吕春华
- 作品数：3 被引量：5H指数：2
- 供职机构：浙江大学理学院微分析系统研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 高深宽比SU-8微结构的简易加工技术被引量：2
- 2006年
- 为了提高微驱动器的性能,提出了一种在氧化铟锡(ITO)玻璃上加工高深宽比SU-8微结构的方法.在导电玻璃的ITO层上涂覆一薄层AZ-4620正光胶,用常规的接触式曝光法,将光刻掩模上的二维图形转移到AZ-4620光胶层上,显影后利用ITO玻璃的导电性,在AZ-4620光胶曝光处电沉积镍,原掩膜图形可保真地转移到ITO玻璃表面的镍镀层上,使紫外光透过ITO玻璃基底进行反面曝光,从而保证了光刻掩模与SU-8光胶层间的完全接触,消除了厚光胶层表面不平在曝光时的散射和基片材料的反射影响,成功制备了深宽比为16、侧壁垂直度为89.5°的微结构.本方法使用设备简单,加工成本低.
- 吕春华殷学锋刘东元方肇伦
- 关键词：SU-8高深宽比微结构
- 高聚物微流控芯片镍阳模的简易加工技术被引量：3
- 2007年
- 提出了一种简便快速制作高聚物微流控芯片镍阳模的新方法。采用抛光镍片作为电铸基底,涂覆SU-8光胶层后,光刻得到SU-8微结构。以镍基片作为阳极,用16～30A/dm2的电流密度电解刻蚀5min,清除SU-8微结构间隙底部镍片表面的氧化物,并刻蚀得到10～20μm深的凹坑,有效地提高了随后电沉积镍结构和基底镍片间结合力。利用SU-8微结构作为电铸模板,以镍基片作为阴极,电铸5h后制得了微结构倾角为83°深宽比较大的镍阳模。实现了在普通化学实验室中长寿命镍阳模的制作。用热压法制得500多片聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)聚合物芯片,并成功用于DNA片段的分离。
- 吕春华殷学锋陆平
- 关键词：微流控芯片电铸SU-8光刻胶
- 用反面曝光法加工高深宽比SU-8微结构
- ＜正＞用LIGA和深度等离子刻蚀等方法可以制得高深宽比的阳模,但成本昂贵,在微流控芯片的研究阶段不够经济。SU-8负光胶已用于加工高深宽比微结构,但在涂覆光胶时,SU-8的高粘度使其很难得到表面平整的厚光胶层,使光刻的分...
- 吕春华殷学锋刘东元方肇伦
- 关键词：MICROFABRICATIONSU-8MICROSTRUCTUREMICROCHIP
- 文献传递
