杜俊霖
- 作品数：27 被引量：24H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电气工程金属学及工艺一般工业技术动力工程及工程热物理更多>>
- 钒基储氢合金的研究进展被引量：18
- 2015年
- 钒基固溶体储氢合金具有高的储氢密度,并且室温下可以吸放氢,具有良好的动力学性能,因此被认为是最有潜力的车载储氢材料之一。介绍了金属钒吸放氢特性,概述了钒基储氢合金的研究进展,就近年来改善钒基储氢合金性能的方法进行了总结,并对钒基储氢合金的稳定性及应用成本等问题进行了探讨。最后,对钒基储氢合金亟待解决的问题及发展方向进行了展望。
- 李朵娄豫皖杜俊霖蒲朝辉黄铁生李志林吴铸李重河
- 关键词：合金化
- 表面具有凹槽的单晶硅片、异质结太阳电池及制备方法
- 本发明提供一种表面具有凹槽的单晶硅片、异质结太阳电池及制备方法。硅片的正面和背面均设有凹槽，凹槽的深度为5‑50μm，凹槽的宽度为10‑100μm，凹槽的内部形貌包括台阶状和金字塔状中的一种或两种，凹槽外的单晶硅片表面形...
- 杜俊霖韩安军刘正新孟凡英张丽平石建华
- 文献传递
- 铁取代部分铬对TiVCrMn合金储氢性能的影响被引量：2
- 2009年
- 38Ti-30V-18Mn-14Cr合金具有比较大的吸氢量,但是其放氢平台太低,尤其是有效放氢量太少。Fe有利于合金放氢平台提高,所以本文研究了Fe取代部分Cr对该合金的吸/放氢性能的影响。X射线衍射(XRD)分析表明,随Fe取代Cr的量的增加,合金的相组成经由单一的体心立方(bcc)相逐渐转变为bcc与Laves两相共存,合金bcc相的晶格常数和晶胞体积减小。吸放氢性能曲线表明,Fe取代Cr后合金的最大吸氢量降低,但是合金的放氢平台显著升高,合金的有效放氢量增大。对于38Ti-30V-18Mn-10Cr-4Fe合金,在298K吸氢、353K放氢的条件下,有效放氢量达到最大为1.51%。
- 孔祥成吴铸杜俊霖夏广林倪君
- 关键词：储氢合金
- 一种太阳电池的制备方法以及由此得到的太阳电池
- 本发明涉及一种太阳电池的制备方法，包括如下步骤：S1，分别提供金属化复合膜和太阳电池芯片，其中，在铜丝上包覆低温合金以得到导电细丝，然后通过复合膜支撑导电细丝来得到金属化复合膜，其中，太阳电池芯片具有导电层；S2，将金属...
- 石建华孟凡英张丽平韩安军杜俊霖刘正新
- 文献传递
- 一种可控含镁储氢合金制备方法
- 本发明为一种可控含镁储氢合金制备方法，其特征在于所述的方法包括含镁储氢合金的配料，镁的包覆以及感应熔炼，本发明解决了储氢合金中像镁一类的低熔点金属与高熔点金属熔炼过程中的加入问题，特别是在控制镁的烧损、挥发方面效果明显。...
- 蒲朝辉杜俊霖王润博娄豫皖许小鸥吴铸李志林
- 文献传递
- 一种光调制化学气相沉积装置以及利用其调制薄膜生长温度的方法
- 本发明涉及一种光调制化学气相沉积装置，腔室为反应气体提供密闭空间，衬底为设置于腔室内的透明或半透明衬底，辉光发生触发源设置于腔室内的衬底的前方并作用于反应气体使其产生辉光以在衬底的面向辉光发生触发源的表面沉积功能薄膜，光...
- 张丽平刘文柱刘正新李振飞杜俊霖
- 一种边缘抛光的单晶制绒硅片、太阳电池及制备方法
- 本发明涉及一种边缘抛光的单晶制绒硅片、太阳电池及制备方法。该单晶制绒硅片正面和背面的边缘区域以及硅片的侧面区域不具有金字塔绒面结构，除所述边缘区域和侧面区域以外的其它区域具有金字塔绒面结构。该单晶制绒硅片制备方法包括：腐...
- 杜俊霖刘正新刘文柱石建华韩安军
- 一种硅异质结太阳电池及其制备方法
- 本发明涉及一种硅异质结太阳电池，本征硅基薄膜钝化层覆盖在晶体硅衬底上，p型掺杂型硅基薄膜钝化层沉积在本征硅基薄膜钝化层上，本征硅基薄膜钝化层和p型掺杂型硅基薄膜钝化层之间具有隧道传输层，该隧道传输层为疏松多孔的、带隙介于...
- 张丽平周一诺刘文柱李振飞杜俊霖刘正新
- 高温固相法制备高温锂电池用LiCr_3O_8
- 2016年
- 分析不同烧结温度下制备的亚铬酸锂（LiCr_3O_8）的高温热稳定性及与低共熔硝酸盐的化学相容性;测试与Li-Mg-B合金组成的电池在不同温度和电流密度下的电化学性能。LiCr_3O_8的高温热稳定性以及与低共熔硝酸盐的高温相容性良好,有望用作高温锂电池正极材料;提高放电温度可提高材料的反应活性,但会加剧电池的自放电。在350℃下烧结制备的样品,在放电过程中表现出最低的电池内阻,更适合于200-300℃范围内工作的锂电池正极材料。
- 苗会敏吴铸杜俊霖夏保佳
- 关键词：锂电池正极材料热稳定性
- 一种柔性单晶硅片和柔性太阳电池及其制备方法
- 本发明涉及一种柔性单晶硅片和柔性太阳电池及其制备方法。该制备方法包括：将单晶硅片制绒、清洗，在单晶硅片表面和背面制作金字塔减反射结构；利用等离子体刻蚀对单晶硅片的侧面以及边缘部分的正面和背面的金字塔、菱角、突刺和凹槽的峰...
- 刘正新刘文柱石建华杜俊霖韩安军孟凡英张丽平
