张阳
- 作品数：2 被引量：8H指数：2
- 供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：浙江省自然科学基金国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- SiO_2/Si衬底制备ZnO薄膜及表征被引量：4
- 2005年
- 本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化p型硅衬底上生长ZnO外延薄膜。引入高阻非晶SiO2缓冲层,有效地降低了检测过程中单晶衬底对ZnO薄膜的电学性能影响。利用XRD,SEM,Hall和PL对其进行研究。结果表明,在衬底温度为500℃时,生长的ZnO薄膜具有优良的晶体质量,电学性能和发光性能。
- 曹亮亮叶志镇张阳朱丽萍张银珠徐伟中赵炳辉
- 关键词：ZNO薄膜SIO2/SI脉冲激光沉积光致发光
- 脉冲激光沉积法室温下ZnO薄膜的制备与表征被引量：4
- 2005年
- 在室温条件下,采用脉冲激光沉积技术在玻璃衬底上生长了ZnO薄膜。对薄膜的XRD分析表明,ZnO薄膜为六方纤锌矿结构并沿c轴取向生长,且(002)衍射峰的半高峰宽仅为0.24°。薄膜沿c轴方向受到一定的张应力为1.7×108N/m2。原子力显微镜分析表明薄膜表面较为平整,平均粗糙度约为6.5 nm,晶粒尺寸约为50 nm。此外,透射光谱分析表明薄膜的禁带宽度为3.25 eV,与ZnO体材料的禁带宽度3.30 eV基本相同。
- 曹亮亮叶志镇张阳朱丽萍张银珠诸葛飞赵炳辉
- 关键词：ZNO薄膜C轴取向室温脉冲激光沉积
