孙庆玲
- 作品数：4 被引量：8H指数：2
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 瞬态高功率电磁脉冲源研究
- 近几十年来，作为一门新兴学科，由光子学与电子学相结合而产生的光电子学科有着巨大的发展。特别是超短激光脉冲技术与超快响应光电半导体材料技术的进步，使得大功率瞬态电磁脉冲发生系统及其开关技术获得空前的发展。产生超宽带电磁脉冲...
- 孙庆玲
- 关键词：光电子学
- 文献传递
- 瞬态阵列电磁脉冲同相合成特性研究被引量：3
- 2009年
- 根据电磁理论和光栅方程给出线源天线轴线能量的解析公式,得到波的矢量积分的最大值与阵元数目的平方成正比。并在不同实验条件下测试天线阵列在轴线方向的电场强度和能量密度,在实验误差范围内可以得出:电场强度与天线单元数成正比,能量密度与天线单元数的平方成正比。这说明瞬态阵列电磁脉冲可以很好地实现同相合成。
- 孙庆玲杨宏春阮成礼
- 关键词：天线阵列
- 线性GaAs光电导开关的饱和参数研究被引量：6
- 2008年
- 通过计算几种主要散射机制对GaAs迁移率和电导率的影响,给出了GaAs迁移率和电导率随载流子浓度的变化规律;考虑常温、低偏置电场下费米能级对载流子浓度的约束,给出了光激励下GaAs中的饱和载流子浓度;结合微带实验测试电路方程、饱和载流子浓度计算结果、半导体迁移率和电导率随载流子浓度的变化规律,以及半导体材料对激励光强的朗伯吸收规律,给出了微带测试电路条件下的饱和光能和饱和电压等参数,在实验误差范围内,理论计算结果与实验测试结果较好吻合.
- 杨宏春阮成礼孙庆玲张克迪张鹏程张达
- 关键词：散射机制电导率迁移率
- 瞬态阵列电磁脉冲同相合成特性研究
- 2008年
- 根据电磁理论和光栅方程给出线源天线能量辐射的解析公式,得到波的矢量积分的最大值与阵元数目的平方成正比。并在不同实验条件下测试天线阵列在轴向的电场强度和能量密度,在实验误差范围内可以得出,电场强度与天线单元数成正比,能量密度与天线单元数的平方成正比。这说明瞬态阵列电磁脉冲可以很好的实现同相合成。
- 孙庆玲杨宏春郑静蒋岳忱
- 关键词：天线阵
