张仁刚
- 作品数：27 被引量：52H指数：4
- 供职机构：武汉科技大学理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖北省教育厅科学技术研究项目冶金工业过程系统科学湖北省重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术文化科学更多>>
- 气相法制备ZnS薄膜材料研究进展
- 2013年
- 综述了近几年ZnS薄膜材料的气相沉积制备方法及其应用,主要讨论了真空蒸发、磁控溅射、脉冲激光沉积、分子束外延、金属有机物化学气相沉积、原子层沉积等制备方法的最新研究进展,指出了ZnS薄膜的各种气相沉积方法的优点和不足以及今后的发展趋势。
- 张仁刚卓雯陈克亮徐千山
- 关键词：ZNS薄膜气相沉积
- 硫化反应生长ZnS薄膜的结构和光学性能研究
- 2016年
- 以物理气相沉积中的溅射和蒸发方法,在玻璃衬底上沉积Zn/S/Zn三层膜结构,然后在1atm压力的Ar气氛中退火制备ZnS薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见透射光谱对ZnS薄膜的晶体结构和光学性质及其生长机理进行研究。结果表明,在450℃温度下退火时,三层膜结构中高活性Zn和S容易发生硫化反应,形成的ZnS薄膜为立方晶体结构,沿(111)晶面择优生长;其ZnS特征吸收边出现在350nm附近,在可见光波长范围内,ZnS薄膜具有约80%的透光率;在450℃温度下退火后再于550℃温度下退火,所制ZnS薄膜的结晶性得到进一步提高。
- 李英龙张仁刚宋力刚卓雯陈书真
- 关键词：ZNS薄膜溅射透光率晶体结构硫化反应
- 一种用于紫外可见分光光度计的小尺寸薄膜试样载物台
- 本实用新型提出了一种用于紫外可见分光光度计的小尺寸薄膜试样载物台，包括载玻片，所述载玻片上粘贴有双面胶，所述双面胶的另一面粘贴有玻璃基底，所述玻璃基底的另一面镀有薄膜试样，所述载玻片在玻璃基底之外区域粘贴遮光胶带。所述载...
- 刘宏玉贺臣陈扬党新志张仁刚王子璇刘傲敏
- 文献传递
- 硫化法制备ZnS薄膜的结构和光学性能研究
- 2013年
- 采用直流反应磁控溅射法，在玻璃衬底上沉积了ZnO薄膜，然后在H2S气氛和500℃温度下退火制备了六方ZnS薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）、UV-VIS分光光度计、扫描电子显微镜（sEM）对样品进行了表征。结果表明：ZnO经0．5h硫化就能全部生成ZnS，适当提高硫化时间可改善ZnS的结晶性，但硫化时间超过2h后，结晶性会有所降低；所有制得ZnS薄膜都沿c轴择优生长，其晶粒明显比ZnO更大。此外，这些ZnS薄膜在500～1100am波长范围内的光透过率均高达约75％，带隙为3．65～3．70eV。
- 张仁刚卓雯王登京陈克亮徐千山
- 关键词：半导体ZNS薄膜磁控溅射硫化
- 正电子湮没谱学研究半导体材料微观结构的应用进展被引量：3
- 2017年
- 正电子湮没谱学技术在研究材料微观缺陷、微观结构方面有着独特的优势,尤其是在针对阳离子空位等负电性空位型缺陷的研究中,可以获取材料内部微观缺陷的种类与分布的关键信息.正电子湮没寿命和多普勒展宽能谱是正电子湮没谱学的最基本的分析方法,在半导体材料的空位形成、演化机理以及分布等研究方面能够发挥独特的作用;此外,慢正电子束流技术在半导体薄膜材料的表面和多层膜材料的界面的微观结构和缺陷的深度分布的研究中有广泛的应用.通过正电子技术所得到的微观结构和缺陷、电子密度和动量分布等信息对研究半导体微观结构、优化半导体材料的工艺和性能等方面有着指导作用.本文综述了正电子湮没谱学技术在半导体材料方面的应用研究进展,主要围绕正电子研究平台在半导体材料微观缺陷研究中对材料的制备工艺、热处理、离子注入和辐照情况下,各种缺陷的微观结构的表征及其演化行为的研究成果展开论述.
