张永进
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：河北师范大学物理科学与信息工程学院河北省新型薄膜材料实验室更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金河北省教育厅科研基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺理学更多>>
- N掺杂SiO_2纳米薄膜的制备及其磁性
- 2010年
- 利用射频磁控反应溅射技术,制备了氮掺杂的SiO2纳米薄膜.发现N掺杂SiO2体系纳米薄膜具有铁磁性.较小的氮化硅颗粒均匀分布在氧化硅基质中有利于磁有序的形成.基底温度为400℃时,样品薄膜具有最大的饱和磁化强度和矫顽力,分别为35emu/cm3和75Oe.薄膜的磁性可能产生于氮化硅和氧化硅的界面.理论计算表明,N掺杂SiO2体系具有净自旋.同时,由氮化硅和氧化硅界面之间的电荷转移导致的轨道磁矩也会对样品的磁性有贡献.
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- 关键词：射频磁控反应溅射基底温度
- 电化学腐蚀多孔硅的发光特性被引量：1
- 2008年
- 采用直流电化学腐蚀的方法在不同电流密度下制备了多孔硅样品.用SEM,FTIR,PL谱研究了制备样品的结构和发光特性.结果表明,多孔硅样品的发光强度和峰位与电流密度存在密切关系,制备的多孔硅存在378,470,714 nm的光致发光,对这几个发光峰的发光机理进行了讨论.
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- 关键词：多孔硅电化学腐蚀光致发光量子限制效应
