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张文军

作品数：3 被引量：11H指数：2
供职机构：兰州大学物理系更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 2篇织构
  • 2篇金刚石
  • 2篇金刚石薄膜
  • 2篇刚石
  • 1篇等离子体化学...
  • 1篇电学
  • 1篇硼掺杂
  • 1篇气相沉积
  • 1篇微波等离子体
  • 1篇微波等离子体...
  • 1篇金刚石膜
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇和光
  • 1篇SI衬底
  • 1篇硼
  • 1篇CVD
  • 1篇掺杂
  • 1篇衬底
  • 1篇成核

机构

  • 3篇兰州大学

作者

  • 3篇陈光华
  • 3篇张文军
  • 2篇张仿清
  • 2篇韩立
  • 1篇谢二庆

传媒

  • 1篇科学通报
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1994
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
织构金刚石薄膜的成核与生长被引量：4
1996年
在加衬底偏压和不加衬底偏压两种情况下，用微波等离子体化学汽相沉积（Ｍ３ＶＣＶＤ）技术在Ｓｉ（１００）衬底上合成了织构的金刚石薄膜使用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和取向Ｘ射线衍射技术证实了我们得到的样品是织构的金刚石薄膜观察了织构的金刚石薄膜的成核和生长过程。
张文军韩立胡博涨仿清陈光华
关键词：金刚石CVD成核
硼掺杂及未掺杂金刚石薄膜的电学和光电导特性被引量：5
1995年
用热丝辅助化学气相沉积法合成了未掺杂及Ｂ掺杂金刚石薄膜，测量了退火前后的电流一电压和光电导特性．实验结果表明，Ｈ原子对未掺杂金刚石膜的电学和光电导特性有很大影响．对于掺杂样品，随着Ｂ含量的增高，Ｂ的作用更加明显，而Ｈ的作用降低．合成的金刚石膜中存在着各种缺陷态，其中包含陷阶型缺陷态，它影响着光电导饱和值的大小和弛豫时间的长短．经６００℃退火后，样品的结构、缺陷态的种类、数量都发生变化，并改变了金刚石膜的电学及光电导特性．
张仿清张文军胡博谢二庆陈光华
关键词：金刚石薄膜电学掺杂硼
用微波等离子体化学气相沉积(MWCVD)法在(100)Si衬底上沉积织构金刚石膜被引量：2
1994年
人工合成金刚石薄膜最重要的应用前景之一是有可能成为新一代高温、高频、大功率半导体器件的材料,但由于多晶金刚石膜中颗粒的晶向分布杂乱,而且存在大量的晶粒间界和缺陷,大大地影响了膜的质量,不可能用以制造高性能的电子器件,所以人们一直在致力于金刚石外延膜的研究.
张文军张仿清胡博韩立陈光华
关键词：金刚石气相沉积
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共1页<1>
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