- 曹兴忠宋力刚靳硕学张仁刚王宝义魏龙
- 关键词：半导体材料微观结构
- 不同参数溅射的ZnO薄膜硫化后的特性被引量：1
- 2005年
- 采用直流反应磁控溅射法在玻璃和石英衬底上沉积了ZnO薄膜 ,然后将它们在H2 S气流中硫化得到ZnS薄膜 .用x射线粉末衍射仪 (XRD)、扫描电子显微镜 (SEM)和UV VIS透过光谱对ZnS薄膜样品进行了分析 .结果表明 ,该ZnS薄膜为六角晶体结构 ,沿 (0 0 2 )晶面择优取向生长 ,其结晶状态和透过光谱与工作气压、Ar O2 流量比密切相关 .当气压高于 1Pa时 ,得到厚度很小的ZnS薄膜 ;而气压低于 1Pa时 ,沉积的ZnO薄膜则不能全部反应生成ZnS .另外 ,当Ar O2 流量比低于 4∶1或高于 4∶1时 ,结晶状态都会变差 .此外 ,由于ZnS薄膜具有高的沿 (0 0 2 )晶面择优取向的生长特性 ,使得退火或未退火ZnO薄膜硫化后的晶粒尺寸变化很小 .
- 张仁刚王宝义张辉马创新魏龙
- 关键词：硫化锌薄膜磁控溅射太阳电池
- 硫化温度对ZnS薄膜生长质量的影响被引量：2
- 2017年
- 采用热反应法对玻璃衬底上以磁控溅射制备的Zn薄膜进行硫化,制备出Zn S薄膜。薄膜的微观结构、物相结构和表面形貌分别采用正电子湮没技术(PAT)、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)进行分析和表征。利用慢正电子湮没多普勒展宽对四个不同硫化温度下得到的ZnS薄膜样品中膜层结构缺陷进行研究,测量了薄膜中的空位型微观缺陷的相对浓度,指出445℃硫化样品中正电子注入能量在1.5～4.5 keV后S参数最小,说明该硫化温度下反应生成的ZnS薄膜结构缺陷浓度最小,膜的致密度最高。XRD结果显示薄膜在445℃以上硫化后,呈(111)择优生长趋势。从扫描电镜的结果也可以看出,在445℃硫化后,薄膜的晶粒明显地变得更大、更致密,这是因为ZnS晶胞比Zn晶胞大以及硫化过程中ZnS固相再结晶的缘故。
- 宋力刚朱特曹兴忠张仁刚况鹏靳硕学张鹏龚毅豪王宝义
- 关键词：硫化锌薄膜磁控溅射硫化
- 本科生导师制实施现状调查:学生的角度——以武汉科技大学为例被引量：10
- 2016年
- 中国的本科生正经历着从精英教育到大众化教育的转变。为了保证教育质量,本科生导师制是一项重要举措。根据武汉科技大学近两年来的"全程综合导师制"实践,从学生的视角,选择典型专业班级和学生进行了问卷调查和个体面对面访谈,对导师制的了解、期望交流的方式方法、最希望得到的指导方面以及实施导师制效果、存在的主要问题进行了统计分析。并对监评激励机制、受限制因素、单双向结合选择及导师、辅导员、班主任三者关系展开了讨论。
- 刘宏玉朱磊覃宇戴凌骏马平均陈凯卢建夺张仁刚王登京侯阳来陈克亮
- 关键词：激励机制
- 低温硫化制备ZnS薄膜的物理性质研究
- 2020年
- 采用磁控溅射方法先在玻璃衬底上室温下沉积Zn金属薄膜,接着先后在200和400℃温度下的硫蒸气和氩气流中进行退火,生长出ZnS薄膜。薄膜样品的微观结构、物相结构、表面形貌和光学性质分别采用正电子湮没技术(PAT)、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见分光光度计进行表征。该ZnS薄膜在可见光范围具有约80%的高透光率,随着硫化时间的增加,其带隙由3.55增加到3.57eV,S/Zn原子比从0.54上升至0.89,薄膜质量明显得到改善,相对于以前报道的真空封装硫化所制备的ZnS薄膜,硫过量问题得到了较好解决。此外,慢正电子湮没多普勒展宽谱对硫化前后薄膜样品中膜层结构缺陷研究表明,硫化后薄膜的S参数明显增大,生成的ZnS薄膜结构缺陷浓度高于Zn薄膜。
- 杨光张仁刚陈书真柯进林曹兴忠张鹏于润升王宝义
- 关键词：ZNS薄膜磁控溅射低温硫化
- 半导体材料微结构的正电子湮没谱学研究
- 正电子湮没谱学技术在研究材料内微观缺陷、微观结构相较于其他谱学分析技术有着独特的优势，在研究阳离子空位等负电性空位型缺陷方面，可获取材料内部微观缺陷的种类与分布信息。正电子湮没寿命和多普勒展宽能谱在半导体材料内的空位缺陷...
- 曹兴忠宋力刚张仁刚王宝义魏龙
- 关键词：半导体微观结构
