朱宏亮
- 作品数：8 被引量：10H指数：1
- 供职机构：天津大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：教育部重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术化学工程建筑科学电气工程更多>>
- 低温烧结PZT–0.5%PbO·WO_3压电陶瓷被引量：9
- 2006年
- 以固态氧化物为原料,采用一次合成工艺制备锆钛酸铅(leadzirconatetitanate,PZT)–0.5%PbOWO3压电陶瓷,研究摩尔比n(Zr)/n(Ti)、烧结温度对陶瓷性能的影响。结果发现:合成温度900℃保温2h可以得到钙钛矿结构压电陶瓷。n(Zr)/n(Ti)=1.08时,烧结温度为1100℃保温2h,压电陶瓷的综合性能在准同型相界处达最佳:介电常数ε3T3/ε0=1593,介电损耗tg?=0.019,压电系数d33=363.5×10-6C/N,机电耦合系数Kp=0.596,机械品质因数Qm=88.4。
- 朱宏亮孙清池刘海燕李建华
- 关键词：压电陶瓷三氧化钨电性能
- 掺杂PbO-WO3含量对PZT性能的影响
- 本文为了能在降低PZT烧结温度的同时,提高其介电和压电性能,研究了不同含量PbO-WO3掺杂对PZT性能的影响.不同组成的试样在1100℃烧成,测试结果表明:当PbO-WO3的含量为0.5﹪(摩尔分数,下同)时,晶粒致密...
- 朱宏亮孙清池陆翠敏李婧
- 关键词：压电陶瓷电性能
- 低温烧结PZT-PbO•WO3压电陶瓷性能研究
- 朱宏亮
- 关键词：压电陶瓷准同型相界电性能
- 低温烧结PZT-PbO·WO/_3压电陶瓷性能研究
- 为了降低PZT压电陶瓷的烧结温度,同时提高其综合性能,本论文以固态氧化物为原料,通过添加具有改性作用的低熔点化合物PbO·WO/_3,采用一次合成工艺制备PZT-PbO·WO/_3压电陶瓷。陶瓷材料在较低温度下实现液相烧...
- 朱宏亮
- 关键词：压电陶瓷准同型相界电性能
- 文献传递
- 掺杂PbO-WO3含量对PZT性能的影响
- 2005年
- 为了能在降低PZT烧结温度的同时,提高其介电和压电性能,研究了不同含量PbO-WO3掺杂对PZT性能的影响.不同组成的试样在1100℃烧成,测试结果表明:当PbO-WO3的含量为0.5%(摩尔分数,下同)时,晶粒致密均匀,为液相烧结;电性能在此处最佳:ε33T/ε0=1227,d33=230 pC/N,Kp=0.437,Qm=1082,tanδ=0.017;随着含量的增加,居里温度降低.
- 朱宏亮孙清池陆翠敏李婧
- 关键词：压电陶瓷电性能
- 铬掺杂PMS-PZT压电材料的研究
- 2005年
- 采用固相法制备铬掺杂PMSZT压电陶瓷,研究了在不同烧结温度下铬掺杂Pb1.04(Mn1/3Sb2/3)0 05ZrxTi0.95-xO3+z%(质量分数)Cr2O3陶瓷的介电和压电性能,分析讨论了Cr2O3掺杂量以及烧结温度与相组成,显微结构和电性能的关系.结果表明,Cr2O3掺杂0.6%(质量分数),烧结温度1260℃时,PMSZT压电陶瓷的居里温度最低且电性能优良,ε33T/ε0=1650,tan δ=0.006,d33=328pC/N,Kp=0.63,Qm=2300.
- 孙清池陆翠敏徐明霞朱宏亮
- 关键词：PMSZT压电陶瓷相组成显微结构电性能
- 铬掺杂PMS-PZT压电材料的研究
- 本文采用固相法制备铬掺杂PMSZT压电陶瓷,研究了在不同烧结温度下铬掺杂Pb1.04(Mn1/3Sb2/3)005ZrxTi0.95-xO3+z﹪(质量分数)Cr2O3陶瓷的介电和压电性能,分析讨论了Cr2O3掺杂量以及...
- 孙清池陆翠敏徐明霞朱宏亮
- 关键词：压电陶瓷相组成显微结构电性能
- 锆含量对PZT-0.5%PbO·WO3压电陶瓷性能的影响
- 以固态氧化物为原料,采用一次合成工艺制备PZT-0.5%PbO WO压电陶瓷。研究在1110℃烧结温度下改变Zr/Ti比对陶瓷性能的影响。结果发现:合成温度900℃保温2h,可以得到钙钛矿结构。Zr/Ti为1.08时,其...
- 朱宏亮孙清池陆翠敏刘海燕
- 关键词：压电陶瓷电性能
- 文献传递
