该放大器采用全差分共源共栅结构，共栅级采用三个并排的锗化硅双极型晶体管，中间的锗化硅双极型晶体管采用并联电容反馈，采用合理的输入输出匹配电路，为电路提供一个高的可变增益，降低了噪...
刘盛富陈磊赖宗声张伟华林张书霖苏杰阮颖
一种改进型双吉尔伯特结构射频正交上混频器
本发明公开了一种改进型双吉尔伯特结构射频正交上混频器，该混频器包括跨导级、开关级和尾电流源电路。整体电路采取的是锗化硅双极-互补金属氧化物半导体工艺技术，结合了双极型器件和互补金属氧化物半导体两者的优点，能够有效地降低电...
张伟陈磊赖宗声华林刘盛富张书霖苏杰阮颖
文献传递
一种射频绝缘体上硅互补金属氧化物半导体低噪声放大器
本发明公开了一种工作于中心频率为2.4GHz的基于部分耗尽绝缘体上硅互补型金属氧化物半导体工艺全片集成并带有静电防护的低噪声放大器。该放大器采用带源极负反馈共源共栅结构，电路中钳位二极管和电压钳位系统起到了良好的静电防护...
严琼陈磊赖宗声石春琦张书霖华林苏杰张伟刘盛富阮颖
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一种可变增益低噪声驱动放大器
本发明公开了一种可变增益低噪声驱动放大器，该放大器采用全差分共源共栅结构，共栅级采用三个并排的锗化硅双极型晶体管，中间的锗化硅双极型晶体管采用并联电容反馈，采用合理的输入输出匹配电路，为电路提供一个高的可变增益，降低了噪...
刘盛富陈磊赖宗声张伟华林张书霖苏杰阮颖
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一种锗化硅双极-互补金属氧化物半导体AB类功率放大器
本发明公开了一种锗化硅双极-互补金属氧化物半导体AB类功率放大器，该放大器电路结构分为第一级预放大级和第二级功率放大级，其中第一级放大管用的是标准锗化硅双极型晶体管，第二级放大管用的是高压锗化硅双极型晶体管，以得到高的功...
张书霖陈磊赖宗声苏杰张伟华林刘盛富阮颖
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一种改进型双吉尔伯特结构射频正交上混频器
本发明公开了一种改进型双吉尔伯特结构射频正交上混频器，该混频器包括跨导级、开关级和尾电流源电路。整体电路采取的是锗化硅双极-互补金属氧化物半导体工艺技术，结合了双极型器件和互补金属氧化物半导体两者的优点，能够有效地降低电...
张伟陈磊赖宗声华林刘盛富张书霖苏杰阮颖
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