林泽文
- 作品数：10 被引量：5H指数：1
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- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 基于等离子体工程的高效稳定钙钛矿量子点的表面修饰与发光特性
- 全无机铯铅卤钙钛矿量子点具有高荧光量子效率、发光波长可调,发射谱线窄等优点,有望实现高色域覆盖和高色彩纯净度,被视为极具潜力的显示技术发展方向,然而,其稳定性差。本文在前期工作的基础上[2],针对其稳定性瓶颈,将钙钛矿量...
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- 关键词：量子点等离子体发光
- 文献传递
- 基于纳米硅结构的氮化硅基发光器件电致发光特性研究被引量：4
- 2014年
- 利用等离子体增强化学气相沉积法制备了镶嵌于氮化硅的高密度纳米硅薄膜,并以此作为发光有源层构建基于p-Si/氮化硅基发光层/AZO结构发光二极管,在室温下观察到了电致可见发光.在此基础上,在器件p-Si空穴注入层与氮化硅基发光层之间加入纳米硅薄层作为空穴阻挡层,研究器件电致发光性质,实验结果表明器件的发光强度显著增强,并且发光效率较无纳米硅阻挡层的发光器件提高了80%以上.
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- 关键词：纳米硅氮化硅电致发光
- 硼掺杂纳米硅薄膜的热退火效应研究
- 2011年
- 采用等离子体增强化学气相沉积技术制备了硼掺杂氢化非晶硅薄膜,然后经过不同温度的热退火处理,获得硼掺杂纳米硅薄膜.结果表明,退火温度为700℃时,样品中开始有纳米晶形成,随着退火温度的增加,在1 000℃时,薄膜的晶化率达到77%,晶粒大小为3.9 nm.退火温度低于600℃时,光学带隙随着退火温度的升高而变窄,高于600℃时,带隙随着退火温度的升高而展宽,对此讨论了缺陷态和晶化度对样品光学带隙的影响.
- 林泽文宋超王祥黄锐郭艳青宋捷
- 关键词：硼掺杂纳米硅热退火光学带隙
- 一种便携式防伪标签识别装置
- 本发明涉及防伪标签检测技术领域，特别是涉及一种便携式防伪标签识别装置，包括手臂固定组件，手臂固定组件活动连接有识别组件；手臂固定组件包括控制盒，控制盒一端固接有绑带的一端，控制盒中部滑动连接有滑动板，滑动板与识别组件活动...
- 张毅黄锐郭艳青李洪亮宋捷林泽文吴海霞
- 提高氮化硅基薄膜发光二极管发光效率的器件及制备方法
- 本发明公开了一种提高氮化硅基发光二极管发光效率的器件及其制备方法，属于半导体发光器件技术领域。该方法的主要步骤为：以p-Si作为空穴注入层，在其上淀积超薄非晶硅薄膜；然而在其上淀积氮化硅基薄膜作为发光有源层；再放入退火炉...
- 黄锐林泽文林圳旭宋超王祥郭艳青宋捷
- 文献传递
- 无损伤包覆提高钙钛矿量子点稳定性和发光效率的方法
- 本发明公开了一种无损伤包覆提高钙钛矿量子点稳定性和发光效率的方法。该方法的主要步骤为：利用等离子体增强化学气相沉积技术沉积氢化非晶碳化硅薄膜，然后利用旋涂法在其上涂上无机钙钛矿量子点薄膜；之后，利用等离子体增强化学气相沉...
- 林圳旭黄锐宋捷夏力张毅林泽文李洪亮张文星郭艳青宋超
- 文献传递
- 提高氮化硅基薄膜发光二极管发光效率的器件及制备方法
- 本发明公开了一种提高氮化硅基发光二极管发光效率的器件及制备方法，属于半导体发光器件技术领域。该方法的主要步骤为：以p-Si作为空穴注入层，在其上淀积超薄非晶硅薄膜；然而在其上淀积氮化硅基薄膜作为发光有源层；再放入退火炉内...
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- 文献传递
- 基于氮氧修饰的硅量子点发光特性研究
- 硅基的高效发光和受激发射是实现硅基单片光电子集成的关键,而硅基低维纳米结构是获得高效发光和受激发射的重要途径.研究表明,当Si 材料的尺寸减小到几纳米(与电子的德布罗意波长可相比拟)时,呈现出明显的量子尺寸效应,能极大的...
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- 无损伤包覆提高钙钛矿量子点稳定性和发光效率的方法
- 本发明公开了一种无损伤包覆提高钙钛矿量子点稳定性和发光效率的方法。该方法的主要步骤为：利用等离子体增强化学气相沉积技术沉积氢化非晶碳化硅薄膜，然后利用旋涂法在其上涂上无机钙钛矿量子点薄膜；之后，利用等离子体增强化学气相沉...
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- 富硅a-SiO_xN_y∶H薄膜的电致发光特性被引量：1
- 2013年
- 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积方法制备富硅氮氧化硅(a-SiO0.35N0.59∶H)薄膜,以这层薄膜作为有源层构建发光二极管。实验结果表明器件在室温下可观测到强的电致红光发射,发光峰在715 nm附近,与其光致发光峰位一致。电致发光谱测量还表明器件开启电压为8 V,器件的电致发光强度随注入电流的增大呈线性递增关系。电流-电压特性分析表明器件的载流子输运机制以Pool-Frenkel(P-F)发射模型为主。结合发光有源层的微结构分析,初步认为电致红光发射来自于电子和空穴通过有源层的带尾态的辐射复合。
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- 关键词：电致发光
