张永平
- 作品数：20 被引量：59H指数：5
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学化学工程一般工业技术电子电信更多>>
- 超硬薄膜β-C_3N_4的制备和表征被引量：5
- 2000年
- 本文采用微波等离子体化学气相沉积 (MPCVD)法 ,用高纯氮气 (99.999% )和甲烷 (99.9% )作反应气体 ,在单晶硅和多晶铂基片上沉积 β -C3N4薄膜。X射线能谱 (EDX)分析了这种晶态C -N膜的化学成分 ,对不同样品的分析结果表明 ,N/C原子比在 1.1～ 2 .0范围内。X射线衍射结构分析结果与计算的α -和 β -C3N4单相X射线的峰位和强度相比较 ,说明它是α -和 β -C3N4的混合物。FT -IR和Raman谱支持C -N共价键的存在。薄膜的体弹性模量达到 349GPa。
- 张永平顾有松常香荣田中卓时东霞张秀芳袁磊
- 关键词：超硬薄膜MPCVD
- MPCVD制备β-C_3N_4薄膜的成分和结构研究
- 2000年
- M .L .Cohcn和A .Y .Liu利用半经验公式和第一性原理计算表明 ,如果C和N能够结合成类似于 β Si3 N4结构的化合物 β C3 N4,由于C N的键长比C C的键长短和键的离子性小 ,它的体弹性模量B约为 483GPa至 42 7GPa ,接近甚至超过金刚石的体弹性模量。这是人类第一次从理论上预言一种超硬性能的新材料 ,β C3 N4的实验合成不仅可以为人类提供一种全新的材料 ,而且能够进一步检验理论预言的正确性。本文采用微波等离子体化学气相沉积法 (MPCVD) ,用高纯氮气 ( 99.999% )和甲烷 ( 99.9% )作反应气体 ,在单晶Si( 1 0 0 )基片上沉积C3 N4薄膜。利用扫描电子显微镜 (SEM)观察薄膜形貌表明 ,薄膜由密排的六棱晶棒组成。X射线能谱 (EDX)分析了这种晶态C N膜的化学成分 ,对不同样品不同区域的分析结果表明 ,N/C比接近于 4/3。X射线衍射 (XRD)结构分析说明该膜主要由 β C3 N4和α C3 N4组成。利用XPS分析说明薄膜为C+ N-极性键结合 ,FT IR和Raman谱支持C N公价键的存在。
- 张永平顾有松常香荣田中卓时东霞张秀芳袁磊
- Si(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长被引量：7
- 2002年
- 用扫描隧道显微镜研究了Si(111) (7× 7)表面上Ge量子点的自组织生长 .室温下用固相外延法在硅基底上沉积亚单层的Ge ,然后在适当的温度下退火可以聚集形成有序的Ge量子点 .由于Ge在Si(111) (7× 7)表面选择性的吸附而形成有序的Ge量子点 .
