您的位置： 专家智库 > >

曾春红

作品数：34 被引量：16H指数：2
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程重要方向项目国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术核科学技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 25篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 10篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇核科学技术
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 8篇电子迁移率
  • 8篇迁移率
  • 6篇探测器
  • 6篇晶体管
  • 6篇高电子迁移率
  • 6篇高电子迁移率...
  • 5篇等离子体
  • 5篇阵列
  • 5篇光刻
  • 5篇衬底
  • 4篇太赫兹
  • 4篇太赫兹波
  • 4篇纳米
  • 3篇电极
  • 3篇电子束
  • 3篇蝶形天线
  • 3篇天线
  • 3篇牺牲层
  • 3篇刻蚀
  • 3篇击穿电压

机构

  • 34篇中国科学院
  • 2篇南京理工大学
  • 1篇桂林电子科技...
  • 1篇北京工业大学
  • 1篇杭州电子科技...
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 34篇曾春红
  • 32篇张宝顺
  • 9篇林文魁
  • 6篇孙建东
  • 6篇秦华
  • 6篇孙云飞
  • 6篇孙玉华
  • 5篇李晓伟
  • 5篇王逸群
  • 4篇付凯
  • 4篇吴东岷
  • 4篇董志华
  • 4篇曾中明
  • 4篇于国浩
  • 4篇周宇
  • 4篇俞骁
  • 4篇时文华
  • 3篇李海军
  • 2篇董艳
  • 2篇王越

传媒

  • 3篇微纳电子技术
  • 1篇半导体技术
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇第十七届全国...
  • 1篇2013‘全...
  • 1篇2010(第...

年份

  • 4篇2023
  • 4篇2022
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 4篇2017
  • 4篇2016
  • 2篇2013
  • 6篇2012
  • 3篇2011
  • 3篇2010
共 34 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种楔形硅结构阵列的制作方法
本发明公开一种楔形硅结构阵列的制作方法，包括步骤：A)在衬底上键合形成预定厚度的硅层；B)在所述预定厚度的硅层上形成多个掩膜条；C)将所述硅层的未被所述掩膜条覆盖的部分去除，其中，所述硅层的被所述掩膜条覆盖的部分的截面形...
俞骁曾春红张宝顺
文献传递
在SiC衬底上生长III族氮化物薄膜的方法及应用
本发明公开了一种在SiC衬底上生长III族氮化物薄膜的方法及应用。所述方法包括：采用NH<Sub>3</Sub>对SiC衬底进行预处理，预处理使SiC衬底表面的晶格台阶间距变大；在经过预处理的SiC衬底表面生长III族氮...
邓旭光张宝顺董晟园曾春红曾中明
倒装薄膜太阳能电池的制作方法
本发明揭示了一种倒装薄膜太阳能电池的制备方法，在半导体的第一衬底上沉积牺牲层，在牺牲层上生长太阳能电池外延层；然后在外延层的表面和第二衬底的表面分别制备键合/粘附结构层，通过键合方式/粘合方式贴附在一起；最后选择性去除牺...
王荣新李晓伟曾春红张宝顺杨辉
文献传递
用于红外测试中的承载装置
本发明公开一种用于红外测试中的承载装置，包括：承载组件，包括用于承载待测试的样品的斜面及遮光板，其中，所述遮光板上设置有通孔，所述待测的样品接收来自所述通孔的光；挡光组件，邻近于所述通孔设置，用于改变所述通孔的通光面积；...
付凯高华杰熊敏李海军曾春红张宝顺
文献传递
MOSFET器件及其制作方法
本发明公开了一种MOSFET器件及其制作方法。MOSFET器件包括器件结构层以及与所述器件结构层匹配的源极、漏极和栅极，所述器件结构层包括漂移区、沿第一方向依次层叠设置在所述漂移区的第一区域上的基区、欧姆接触区以及沿第一...
曾春红江磊枫孙玉华崔奇董志华张宝顺曾中明
自供电光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种自供电光电探测器及其制备方法。所述自供电光电探测器包括：沿第一方向依次设置的第一电极、p‑n结结构和第二电极，所述p‑n结结构包括至少一p‑n结，所述p‑n结由至少一第一纳米线和至少一第二纳米线配合形成，...
马永健张晓东唐文博曾春红张宝顺
AlGaN/GaN HEMT漂移区动态电阻分析
AlGaN/GaN HEMT适合应用于高压大功率器件,但在高电压动态使用时,存在导通电阻增加的现象.目前可以有效降低动态导通电阻的方法有:场板结构和AlN介质层等.本论文采用叠层双栅结构AlGaN/GaN HEMT器件,...
于国浩蔡勇王越赵德胜曾春红侯克玉董志华张宝顺
关键词：高电子迁移率晶体管氮化镓动态电阻
文献传递
一种锥形栅MOSFET器件结构及其制作方法
本发明公开了一种锥形栅MOSFET器件结构及其制作方法。所述器件结构包括设置在衬底上的器件结构层，以及与所述器件结构层配合的源极、漏极和栅极，并且所述器件结构层上还形成有与所述栅极配合的凹槽；其中，所述凹槽包括第一部分和...
刘辉曾春红董志华张宝顺孙玉华崔奇
绝缘体的硅材料上加工极限纳米图形的电子束曝光方法
本发明公开了一种绝缘体的硅材料(SOI)上加工极限纳米图形的电子束曝光方法，其特征步骤依次包括：对SOI背面的底层Si进行厚度削减及抛光；对SOI正反面的顶层Si及底层Si表面覆盖刻蚀阻挡层；对底层Si进行光刻或结合刻蚀...
时文华王逸群曾春红张宝顺
文献传递
室温太赫兹波探测器
本发明涉及一种室温太赫兹波探测器，以高电子迁移率晶体管为基本结构，且还包括能够有效耦合太赫兹波的天线，天线与高电子迁移率晶体管集成设置，但与高电子迁移率晶体管的源极和漏极彼此独立。进一步的讲，前述源极和漏极之间设有一对蝶...
孙建东孙云飞曾春红秦华张宝顺
文献传递
全选 清除 导出
共4页<1234>
聚类工具0