柳银增
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：北京化工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术化学工程更多>>
- 高热稳定性低电阻率钴钡掺杂氧化锰薄膜电极材料制备
- 2015年
- 通过化学溶液共沉积结合旋涂技术,制备了钴(Co)钡(Ba)掺杂的二氧化锰(MnO_2)薄膜电极材料,在微晶玻璃电容器接近击穿时断路,从而起到保护电路的作用。对材料进行表征的结果表明,此种方法制备的Co、Ba掺杂的MnO_2其热稳定温度达到850℃,高于纯MnO_2薄膜电极的600℃。材料的电阻率下降,在Co含量为8mol%时,材料的电阻率达到0.207Ω·cm,接近纯MnO_2的电阻率。MnO_2电极在玻璃基片上附着性良好且厚度均匀。材料的高热稳定性和低电阻率可提高其应用效率。
- 窦晓亮刘晓林陈建峰柳银增
- 关键词：氧化锰薄膜电极电阻率热稳定性
- 钴钡掺杂氧化锰薄膜电极材料的制备及表征
- 本文通过化学溶液共沉淀结合旋涂技术,在玻璃基体上制备了钴钡掺杂改性的二氧化锰电极材料,系统研究了旋涂溶液浓度、钴钡掺杂量、旋涂速率和旋涂时间以及热处理制度等对薄膜电极形成和电极电阻率的影响。
首先,研究纯α-Mn...
- 柳银增
- 关键词：薄膜电极电阻率掺杂
- 文献传递
