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汪洋

作品数：33 被引量：1H指数：1
供职机构：湖南师范大学更多>>
相关领域：电子电信农业科学历史地理文学更多>>

合作作者

文献类型

  • 27篇专利
  • 5篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 12篇电子电信
  • 3篇农业科学
  • 2篇历史地理
  • 1篇经济管理
  • 1篇医药卫生
  • 1篇政治法律
  • 1篇文化科学
  • 1篇文学

主题

  • 18篇多晶
  • 18篇多晶硅
  • 16篇多晶硅栅
  • 16篇硅栅
  • 10篇静电释放
  • 8篇衬底
  • 7篇雪崩
  • 7篇栅控
  • 6篇可控硅
  • 5篇导通
  • 5篇光电
  • 4篇增强型
  • 4篇双栅
  • 4篇沟道
  • 4篇硅器件
  • 4篇二极管
  • 3篇单光子
  • 3篇雪崩光电二极...
  • 3篇正反馈
  • 3篇制作方法

机构

  • 33篇湖南师范大学

作者

  • 33篇汪洋
  • 4篇周琼
  • 2篇陈珊
  • 1篇杨健
  • 1篇刘路

传媒

  • 1篇湖南医科大学...

年份

  • 5篇2022
  • 4篇2021
  • 6篇2020
  • 6篇2019
  • 8篇2018
  • 1篇2012
  • 3篇2010
共 33 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
栅控达林顿静电防护器件及其制作方法
本发明公开了一种栅控达林顿静电防护器件，包括P型衬底，P型衬底中设有第一DN‑Well区，第二DN‑Well区，第一DN‑Well区上设有第一N+注入区和第二N+注入区，第一DN‑Well区中设有P‑Well区，第二DN...
金湘亮包兴涛汪洋
一种提高维持电压的带假栅静电释放器件及其制作方法
本发明公开了一种提高维持电压的带假栅静电释放器件，包括衬底，衬底中设有HVNW区，HVNW区内从左至右依次设有P‑body区和NDD区，所述P‑body区内从左至右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区，所述第一多晶硅栅...
金湘亮汪洋
文献传递
内嵌可控硅整流结构复合雪崩结光电探测器及其制作方法
本发明公开了一种内嵌可控硅整流结构复合雪崩结光电探测器，包括P型衬底；P型衬底上设有第一DN‑Well区、NBL区；第一DN‑Well区上设有第一P‑Well区，第一P‑Well区中设有第一环形N‑Well区、第一N+注...
金湘亮易荣清汪洋
一种提高维持电压的双栅栅控静电释放器件及其制作方法
本发明公开了一种提高维持电压的双栅栅控静电释放器件，包括衬底，衬底中设有HVNW区，HVNW区内设有P‑body区和NDD区，P‑body区内设有第一P+注入区、第一N+注入区、第一多晶硅栅、第二N+注入区，第二多晶硅栅...
金湘亮汪洋
提高失效电压的双向假栅深阱静电保护器件及其制作方法
本发明公开了一种提高失效电压的双向假栅深阱静电保护器件，包括P型衬底；P型衬底中设有N型埋层和高压N阱；高压N阱内设有第一P阱、N阱和第二P阱；第一P阱中设有第一P+注入区、第一N+注入区；第一P阱与N阱之间横跨有第一硼...
金湘亮汪洋
文献传递
提高维持电压的多晶硅假栅静电释放器件及其制作方法
本发明公开了一种提高维持电压的多晶硅假栅静电释放器件，包括衬底，衬底中设有HVNW区，HVNW区左半部分内设有P‑body区，P‑body区内设有第一P+注入区、第一N+注入区，第一多晶硅栅横跨在P‑body区和HVNW...
金湘亮汪洋
具有环栅保护环的单光子雪崩光电二极管及其制作方法
本发明公开了一种具有环栅保护环的单光子雪崩光电二极管，包括衬底P‑Sub，衬底P‑Sub上设有NBL区，NBL区上设有第一DN‑Well区，第一DN‑Well区中设有N+注入区，第一DN‑Well区内侧设有P‑EPI区，...
金湘亮汪洋
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低噪声宽光谱响应的单光子雪崩光电二极管及其制作方法
本发明公开了一种低噪声宽光谱响应的单光子雪崩光电二极管，包括衬底P‑Sub，衬底P‑Sub上设有PBL区，PBL区上设有P‑EPI区，P‑EPI区中设有P‑Well区，P‑Well区中设有P+注入区，P‑EPI区内侧设有...
金湘亮汪洋
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玉带凤蝶对寄主植物挥发物的嗅觉反应及其生殖行为节律研究
玉带凤蝶(Papilio polytes L.)属凤蝶科(Papilionida)凤蝶属(Papilio)，幼虫主要取食为害芸香科(Rutaceae)植物叶片，是柑橘的重要害虫之一。该虫在我国广泛分布于两河流域至台湾、海...
汪洋
关键词：触角电位反应产卵选择生殖节律
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一种双栅栅控可控硅整流器静电释放器件及其制作方法
本发明公开了一种双栅栅控可控硅整流器静电释放器件，包括衬底，衬底中设有N阱和P阱，N阱中设有第一场氧隔离区、第一N+注入区、第二场氧隔离区、第一P+注入区、第三场氧隔离区，第二N+注入区横跨在N阱和P阱的交界处；P阱中设...
金湘亮汪洋
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