曹文彧
- 作品数：3 被引量：10H指数：1
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金全球变化研究国家重大科学研究计划北京市科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- InGaN/GaN多量子阱光谱特性与发光机制研究
- GaN基激光器(LD)和发光二极管(LED)在固态照明，宽带激光通讯，大容量光存储，激光电视等方面有巨大的市场需求和广泛的应用。GaN基半导体光电器件的研究是当今半导体产业发展的前沿领域和热点课题。InGaN/GaN多量...
- 曹文彧
- 关键词：多量子阱光谱特性发光机制半导体光电器件
- 不同In含量InGaN/GaN量子阱材料的变温PL谱被引量：10
- 2010年
- 通过对不同In含量的InGaN/GaN量子阱材料的变温光致发光(PL)谱进行实验分析,得出样品激活能和PL谱峰值能量随温度变化的S形曲线中拐点温度与In含量的关系。说明对于我们的样品,这种S形曲线并不是来源于量子限制Stark效应(QCSE),而是与量子阱中In团簇有关。对比结果表明,含In量越多的材料其局域的能量越大,由热扰动脱离局域所需要的温度越高。
- 邢兵曹文彧杜为民
- 关键词：INGAN激活能
- GaN基和GaAs基半导体激光器的电学特性研究
- 2013年
- 介绍了一种能够全面表征半导体二极管器件的电学特性的方法,此方法结合半导体二极管的正向交流特性和直流特性,称之为正向交流小信号法。利用该方法深入地研究和对比分析了GaN基和GaAs基半导体激光器的电学特性,包括表观电容、串联电阻和理想因子。实验结果表明,对于GaN基和GaAs基半导体激光器,其开始发光的过程同步于其电容由正转变为负的过程。进一步实验结果表明,GaN基半导体激光器比GaAs基半导体激光器具有更大的串联电阻和更大的理想因子。这是由于GaN基激光器的器件工艺不够完善以及外延生长的GaN材料具有很大的位错密度。该研究为提高和改善GaN基激光器的性能提供了必要的依据以及理论指导。
- 贺永发李丁曹文彧陈钊杨薇陈伟华胡晓东
- 关键词：GANGAAS半导体激光器电学特性
