滕冉
- 作品数：7 被引量：26H指数：3
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 热屏底端位置对生长300 mm硅单晶热场影响的数值模拟
- 数值模拟技术是分析和优化大直径硅单晶生长的有效工具。采用有限元分析软件FEMAG-CZ计算了在700mm热场中生长300mm直拉单晶硅的过程中，当热屏底端处于不同位置时热场中的温度分布。模拟中考虑了熔体和气流流动对晶体生...
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- 关键词：直拉硅单晶数值模拟固液界面
- 大直径硅单晶生长过程中固/液界面形状的数值分析
- 随着集成电路（IC）产业的迅猛发展,器件制造商对IC级硅单晶材料提出了更加严格的要求,具体表现在硅材料的高纯度、高均匀性、高完整性和大直径四个方面的要求。一般来说,晶体直径增加时会使结晶过程中晶体内部的热量难以及时传递出...
- 滕冉
- 关键词：硅单晶数值模拟控制参数熔体流动
- 文献传递
- 热屏结构对大直径单晶硅生长影响的数值分析被引量：4
- 2014年
- 采用有限元法计算了300 mm硅单晶生长过程中,热屏结构对炉体内温度分布、熔体中流场以及晶体内热应力的影响。计算所用的模型涵盖了晶体生长过程中的主要物理现象,包括结晶潜热的释放、结晶前沿的形变、熔体中热和质的传输以及氧的输运等。计算结果表明使用直壁式热屏时,晶体-熔体界面变得更加平坦同时结晶前沿处的热应力大幅度下降,减少了发生宏观位错的可能性,此外熔体中的氧含量显著降低。
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- 关键词：单晶硅有限元法热屏
- 热屏优化对大直径单晶硅生长影响的数值模拟被引量：13
- 2012年
- 通过对28英寸热场生长300 mm硅单晶过程中结晶速率、固液界面形状、晶体中热应力及晶体中氧含量的数值计算提出了在该热场条件下热屏的优化方案。数值计算结果表明:对热屏底端与晶体表面和熔体自由液面的距离以及热屏材料(优化前热屏使用单一石墨材料,优化后采用辐射率较高的内壁材料结合反射率较高的外壁材料组成复合式热屏)的优化可以减少主加热器对晶体的热辐射使得固液界面更加平坦,藉此增加结晶速率,减小晶体内热应力和熔体中氧含量。
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- 关键词：硅单晶数值模拟热屏固液界面
- 转速对CZ法晶体生长影响的数值模拟
- 随着集成电路产业的迅猛发展,器件制造商对IC级硅单晶材料提出了更加严格的要求.而大直径单晶硅是制备器件所必须的衬底材料.由于单晶炉体内的高温环境以及高昂的实验成本使得研究人员很难直接观察到硅单晶生长过程中熔体的流动情况....
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- 关键词：单晶硅晶体生长直拉法数值模拟
- 文献传递
- 大直径硅单晶的制备与数值分析
- 大直径硅单晶是微电子工业的基础材料,广泛应用于集成电路备件和硅片制造领域,是现今信息社会的基石。根据国际半导体设备材料产业协会(SEMI)的报告,全球大直径硅单晶的需求依然旺盛,450mm硅单晶要继续开发研究。当前主流集...
- 滕冉
- 关键词：硅单晶直拉法大直径晶体生长传热传质
- 大直径硅单晶生长过程中固/液界面形状及熔体流动的数值分析被引量：11
- 2013年
- 数值模拟技术是提升大直径硅单晶质量、降低晶体制备成本的有效工具。利用切克劳斯基法生长硅单晶时,固/液界面的形变程度是衡量晶体质量的关键参数。由于单晶炉体内的高温环境导致对界面的直接观察极为困难,因此本文采用有限元法对生长16英寸直径硅单晶过程中,不同生长阶段的固/液界面形状及熔体流动情况进行计算。数值计算结果表明:在本文所用的热场及工艺参数条件下,随着晶体长度的不断增加,固/液界面的形变量增加同时晶体内部的热应力加大;通过对晶体提拉速率及晶体转速-坩埚转速的比值的调整,我们发现,降低晶体的提拉速率以及精确的控制转速比可以使晶体各个阶段都获得比较理想的界面形状。
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- 关键词：单晶硅熔体流动