- 张永平闫隆解思深庞世谨高鸿钧
- 关键词：锗扫描隧道显微镜自组织生长量子点
- MPCVD 合成 β-C_3N_4 晶态薄膜被引量：3
- 1999年
- 采用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ），以Ｎ２、ＣＨ４作为反应气体合成碳氮膜。通过控制反应温度、气体流量、微波功率、反应气压等工艺条件，在Ｓｉ和Ｐｔ基片上，进行β－Ｃ３Ｎ４晶态薄膜的合成研究。扫描电镜（ＳＥＭ）下观察到生长在Ｓｉ基底上的薄膜具有六角晶棒的密排结构。扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）下观察到在Ｐｔ基底上生长的碳氮薄膜由针状晶粒组成。ＥＤＸ分析表明，随沉积条件的不同，Ｓｉ基底上的氮碳薄膜中Ｎ／Ｃ在１．０到２．０之间；Ｐｔ基底上生长的碳氮薄膜Ｎ／Ｃ在０．８～１．３之间。Ｘ射线衍射分析（ＸＲＤ）发现薄膜中含有β－Ｃ３Ｎ４和α－Ｃ３Ｎ４。
- 时东霞马立平张秀芳袁磊顾有松张永平段振军常香荣田中卓
- 关键词：MPCVD晶态
- 材料研究中的逼近思想
- 1999年
- 通过材料研究中利用键参数函数选择铸铁变质剂的实际例证，说明了近代数学中逼近思想在材料科学研究中的应用。
- 姚书芳刑书明张永平张大辉许贵桥安钢徐雅荣
- 关键词：铸铁变质剂
- 基体温度对碳氮薄膜成分和结构的影响被引量：2
- 2000年
- 采用微波等离子体化学气相沉积法，Ｎ_２／ＣＨ_４作反应气体，在 Ｓｉ（１００）基体上沉积β－Ｃ_３Ｎ_４ 化合物．使用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了基体温度对碳氮薄膜的成分和结构的影响，结果 表明：随着温度的提高，Ｎ／Ｃ原子比迅速提高，ａ一和Ｃ_３Ｎ_４在薄膜中的比例随之提高，超过一定 的温度后，Ｎ／Ｃ原子比将会降低．傅立叶变换红外光谱（ＦＴ－ＩＲ）和喇曼（Ｒａｍａｎ）谱结果支持 Ｃ－Ｎ 键的存在．
- 张永平顾有松田中卓常香荣时东霞张秀芳
- 关键词：MPCVD碳氮薄膜
- 一维非线性周期系统定态解的性质
- 周期系统是物理学研究的焦点内容之一，例如晶格周期势场中电子的运动是固体物理学的基础。伴随实验技术的发展，最近涌现出一批新型的人工周期系统，比如光晶格中的超冷原子气，波导阵列和由光诱导的光子晶格，等等。这些系统除了都具有周...
- 张永平
- 关键词：光子晶格定态解
- C_3N_4硬膜的人工合成和鉴定被引量：12
- 1999年
- 用微波等离子体化学气相沉积法 (MPCVD)在硅和铂衬底上得到高质量的C3 N4薄膜 .计算了α C3 N4和β C3 N4单相X射线谱的峰位和强度 ,沉积膜的X射线谱具有两相的所有强峰 ,证明它是α 和β C3 N4的混合物 .总的N/C比在 1 0～ 2 0之间 .FT IR和Raman谱支持C—N共价键的存在 .体积弹性模量达到 34 9GPa .
- 顾有松张永平常香荣田中卓陈难先时东霞张秀芳袁磊
- 关键词：氮化碳MPCVD硬膜化学气相沉积
- 理论预言的氮化碳超硬膜研究新进展被引量：12
- 1999年
- β－Ｃ３Ｎ４的理论预言发表之后，经过广大科学工作者近１０年的努力，已经取得了一些重要进展．理论上对碳氮化合物的研究已经更为广泛和深入．实验合成方面也取得了长足的进展．文章作者在Ｓｉ、Ｐｔ等基底上初步合成了晶态的β－Ｃ３Ｎ４薄膜，实验分析表明，薄膜主要由α－或β－Ｃ３Ｎ４晶相组成，成分接近理论值，Ｎ／Ｃ原子比接近４／３。
- 顾有松张永平常香荣田中卓时东霞张秀芳袁磊
- 关键词：超硬材料氮化碳晶态
- 在Si(111)-(7×7)表面自组织生长二维Ge团簇超晶格被引量：2
- 2002年
- 利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下亚单层Ge在Si(111) (7× 7)表面上的自组织生长 .通过控制Ge的沉积量 ,在Si(111) (7× 7)表面上自组织生长成一种具有六重对称性的二维Ge团簇超晶格 .构成超晶格的Ge团簇均位于 (7× 7)亚单胞的位置上 ,而且它们的形状和大小基本保持一致 .
- 闫隆张永平彭毅萍庞世谨高鸿钧
- 关键词：扫描隧道显微镜STM半导体自组织生长硅衬底
