林春江
- 作品数：3 被引量：10H指数：2
- 供职机构：西安交通大学电气工程学院电力设备电气绝缘国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- Cu非化学计量比CaCu3Ti4O12陶瓷介电性能和机理研究
- 采用传统的固相烧结法制备了6组不同Cu含量的CaCu3+yTi4O12+y试样。研究了Cu含量对CaCu3Ti4O12陶瓷的晶相成分、表面显微结构、介电性能的影响。结果表明,缺Cu使得试样晶粒变小,富Cu使得试样更为致密...
- 赵倡皓王辉林春江李盛涛
- 关键词：CACU3TI4O12介电性能
- CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷介电模量响应特性的研究被引量：9
- 2013年
- 由于CaCu3Ti4O12巨介电常数陶瓷的低频区直流电导较大,本文采用模量M''-f频谱表征与分析了低频和高频的两个松弛极化过程.研究认为,这两个特征峰属于晶界区Schottky势垒耗尽层边缘深陷阱的电子松弛过程,其中高频松弛峰起源于晶粒本征缺陷的电子松弛过程,而低频松弛峰则为与氧空位有关的松弛极化过程.对于CaCu3Ti4O12这类低频下具有高直流电导的陶瓷材料,采用模量频谱能更有效地分析研究其损耗极化机理.
- 李盛涛王辉林春江李建英
- 关键词：模量电导
- CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷松弛损耗机理研究被引量：2
- 2013年
- CaCu3Ti4O12介电损耗较大且损耗机理尚不明确,因此限制了其应用.本文采用固相法和共沉淀法合成CaCu3Ti4O12陶瓷,利用宽带介电温谱研究在交流小信号作用下,双Schottky势垒耗尽层边缘深陷阱的电子松弛过程、载流子松弛过程以及CaCu3Ti4O12陶瓷的介电损耗性能.研究发现,在低频下以跳跃电导和直流电导的响应为主,而高频下主要为深陷阱能级的松弛过程所致,特别是活化能为0.12eV的深陷阱浓度,这是决定CaCu3Ti4O12陶瓷高频区介电损耗的重要因素.降低直流电导,有利于降低低频区介电损耗;而高频区介电损耗的降低,需要降低深陷阱浓度或增大晶粒尺寸.共沉淀法制备的CaCu3Ti4O12陶瓷,有效降低直流电导及控制深陷阱浓度,介电损耗降低明显.
- 王辉林春江李盛涛李建英
- 关键词：介电损耗
