熊平
- 作品数：25 被引量：164H指数：5
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 铂-硅合金形成硅化铂的研究被引量：2
- 1992年
- 本文对 PtSi 红外肖特基势垒探测器中硅化铂薄层(～20nm)进行了分析,比较了不同制作条件 PtSi 薄层的化学组成以及有关元素在薄层中的纵向分布等情况,提出了良好的硅化铂薄层的形成条件,并测出了以此条件制作的 PtSi 红外肖特基势垒探测器参数 D~*=2.8×10^(10)cm·H_z^(1/2)W^(-1),势垒高度φ_(ms)=0.21eV。
- 熊平廖世蓉
- 关键词：半导体器件硅化铂
- BCCD器件解析物理模型与仿真研究被引量：5
- 2004年
- 基于半导体图像传感器CCD的物理图像和相应的基本特性微分方程组,经过离散和线性化处理,并引用解三对角矩阵方程的递归算法,实现了其解析模型求解。据此及其相关的编程软件,对电注入埋沟CCD器件进行了仿真测试。结果表明,随着栅长减小、栅间隙长度增加和沟道深度减小,传输栅电荷容量约从6.5×106下降到6.1×106电子电荷,转移效率从96%增高到99%。同时,暗电流只与少子寿命密切相关,转移效率对栅间隙长度在1μm以内的变化不敏感。该理论模拟结果有助于BCCD模型参数提取和设计研究。
- 于奇王颖熊平孙杰梅丁蕾杨谟华
- 关键词：BCCD解析模型模拟仿真电荷容量
- 硅衍射微透镜阵列的制作技术研究
- 2005年
- 介绍了二元光学方法制作多台阶衍射微透镜的设计和工艺过程；分析了台阶侧壁倾斜对衍射效率的影响；提出了一种基于软刻蚀技术的复制和集成新工艺。实际制作了8台阶硅衍射微透镜阵列，利用新工艺复制了硅衍射透镜阵列。
- 赖建军赵悦柯才军周宏易新建翁雪涛熊平
- 关键词：干法刻蚀二元光学
- MOS二极管热弛豫时间的二维数值模拟
- 2009年
- 本文对二维半导体器件模拟软件MEDICI进行了简单介绍,运用MEDICI对MOS二极管进行瞬态分析,观察不同时刻载流子浓度和耗尽层宽度的变化,并讨论了热弛豫时间与器件衬底浓度的关系。
- 韩露熊平
- 关键词：MEDICI
- 512×512元PtSi肖特基势垒IR CCD图像传感器被引量：4
- 2003年
- 研制了隔行扫描单片式内线转移结构512×512元PtSi肖特基势垒红外电荷耦合器件(CCD)。器件采用最小2μm设计规则,两层多晶硅结构。器件的像元尺寸为36μm(H)×34μm(V),填充系数为40％。器件工作在80K温度下。在阵列帧频为30帧每秒及镜头为 F/1条件下,器件噪声等效温差为0.15K。用1000K黑体测得其探测率D~*为1×10^(10)cm·Hz^(1/2)/W。对器件设计及性能测试结果进行了介绍。
- 熊平周旭东邓光华李作金王颖李华高袁礼华蒋志伟
- 关键词：PTSICCD图像传感器
- CCD与CMOS图像传感器特点比较被引量：114
- 2004年
- 简要介绍了CCD(电荷耦合器件)与CMOS图像传感器的结构,并对二者的性能特点进行了比较,指出二者在未来的发展中不会出现谁消灭谁的结局。
- 熊平
- 关键词：CCDCMOS图像传感器
- 室温红外探测用非晶Ti薄膜的制备及表征
- 2009年
- 采用快速蒸发并冷却衬底的方法,在不同衬底结构上制备出了电阻温度系数(TCR)优于0.25%的红外探测用非晶Ti薄膜。通过表征分析了氧对薄膜电阻影响,以及组分对其性能的影响。研究表明,Ti薄膜有较强吸附氧能力,低价态的Ti利于红外探测。提出采用保护层和非氧硅化物牺牲层以提高薄膜探测能力。
- 刘爽陈煦杨亚培熊平刘俊刚
- 关键词：室温红外探测红外探测材料微测辐射热计非晶薄膜
- 室温红外探测用VOx薄膜的工艺研究
- 2005年
- 用反应溅射法制备了VOx薄膜。利用XPS分析技术，研究了薄膜组分与氧分压、基片材料、沉积厚度等工艺条件的关系。结果表明本工艺得到V2O5、VO2、V2O3复相膜，氧气流量大和较厚薄膜容易获得高价态V，衬底表面吸附氧会改变薄膜组分，V2O5、VO2含量高的薄膜电阻温度系数相对较高，V2O3不利于红外探测。
- 刘爽宁永功赵凯生刘永智李华高熊平
- 关键词：室温红外探测电阻温度系数
- 硅衬底表面处理对PtSi/p-Si IR-SBD截止波长的影响
- 2008年
- 利用超高真空技术对硅衬底进行表面处理,制作了PtSi红外肖特基势垒探测器(IR-SBD)。用X射线衍射(XRD)分析了表面处理后的硅衬底上生长的PtSi薄膜的组分,结果表明,处理后所生长的PtSi薄膜中Pt2Si的含量明显减少,探测器光电流响应提高了50%以上,截止波长延长到5.5μm,势垒高度降低到0.23 eV。
- 白雪平李华高熊平李立陈红兵
- 关键词：表面处理PTSI截止波长
- 离子注入降低PtSi肖特基二极管的势垒高度被引量：6
- 2000年
- Pt Si肖特基二极管的势垒高度制约 Pt Si红外探测器的截止波长和量子效率 .在 Pt Si/Si界面注入 In+ 、B+ ,采用高浓度、浅层注入避免隧穿效应 ,用 Ar气保护热处理消除注入损伤 ,附加掩膜层控制离子注入深度 ,成功地将 Pt Si肖特基二极管的势垒高度降低到 0 .1 5e V.
- 刘爽宁永功杨忠孝陈艾熊平杨家德
- 关键词：PTSI肖特基二极管势垒高度离子注入
