- SnO_2气敏薄膜的制作与性能研究被引量：2
- 2003年
- 采用射频溅射法制备了SnO2气敏薄膜,并在薄膜中掺杂Sb2O3和Pt用于气敏薄膜的增敏.使用XRD对制备的薄膜进行了结构分析,测量了薄膜的吸收光谱和电阻,并研究了薄膜工艺条件的改变对薄膜结构和性能的影响.结果表明,不同退火温度下处理的氧化锡薄膜均为金红石结构,退火温度对薄膜的晶粒尺寸和电阻有较大影响:退火温度愈高,薄膜中形成的晶粒越完整,晶化程度愈高;电阻率随着退火温度的升高而降低,考虑到气敏薄膜的敏感性能,本文选取1100℃为最佳退火温度.由于掺杂的影响,在氧化锡的禁带中产生了杂质能级,使薄膜对2722nm附近的红外光波产生了强烈吸收.
- 于国萍易涛魏正和曾志峰
- 关键词：制作方法射频溅射法退火温度金属氧化物半导体
- 亚波长选择性的全息移位复用系统
- 2007年
- 本文提出了利用光纤阵列（Rod lens array）实现全息移位复用的方法，实现最高移位选择性为0．37mm，低于记录使用的激光波长（0．532mm）。我们分别测量了不同宽度条件下的光纤阵列的选择性曲线，结果显示光纤阵列的宽度对选择性的影响不显著。光纤阵列和记录介质之间的距离对选择性的产生的影响很大。随着距离的增大，选择性呈线性衰减。当距离增大到7cm以上时候，在选择性曲线上开始出现明显的旁瓣（sidelobe），旁瓣是全息记录中引起串扰的主要因素。串扰会导致记录噪声增加，误码率上升，影响数据记录的质量。
- 易涛张家森龚旗煌
- 关键词：全息记录复用系统波长选择光纤阵列激光波长
