杨莉
- 作品数：4 被引量：14H指数：3
- 供职机构：山东建筑工程学院更多>>
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术化学工程更多>>
- 掺杂Fe^(3+)对钛酸锶氧敏薄膜电阻的影响被引量：4
- 2003年
- 利用溶胶—凝胶的方法制备钛酸锶氧敏薄膜 ,掺杂不同含量的铁离子 ,测试在不同氧分压、温度下薄膜的电阻。所得到的结果和镁离子的掺杂一样 ,可以改善阻温特性 ,降低薄膜电阻。铁离子的摩尔分数在 2 0 %～ 2 5 %之间时 ,薄膜电阻在一定的温度区间内降低 ,表现出较好的氧敏特性 ,在该区间内阻温特性很好 。
- 杨莉郭森
- 关键词：铁掺杂氧敏材料电阻
- Fe^(3+)对钛酸锶稀薄燃烧氧敏薄膜电阻的影响被引量：6
- 2003年
- 利用溶胶-凝胶的方法制备钛酸锶氧敏薄膜,掺杂不同含量的铁离子,并测试了不同氧分压、温度下薄膜的电阻。发现铁离子的含量在20mol%～25mol%之间时,掺杂对钛酸锶电阻的降低有明显的影响,含铁在20%和25%的钛酸锶在600～800℃之间电阻的变化趋近为零,铁的含量大于25%或小于20%薄膜没有出现这种现象。
- 杨莉杨德安徐廷献刘书亮
- 关键词：钛酸锶溶胶-凝胶铁离子电阻稀薄燃烧
- 掺杂Mg^(2+)对钛酸锶薄膜氧敏性能及电阻温度系数的影响被引量：3
- 2003年
- 利用溶胶-凝胶的方法制备钛酸锶氧敏薄膜,该薄膜是制造电阻型氧敏传感器的一种潜在材料。在钛酸锶中掺杂不同含量的镁离子,形成SrTi_(1-x)Mg_xO_3薄膜,其中Mg的含量,即x值分别为0,0.05,0.10,0.15,0.20,0.25,0.30。镁在钛酸锶中取代钛位,形成受主掺杂。测试不同氧分压(0～10~5Pa)、温度(600～800℃)下薄膜的电阻。发现掺镁的钛酸锶在氧化气氛下是p型半导体。并且当x值(镁的含量)在0.10～0.15之间、较低氧分压下,薄膜的电阻温度系数接近零。此外,还从缺陷化学反应角度讨论了此现象出现的原因。
- 梁崇杨德安杨莉赵巍徐廷献
- 关键词：氧敏材料电导
- Ca_(1-x)Sr_xSn_4(PO_4)_6粉料的制备及膨胀特性被引量：3
- 2001年
- 介绍了NZP晶体化学结构、组成、粉料制备、应用等方面的研究进展 ,并指出目前存在的问题。根据NZP晶体化学近零膨胀的特性 ,设计出 2个新的组成———SSP ,CSP及 3种固溶体。采用水热法和共沉淀法合成物相 ,并对粉体进行粒度分析 ,X ray衍射物相鉴定 ,IR结构分析 ,SEM形貌观察 。
- 杨莉杨德安陈玉清张海霞
- 关键词：NZP陶瓷共沉淀热膨胀特性粉料
