宋登元
- 作品数：95 被引量：220H指数：7
- 供职机构：河北大学更多>>
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- 相关领域：电子电信电气工程医药卫生理学更多>>
- 蓝色波段发光和激光二极管的新进展被引量：1
- 1993年
- 文章在简要概述了几种适合制备短波长发光器件材料——SiC,GaN和ZnSe的晶体结构、掺杂性质及外延技术后,主要介绍了它们在制备蓝色波段发光和激光二极管的新进展。
- 宋登元
- 关键词：SICGAN发光二极管激光二极管
- 蓝色发光二极管的研究进展被引量：4
- 1998年
- 综述了制备蓝色发光二极管的材料及相应的薄膜生长、掺杂和欧姆接触技术的实验研究。介绍并讨论了ＳｉＣ、ＧａＮ和ＺｎＳｅ蓝色发光二极管的发展状况。
- 宋登元郭宝增
- 关键词：蓝色LED发光二极管化合物半导体
- 微结构量子器件被引量：1
- 1990年
- 微结构量子器件是八十年代中期伴随着微结构物理的发展而出现的一种新的半导体器件,这种器件以量子力学原理工作,具有常规“经典”器件无法比拟的优异特性。本文在简要介绍了微结构系统电子状态的基础上,较详细地描述了量子谐振隧道器件以及量子线和量子点激光器的基本原理、特点及其应用前景。
- 宋登元
- 关键词：微结构量子器件半导体器件
- 激光可编程门列阵技术
- 1994年
- 激光可编程门列阵技术宋登元（河北大学电子与信息工程系）专用集成电路（ＡＳＩＣ）是一种为特定用户或特定电子系统制作的集成电路。由于它具有功能强、可靠性高、保密性好等特点，还能很好地解决集成电路产业中通用与专用的矛盾、设计与制造技术分离的矛盾以及生产厂家...
- 宋登元
- 关键词：专用集成电路
- ZnO材料的电子输运特性被引量：7
- 2003年
- 用全带 Monte Carlo方法模拟了纤锌矿 Zn O材料电子的稳态和瞬态输运特性 .稳态输运特性包括稳态平均漂移速度 -电场特性、电子平均能量 -电场特性和在不同电场下电子按能量的分布 .在平均漂移速度 -电场特性中发现了微分负阻效应 .Zn O的瞬态输运特性包括平均漂移速度 -位移关系曲线、渡越时间 -位移关系曲线等 .在平均漂移速度 -位移关系曲线中发现了过冲现象 ,这种现象是电子从低能谷到高能谷跃迁过程中的弛豫时间产生的 .
- 郭宝增王永青宗晓萍孙荣霞宋登元Umberto RavaioliMaritin Staedele
- 关键词：MONTEZNO输运特性
- 分离太阳电池组件玻璃的方法
- 本发明提供了一种分离太阳电池组件玻璃的方法。该方法包括如下步骤：首先对刮刀刀刃进行预热，之后由传动机构带动太阳电池组件向前运行设定距离；接着使刮刀刀刃从太阳电池组件下方以斜向上方式切入太阳电池组件中，并使刮刀刀刃接触玻璃...
- 赖伟东董国义吴翠姑麻超李新娟宋登元
- 文献传递
- 少子寿命跟踪在异质结电池生产中的应用
- 2017年
- 异质结电池是量产的高效晶体硅太阳电池之一,开发简单有效的监控方案是规模化生产的前题.通过监测a-Si:H(i)/c-Si/a-Si:H(i),a-Si:H(p^+)/a-Si:H(i)/c-Si/a-Si:H(i)/a-Si:H(n^+),TCO/a-Si:H(p^+)/a-Si:H(i)/c-Si/aSi:H(i)/a-Si:H(n^+)三种异质结的有效少子寿命来监控太阳电池生产过程中各层薄膜的沉积质量,追踪电池性能,结果发现,各异质结的隐性开压(impliedVoc),赝填充因子(pFF)等在低于~2ms时,与寿命呈明显的正相关关系,而当少子寿命超过~2ms时,上述电参数变化很小,趋于饱和状态,最终的电池效率也遵循这一规律.这可以解释为硅材料在非平衡态下的费米能级之差随着表面复合的减少趋于极大值所致.研究表明,采用少子寿命跟踪的方法,可以判断非晶硅层的质量、透明氧化物薄膜沉积过程中对非晶硅的轰击损伤、分析和预测电池性能,同时可监控产线的稳定性和异常情况.
- 李锋史金超杨伟光于波宋登元于威
- 关键词：钝化异质结太阳电池
- 一种新的三维图象显示技术被引量：2
- 1998年
- 最近，一种不需要观看者配戴任何光学眼镜就能欣赏到三维立体图象的新技术引起了人们的关注。本文介绍了这种三维显示技术的基本工作原理、特点、应用领域及发展方向。
- 宋登元孙同文
- 关键词：显示器
- 激光直写加工技术-开发超大规模集成电路的有力工具被引量：2
- 1993年
- 本文描述了随着超大规模集成电路(VLSI)的迅速发展形成的激光直写(Laser dire-ct writing)加工技术的概况,基本原理及典型设备。讨论了激光直写薄膜沉积、腐蚀、烧蚀和掺杂技术,同时介绍了这种技术在提高VLSI成品率和研制速率方面的应用。
- 宋登元
- 关键词：集成电路LSI激光加工
- 快速热工艺(RTP)技术及其在VLSI制备中的应用
- 1990年
- 快速热工艺(RTP)是随着VLSI的迅速发展而发展起来的一项新型的快速半导体器件工艺。本文阐述了RTP技术的基本原理、主要工艺特点,以及在超薄栅介质膜的制备,超薄硅外延层的生长,离子注入后的退火和硅化物的形成等多种VLSI制备工艺中的应用。最后展望了RTP的前景和指出了尚待解决的问题。
- 宋登元
- 关键词：VLSIRIP
