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宋安飞

作品数：9 被引量：16H指数：3
供职机构：东南大学微电子中心更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 9篇电子电信

主题

  • 4篇晶体管
  • 4篇半导体
  • 3篇电路
  • 3篇金属-氧化物...
  • 3篇高温
  • 3篇半导体场效应...
  • 3篇场效应
  • 3篇场效应晶体管
  • 2篇倒相器
  • 2篇温度特性
  • 2篇MOS器件
  • 1篇倒相
  • 1篇导电
  • 1篇导电机理
  • 1篇动体
  • 1篇优化设计
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子迁移率
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇瞬态

机构

  • 9篇东南大学
  • 2篇中华人民共和...

作者

  • 9篇宋安飞
  • 6篇冯耀兰
  • 5篇张海鹏
  • 3篇魏同立
  • 2篇张正璠
  • 2篇樊路加
  • 2篇杨国勇
  • 1篇樊路嘉
  • 1篇罗岚
  • 1篇施雪捷

传媒

  • 4篇固体电子学研...
  • 3篇电子器件
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2003
  • 2篇2002
  • 6篇2001
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
宽温区高温体硅CMOS倒相器的优化设计被引量：5
2001年
在对体硅 CMOS倒相器直流特性、瞬态特性的高温模型和高温特性深入研究的基础上 ,提出了高温体硅 CMOS倒相器结构参数设计的考虑 ,给出了宽温区 (2 7～ 2 5 0℃ )体硅 CMOS倒相器优化设计的结果。模拟验证表明 ,所设计的体硅 CMOS倒相器在宽温区能满足下列电学参数设计指标 :输出高电平 Vo H>4 .95 V,输出低电平 Vo L<0 .0 5 V,转换电平 V*i (2 7℃ ) =2 .5 V,V*i(2 5 0℃ ) =2 .4 V,上升时间 tr(2 7℃ ) <110 ns,tr(2 5 0℃ ) <180 ns,下降时间 tf(2 7℃ ) <110 ns,tf(2 5 0℃ ) <16 0 ns。
冯耀兰魏同立张海鹏宋安飞罗岚
关键词：集成电路体硅优化设计
高温SOIMOS器件和电路的研究
该文深入研究了SOIMOS器件的物理特性和电学特性.分析了三种处于不同工作模式的SOIMOS器件(厚膜部分耗尽增强型器件、薄膜全耗尽增强型器件和薄膜全耗尽积累型器件)的导电机理.着重分析了薄膜全耗尽增强型和积累型SOIM...
宋安飞
关键词：高温金属-氧化物-半导体场效应晶体管
文献传递
薄膜全耗尽积累型SOIMOS器件在(27～300℃)宽温区高温特性的研究被引量：2
2002年
本文在对 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件导电机理和基本特性研究的基础上 ,进一步研究了实验样品在 (2 7～ 30 0℃ )宽温区高温特性 ,理论和实验研究结果表明 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件实验样品在 (2 7～ 30 0℃ )
冯耀兰樊路加宋安飞施雪捷张正璠
关键词：绝缘体上硅金属-氧化物-半导体MOS器件
一种自动体偏置多阈值电压高温SOI CMOS电路被引量：1
2001年
提出了一种高温 SOI CMOS电路设计方法—自动体偏置多阈值电压 SOI CMOS(简称 ABB－MT－ SOI CMOS： Auto－ Bulk－ Biased Multi－ Threshold SOI CMOS)电路。文中主要讨论了 ABB－MT－ SOI CMOS电路的结构与工作原理 ,设计与布局等，给出了内部电路电压和电流的模拟结果，并简述了该电路的应用前景。
张海鹏魏同立杨国勇冯耀兰宋安飞
关键词：高温
漂移区减薄的多沟道薄膜SOILIGBT的研究(Ⅰ)——低压截止态泄漏电流的温度特性被引量：4
2001年
提出了一种新结构薄膜 SOI L IGBT——漂移区减薄的多沟道薄膜 SOI LIGBT( DRT-MC TFSOI L IGB)。主要研究了其低压截止态泄漏电流在 4 2 3～ 573K范围的温度特性。指出 ,通过合理的设计可以使该种新器件具有很低的截止态高温泄漏电流 ,很高的截止态击穿电压 ,足够大的正向导通电流和足够低的正向导通压降。还指出 ,它不仅适用于高温低压应用 ,而且适用于高温高压应用。
张海鹏宋安飞杨国勇冯耀兰魏同立
关键词：横向绝缘栅双极晶体管泄漏电流漂移区LIGBT
TF SOI PMOSFET的导电机理及漏电流的二维解析模型被引量：1
2003年
从薄膜积累型 (TF AM) SOIPMOSFET的栅下硅膜物理状态随外加正栅压和漏压的变化出发 ,对其在 -5 .0 V背栅偏压下的导电机理进行了比较深入的理论分析 ,推导出了各种正栅压和漏压偏置条件下漏电流的二维解析模型 ,为高温 TF AM SOIPMOSFET和 CMOS数字电路的实验研究奠定了一定的理论基础 ,也为设计高温 SOI PMOSFET和 CMOS数字电路提供了一定的理论依据。
张海鹏魏同立宋安飞
关键词：SOIPMOSFET导电机理漏电流二维解析模型
硅体费米势在(300～600K)宽温区温度特性的研究
2001年
本文首先简要分析了 MOSFET阈值电压随温度的变化率 ,讨论了影响阈值电压温度特性的主要因素——体费米势的温度特性 ,最后给出了一种比较精确的线性拟合模型 。
杨国勇宋安飞冯耀兰
关键词：温度特性硅
宽温区MOSFET反型层载流子迁移率的模型和测定方法被引量：4
2001年
首先介绍了宽温区 (2 7～ 30 0°C) MOSFET的阈值电压、泄漏电流和漏源电流的特点以及载流子迁移率的高温模型 ;进而给出了室温下 MOSFET反型层载流子迁移率的测定方法 ,最后提出了利用线性区 I- V特性方程测定宽温区 MOSFET反型层载流子迁移率的方法 。
冯耀兰宋安飞张海鹏樊路加
关键词：金属-氧化物-半导体场效应晶体管载流子迁移率
高温SOICMOS倒相器瞬态特性的研究被引量：1
2002年
本文主要研究高温 SOI CMOS倒相器在 (2 7～ 30 0℃ )宽温区的瞬态特性。研究结果表明 :当采用 N+ PN+和P+ PP+ 结构薄膜 SOI MOSFET组合 ,并且其结构参数满足高温应用的要求 ,则 SOI CMOS倒相器实验样品在 (2 7～ 30 0℃ )
冯耀兰宋安飞樊路嘉张正璠
关键词：CMOS倒相器瞬态特性
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