孙剑
- 作品数：39 被引量：40H指数：4
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市科学技术发展基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术经济管理更多>>
- 添加阻挡层的杂质吸收近红外探测器及其制备方法和应用
- 本发明属于光电探测技术领域，具体为一种添加阻挡层的杂质吸收近红外探测器及其制备方法和应用。本发明的近红外探测器结构从上到下依次为：银栅线、正面电极、钝化层、掺杂硅衬底（P型或N型、平面硅或黑硅）、阻挡层、背面电极。本发明...
- 俞亮吴锂戴希远杨颜如孙剑陆明
- 室温下光伏型黑硅肖特基结红外探测器及其制备方法
- 本发明属于光电探测技术领域，具体为一种室温下光伏型黑硅肖特基结红外探测器及制备方法。本发明的红外探测器结构从上到下依次为：银栅线、正面电极、钝化层、正面黑硅层、硅衬底、背面黑硅层、金属层、N型硅（或P型硅）薄膜、背面电极...
- 吴锂孙剑陆明胡斐戴希远
- 文献传递
- ZnO/ZnSe纳米复合结构的制备及光学性质
- ZnO作为一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料,常温下具有大的带隙(3.37eV)和激子束缚能(60meV)、高的电声耦合系数,以及在极端条件下的工作能力,原料易得廉价,无毒无害、可生物降解,实为一种绿色环保材料。根据不同...
- 杨琴杨旭孙剑许宁吴嘉达
- 关键词：光发射光响应
- ECR等离子体辅助反应脉冲激光沉积化合物薄膜
- 冲激光沉积与ＥＣＲ微波放电等离子体结合，进行了制备化合物薄膜的初步尝试，合成沉积了氮化硅、氧化硅、氮化铝薄膜。采用俄歇电子能谱等方法进行了分析表征，结果表明这种方法可以用于多种化合物薄膜的制备。另外还就成膜的过程和机制进...
- 孙剑钟晓霞周筑颖
- 关键词：电子回旋共振脉冲激光沉积等离子体
- 考虑时序关键路径的布线后双重图案光刻层分配算法研究
- 作为第三次产业革命的一块重要基石，在过去的半个多世纪中，集成电路工业飞速发展。集成电路芯片集成度按照摩尔定律的预测不断提高，工艺节点持续下降，并且由于研究人员的不断努力，进入新世纪后这一趋势仍然得以保持。但是，由于电路特...
- 孙剑
- 关键词：集成电路可制造性设计
- 脉冲激光烧蚀沉积合成ZnSe纳米线及其光电特性研究
- ZnSe是一种宽带隙(2.7 eV)Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,可广泛应用于蓝绿光波段发光器件、光电探测器件、光波导器件、太阳能电池等光电器件。大容量高密度光通讯和信息处理技术发展的必然要求光源、光电探测器件、Q开关
- 许宁赖菊水沈轶群吴嘉达孙剑应质峰
- 一种肖特基结增强的体缺陷吸收近红外探测器及其制备方法
- 本发明属于光电探测技术领域，具体为一种肖特基结增强的体缺陷吸收近红外探测器及其制备方法。本发明的近红外探测器结构从上到下依次为：银栅线、正面电极、金属层、掺杂硅衬底(P型或N型、平面硅或黑硅)、钝化层、背面电极。本发明利...
- 吴锂俞亮戴希远杨颜如孙剑陆明
- HfO2薄膜的制备及其性质研究
- 我们知道,半导体材料HfO具有很大的禁带宽度,并且具有很宽的透过光谱、高的损伤阈值、好的热学稳定性及好的机械性能,使得其在光学上,尤其在激光应用上具有很大的实用价值。同时,它也具有较大且适中的介电常数、合理的与Si接触的...
- 唐文涛孙剑许宁应质峰吴嘉达
- 文献传递
- 用脉冲激光沉积方法制备氮化铝薄膜被引量：13
- 2001年
- 介绍了用脉冲激光沉积 (PLD)方法制备AlN薄膜的工作 ,在Si(10 0 )衬底上得到了光滑平整、透明度高的AlN薄膜 ,由实验结果拟合得到能隙宽度为 5 7eV。考察了衬底温度和退火温度的影响。
- 凌浩施维孙剑应质峰吴嘉达李富铭王康林丁训民
- 关键词：脉冲激光沉积氮化铝激光烧蚀
- 在硅衬底上制备无过渡层的金属氧化物薄膜的方法
- 本发明属材料制备领域，公开了一种在硅衬底上制备无过渡层的金属氧化物薄膜的方法，尤其是在硅衬底上制备不含SiO<Sub>x</Sub>过渡面层、界面良好的IVB族金属氧化物薄膜的方法。本发明方法以IVB族高纯金属和高纯氧气...
- 吴嘉达孙剑唐文涛干洁
- 文献传递
