向少华
- 作品数：52 被引量：136H指数：6
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- 用腔场QED技术实现量子信息转移被引量：17
- 2005年
- 提出了一种量子信息转移方案 ,它是基于两个耦合的二能级原子同时与单模腔场发生大失谐相互作用实现的 .通过控制腔场与双原子的相互作用时间 ,量子信息可以从一个原子转移到另一个原子 ,或从单模腔场转移到双原子纠缠态上 ,而包含在欲转移量子态上的信息被完全檫除 .
- 向少华宋克慧
- 关键词：单模腔场量子信息QED大失谐原子纠缠态
- 薄透镜几何光学成像规律的波动学解释被引量：1
- 2010年
- 从光的波动学角度出发,利用波前相因子法和傅立叶分析法对薄透镜的成像规律进行了详细分析.分析结果表明,两种方法都能得出与几何成像完全相同的规律.
- 邓晓鹏向少华文伟
- 关键词：薄透镜几何光学成像
- 与腔场耦合的两个量子点中激子的纠缠动力学(英文)被引量：1
- 2006年
- 利用共生纠缠度研究了单模腔场内两个耦合量子点中激子的纠缠动力学行为.结果表明:无论腔场初始制备于奇相干态还是偶相干态,两个量子点间直接耦合作用均能减弱激子的纠缠度.在腔场初始为奇相干态时,激子的纠缠度随场模强度的增加而减小;偶相干态时,激子的纠缠度呈现一个转折变化.此外,也研究了单模腔场内平均光子数与激子准最大相干纠缠态的关联.
- 向少华宋克慧
- 关键词：量子点腔场共生纠缠度
- 双激励信号驱动下矩形波导内电场特性研究
- 2020年
- 基于电位叠加原理,研究双激励信号下矩形波导内的静电场问题.利用Matlab数学软件对矩形波导横截面内电位和电场进行仿真.结果表明:在不同的激励信号下,横截面内电位和电场展示了丰富的分布结构和对称性,但当波导有裂缝时,电位与电场的对称性遭到了严重的破坏.
- 向少华向少华程雪颖
- 关键词：矩形波导拉普拉斯方程静电场
- 具有在位势和力常数交错的一维双原子链晶格振动色散关系
- 2011年
- 在简谐近似下,求解了具有在位势和力常数交错的一维双原子链晶格振动的运动学方程.分析了在位势和力常数交错对晶格振动链声学支和光学支的影响.发现了在位势的存在使晶格链产生能隙,并且随在位势的增大,晶格振动频谱发生移动;当在一定的条件下,可使该晶格不存在声学模;交错力常数之比也能提升晶格振动频谱,尤其是对光学支的影响更为显著.
- 向少华邓晓鹏施振刚文伟
- 关键词：一维双原子链力常数
- 利用腔QED技术传送纠缠相干态
- 2003年
- 提出了一种基于腔QED技术实现纠缠相干态隐形传态的方案 ;方案中仅用到对单原子态和场态的局域测量 .
- 杨雄向少华宋克慧
- 关键词：腔QED技术纠缠相干态隐形传态
- 电子束辐照对Poly-SiO_2/Si结构平带电压的影响
- 2003年
- 利用剂量为 10 13 cm～ 10 16 cm- 2 ,能量为 0 .4Mev～ 1.8Mev的电子束辐照Poly -SiO2 Si结构 ,对辐照后样品进行了C -V特性曲线测试 .测试结果表明 ,高能电子束辐照Poly -SiO2 Si结构引起的MOS电容平带电压随辐照剂量、能量的增加而发生漂移 ,但其漂移量低于同一实验环境中干氧氧化生长的SiO2
- 向少华谢茂浓张明高
- 关键词：平带电压聚硅烷抛光硅片
- 一种电子设备组装机
- 本发明公开了一种电子设备组装机，包括组装机体和电子设备，所述组装机体通过连杆机器人、固定基部、安装机构和作业台组成，且基台的中央设有安装空间，安装空间上下两端设有连杆机器人和作业台，所述连杆机器人的底端铰接有安装机构，且...
- 李晓帆米贤武向少华向腊廖欣
- 文献传递
- 双量子点电荷比特的散粒噪声谱
- 2010年
- 考虑基底声子热库的耗散效应,推导了双量子点电荷比特的主方程,并利用全计数统计方法计算了双量子点电荷比特的平均电流和Fano因子.结果表明:声子热库的耗散引起平均电流关于其峰值的非对称分布和Fano因子双峰的非对称分布,并且随着声子热库温度T的升高,平均电流的非对称分布越强,Fano因子的峰值逐渐降低,直至超泊松分布行为消失.
- 施振刚文伟谌雄文向少华宋克慧
- 关键词：主方程散粒噪声
- 氧等离子体处理条件对聚硅烷制备SiO_2/Si结构平带电压的影响
- 2001年
- 氧等离子体处理高阻Ｐ型（１００）硅片上的聚硅烷涂层制备ＳｉＯ_２／Ｓｉ结构。其ＭＯＳ结构平带电压随氧等离子体处理时间、反应室气压、射频功率等条件的改变而变化，平带电压最小可达－０．５５～－０．８８Ｖ，比同一环境热氧化制备的ＳｉＯ_２／Ｓｉ结构平带电压小得多。
- 向少华谢茂浓张明高廖伟彭志坚傅鹤鉴
- 关键词：平带电压
