张云芳
- 作品数：6 被引量：13H指数：2
- 供职机构：中南大学物理与电子学院更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- a-C:F薄膜的工艺及热稳定性研究被引量：4
- 2004年
- 以CF4和CH4为源气体,用PECVD法制备了不同沉积条件下的a C:F薄膜,测量了薄膜的厚度,研究了薄膜沉积速率和沉积工艺的关系,用傅立叶变换红外谱(FTIR)分析了薄膜的化学键结构,用扫描电镜和原子力显微镜分析了薄膜表面形貌,对薄膜在真空中进行了退火,研究了薄膜的热稳定性。实验表明,沉积速率在5～8nm/min之间,薄膜表面平整、致密,在300℃内有较好的热稳定性。
- 李幼真刘雄飞肖剑荣张云芳
- 关键词：PECVD沉积速率表面形貌
- PECVD法制备a-C：F：N薄膜的结构和稳定性研究
- 氟化非晶碳薄膜是用于超大规模集成电路的一种重要的低介电常数材料,作为电介质薄膜其热稳定温度必须达到平面工艺的温度要求/(400℃/),氟化非晶碳薄膜的低介电常数和高热稳定性之间存在一种相互制约关系,如何保证a-C∶F薄膜...
- 张云芳
- 关键词：PECVD热稳定性光学带隙
- 文献传递
- 射频功率对氟化非晶碳薄膜微观性能的影响被引量：1
- 2004年
- 以CH4和CF4的混合气体作源气体,利用等离子体增强型化学气相沉积法(PECVD),改变射频功率,制备了一批氟化非晶碳薄膜样品。用原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌,发现随着射频功率增大,薄膜均匀性变差,掩蔽效应作用加剧。FITR光谱分析表明:薄膜中主要含有CFx和C＝C键,较低功率下沉积的薄膜中主要含有CF2和CF3,较高功率下沉积的薄膜中主要含CF和CF2。Raman光谱分析发现在较高沉积功率下沉积的薄膜中出现了由sp2和sp3混合微晶结构。
- 刘雄飞高金定肖剑荣张云芳周昕
- 关键词：射频功率氟化非晶碳薄膜
- 射频功率对a-C:F薄膜沉积速率和结构的影响被引量：2
- 2004年
- 用射频等离子体增强型化学气相沉积法制备了a-C:F薄膜,并研究了射频功率对a-C:F薄膜沉积速率和结构的影响.用椭偏仪测量了薄膜的厚度,并用红外谱(FITR)结合Raman谱研究了其结构的变化.结果表明:薄膜沉积速率在10～14 nm/min之间,主要含有CFx和C=C键.随射频功率的升高,沉积速率先增大后减小,CF3的含量迅速减小,CF和CF2的含量略有增加,薄膜中r(F/C)呈下降的趋势.在较高功率下沉积的薄膜中出现了由sp2和sp3混合微晶结构.
- 刘雄飞高金定周昕肖剑荣张云芳
- 关键词：电子技术射频功率沉积速率
- 氟化非晶碳(a-C:F)薄膜的研究被引量：7
- 2003年
- 氟化非晶碳(a-C:F)薄膜是一种电、光学新材料。介绍了它的制备方法,对其制备工艺作了较全面的探讨;分析了该膜制备方法和工艺参数对薄膜组分及化学键结构的影响;研究了该膜的电学、光学、热学、力学等物理性质及其在相关方面的应用,并对该膜的物理性质与制备工艺参数的关联作了详细的论述;指出介电常数和热稳定性的矛盾是阻碍该膜实用化的主要原因。
- 刘雄飞肖剑荣李幼真张云芳
- 关键词：氟化非晶碳薄膜物理性质介电常数化学气相沉积CVD
- 低介电常数氟化非晶碳薄膜热稳定性的研究被引量：2
- 2005年
- 以CF4和CH4的混合气体为源气体,以Ar为工作气体,用射频等离子体增强化学气相沉积法(rf-PECVD)制备了氟化非晶碳(a-C:F)薄膜,并在Ar气氛中对不同温度下沉积的薄膜进行了退火处理,以考察其热稳定性.用椭偏仪测量了薄膜的厚度,比较了退火前后膜厚的变化;用傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)对薄膜进行了分析,发现当退火温度达到350℃时,位于2 900cm-1附近的三个吸收峰几乎全部消失,随着射频功率的增加,980 cm-1～1 350 cm-1范围内的CFx(x=1,2,3)峰向低频方向移动;用原子力显微镜(AFM)观察了不同沉积温度下和经不同退火温度处理后薄膜表面形貌的变化,发现随沉积温度的升高,薄膜表面变得均匀,退火后的薄膜表面比没有退火的薄膜表面平坦.
- 刘雄飞张云芳肖剑荣李幼真
- 关键词：RF-PECVD热稳定性
