张柯
- 作品数：2 被引量：4H指数：1
- 供职机构：江苏大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：化学工程更多>>
- 溶胶凝胶法制备NiO掺杂CaCu_3Ti_4O_(12)薄膜(英文)被引量：4
- 2013年
- 用溶胶凝胶法制备纯CaCu3Ti4O12(CCTO)薄膜以及NiO掺杂CaCu3-x Nix Ti4O12(CCNTO)薄膜(x=0.10、0.20、0.30),研究了掺杂NiO对CCTO介电性能以及微观结构的影响。通过AFM图片可以看出,掺杂NiO的CCTO薄膜的晶粒尺寸比不掺杂NiO的CCTO薄膜的晶粒尺寸小。当x=0.2时,CCNTO薄膜的漏电流最小,最小值为0.546 mA,同时具有最大阈值电压与最大非线性系数,最大值分别为81 V/mm和1.9。当Ni掺杂量达到一定程度时,CCNTO薄膜的介电常数就会增加,总体来说,随着Ni的掺杂量增加,CCNTO薄膜的介电损耗呈上升趋势。
- 徐东宋琪张柯徐红星杨永涛于仁红
- 关键词：钛酸铜钙溶胶-凝胶法电性能显微组织
- 溶胶-凝胶法制备Ni掺杂CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的显微组织及电性能(英文)
- 2012年
- 采用溶胶凝胶法制备掺杂不同含量NiO(CaCu3NixTi4O12+x,x=0, 0.1, 0.2, 0.3)的CCTO陶瓷,通过扫描电镜和 X 射线衍射对其显微组织和相成分进行了分析,并研究了NiO掺杂对CCTO介电和压敏性能的影响。研究结果表明:Ni对CCTO陶瓷的相位成分没有影响,与用传统固相法制得的样品相比,用溶胶-凝胶法制成的样品具有更小的晶粒尺寸。从介电测量结果来看,当 x=0.2 时,样品具有最高的介电常数和最低的介电损耗。当x=0.3时,得到最低的漏电流,最小值为 0.295,同时,具有最高的阀值电压与非线性系数,最大值分别为1326V/mm和3.1。
- 张成华张柯徐红星宋琪杨永涛于仁红徐东程晓农
- 关键词：钛酸铜钙溶胶-凝胶法记忆装置电性能显微组织
