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汪洋

作品数：22 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 15篇埋层
  • 14篇沟道
  • 13篇氧化层
  • 11篇反向偏置
  • 8篇NLDMOS
  • 6篇电极
  • 6篇短路
  • 6篇短路点
  • 6篇阳极
  • 6篇金属
  • 6篇金属电极
  • 5篇电学
  • 5篇电学特性
  • 5篇自加热
  • 5篇自加热效应
  • 4篇杂质浓度分布
  • 3篇电阻
  • 3篇扩展电阻
  • 2篇电流
  • 2篇压降

机构

  • 22篇杭州电子科技...

作者

  • 22篇汪洋
  • 18篇吴倩倩
  • 18篇赵伟立
  • 18篇刘怡新
  • 18篇张海鹏
  • 18篇孔令军
  • 10篇齐瑞生
  • 8篇许生根
  • 3篇蔡敏

年份

  • 2篇2024
  • 1篇2022
  • 1篇2013
  • 6篇2012
  • 12篇2011
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种具有p埋层的纵向沟道SOI LIGBT器件单元
本发明涉及一种具有p埋层的纵向沟道SOI LIGBT器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明顺序包括p型半导体衬底、隐埋氧化层、p埋层区，p埋层区的顶部依次并排设置有金属栅极、n型重掺杂多晶硅栅、栅氧化层...
张海鹏齐瑞生汪洋赵伟立刘怡新吴倩倩孔令军
文献传递
一种基于驾驶员情境意识的接管时机与类型的方法及系统
本发明公开了一种基于驾驶员情境意识的接管时机与类型的方法及系统，该方法首先收集驾驶员的个性、偏好、经验及心理素质信息，生成静态能力评分，并定期监测驾驶员的生理、心理和行为状态，生成驾驶员的动态能力评分。其次评估当前驾驶环...
季子凌蔡敏汪洋
一种具有p埋层的纵向沟道SOI nLDMOS器件单元
本发明涉及一种具有p埋层的纵向沟道SOI nLDMOS器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明包括p型半导体衬底、隐埋氧化层、p型埋层区、n型轻掺杂漂移区、p型阱区、p型欧姆接触区、n型源区、纵向栅氧化层...
张海鹏许生根刘怡新吴倩倩孔令军汪洋赵伟立
具有P埋层的SOI nLDMOS器件单元的制作方法
本发明涉及一种具有P埋层的SOInLDMOS器件单元的制作方法。现有方法制作的SOInLDMOS器件严重影响了器件的耐压性能，而且影响了器件的散热。本发明通过采用具有P埋层的SOI厚膜材料上经过九次光刻，制造具有P埋层的...
张海鹏许生根赵伟立刘怡新吴倩倩孔令军汪洋
文献传递
一种具有p埋层的纵向沟道SOI LIGBT器件单元
本发明涉及一种具有p埋层的纵向沟道SOI LIGBT器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明顺序包括p型半导体衬底、隐埋氧化层、p埋层区，p埋层区的顶部依次并排设置有金属栅极、n型重掺杂多晶硅栅、栅氧化层...
张海鹏齐瑞生汪洋赵伟立刘怡新吴倩倩孔令军
具有p埋层的纵向沟道SOI LIGBT器件单元的制作方法
本发明涉及一种具有p埋层的纵向沟道SOILIGBT器件单元的制作方法。现有方法制作的SOILIGBT器件在高温、大电流环境下急剧退化甚至失效。本发明方法采用具有隐埋p型层的SOI材料制作纵向沟道SOILIGBT器件，纵向...
张海鹏齐瑞生刘怡新吴倩倩孔令军汪洋赵伟立
文献传递
具有P埋层的横向沟道SOI LIGBT器件单元
本实用新型涉及一种具有P埋层的横向沟道SOI LIGBT器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本实用新型顺序包括p型半导体衬底、隐埋氧化层、p埋层区、n型轻掺杂漂移区；n型轻掺杂漂移区顶部两侧嵌入第一p型阱区...
张海鹏齐瑞生孔令军汪洋赵伟立刘怡新吴倩倩
文献传递
一种批量分装易燃、易爆、易挥发液体的装置
发明公开了一种批量分装易燃、易爆、易挥发液体的装置，包含支撑架，支撑架上安装有分装组件，该分装组件包含缓冲容器和分装控制器，缓冲容器与储液桶相连，且在连接处设有防爆控制单元，该防爆控制单元可控制储液桶出液口开合，缓冲容器...
刘家欣蔡敏汪洋俞国桥金城
具有p埋层的纵向沟道SOI LIGBT器件单元的制作方法
本发明涉及一种具有p埋层的纵向沟道SOI LIGBT器件单元的制作方法。现有方法制作的SOI LIGBT器件在高温、大电流环境下急剧退化甚至失效。本发明方法采用具有隐埋p型层的SOI材料制作纵向沟道SOI LIGBT器件...
张海鹏齐瑞生刘怡新吴倩倩孔令军汪洋赵伟立
具有p埋层的SOI nLDMOS器件单元
本实用新型涉及一种具有p埋层的SOI nLDMOS器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本实用新型在隐埋氧化层上下两侧分别设置p埋层区和p型半导体衬底，p埋层区上设置n型轻掺杂漂移区，轻掺杂漂移区顶部两侧分别...
张海鹏许生根赵伟立刘怡新吴倩倩孔令军汪洋
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