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狄增峰: 作品数：246 被引量：21H指数：2; 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>; 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金上海市自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信一般工业技术理学金属学及工艺更多>>

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一种利用石墨烯插入层外延生长金属/半导体材料的方法: 本发明提供一种利用石墨烯插入层外延生长金属/半导体材料的方法，所述方法至少包括以下步骤：1)提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成石墨烯薄膜；2)在所述石墨烯薄膜表面沉积一层金属层；3)进行快速退火，使所述半导体衬底...; 张波侯春雷孟骁然狄增峰张苗; 文献传递

一种锗材料表面稳定钝化的方法: 本发明涉及一种锗材料表面稳定钝化的方法，包括：采用不同试剂对锗片表面进行清洗，有效除去锗表面污物以及表层氧化层，实现锗表面的初步氯化；然后采用乙醇和水的混合液配制硫醇试剂，采用适当加热的钝化条件在锗表面得到自组装膜。本发...; 许宝建蔡奇金庆辉赵建龙叶林狄增峰; 文献传递

锗银复合材料及其在光电器件中的应用: 本发明提供一种锗银复合材料及其在光电器件中的应用，所述锗银复合材料包括本征锗及埋在所述本征锗中的银纳米颗粒。所述锗银复合材料可以通过离子注入法将银离子注入到本征锗中并退火得到。本发明可以利用银纳米颗粒的局域表面等离子体共...; 李伟狄增峰齐功民张苗母志强王曦; 文献传递

一种CMOS器件及其制作方法: 本发明提供一种CMOS器件及其制作方法，于具有SiO<Sub>2</Sub>层的Si衬底中分别形成第一深度的第一凹槽及大于所述第一深度的第二深度的第二凹槽，于所述第一凹槽及第二凹槽内分别形成Ge层、止刻层以及Ⅲ-Ⅴ族半导...; 姜海涛狄增峰卞建涛薛忠营魏星张苗王曦

一种绝缘体上含锗薄膜结构的制备方法: 本发明提供一种绝缘体上含锗薄膜结构的制备方法，包括以下步骤：S1：提供一sSOI衬底，在张应变顶层硅表面外延生长一预设Ge组分的单晶SiGe薄膜；所述张应变顶层硅的晶格长度与所述单晶SiGe薄膜的晶格长度相等；S2：在所...; 张苗陈达狄增峰叶林王刚郭庆磊母志强; 文献传递

石墨烯连续膜的干法转移方法: 本发明提供一种石墨烯连续膜的干法转移方法，采用CVD工艺生长出高质量且大面积连续的石墨烯层，并使用hBN层作为中间层对石墨烯层进行O<Sub>3</Sub>加UV光处理，以在两者形成的异质结外围产生缺陷环，最后基于该缺陷...; 狄增峰郭旺薛忠营; 文献传递

一种制备直接带隙Ge薄膜的方法: 本发明涉及一种制备直接带隙Ge薄膜的方法，包括提供一GeOI衬底；对所述顶层锗纳米薄膜进行图形化处理，开出若干与底部所述埋氧层贯通的腐蚀窗口；湿法腐蚀直至埋氧层被彻底腐蚀掉，使得所述图形化的顶层锗纳米薄膜与硅衬底虚接触；...; 狄增峰郭庆磊张苗卞剑涛叶林陈达; 文献传递

剥离位置精确可控的绝缘体上材料的制备方法: 本发明提供一种剥离位置精确可控的绝缘体上材料的制备方法，包括以下步骤：S1：提供一Si衬底，在其表面外延生长一掺杂单晶层；所述掺杂单晶层厚度大于15nm；S2：在所述掺杂单晶层表面外延生长一单晶薄膜；S3：在所述单晶薄膜...; 张苗陈达狄增峰薛忠营王刚母志强陆子同; 文献传递

选择性腐蚀Si_(1-x)Ge_x与Si制备绝缘体上超薄应变硅被引量：4: 2013年; 基于应变硅以及绝缘体上超薄应变硅(SSOI)工艺,使用氢氟酸、硝酸和醋酸的混合溶液与质量分数为25%的四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液选择性腐蚀Si1-xGex与Si以制备绝缘体上超薄应变硅。研究了质量分数为0.5%～5%的HF和Si1-xGex中Ge的含量对选择性腐蚀的腐蚀速度与选择比的影响,优化了选择性腐蚀工艺。采用氨水、过氧化氢和水的混合溶液处理选择性腐蚀后的Si1-xGex与Si表面,得到了高应变度、高晶体质量的超薄SSOI。采用原子力显微镜(AFM)测试腐蚀速度以及腐蚀后的表面粗糙度;使用喇曼光谱仪表征Si1-xGex以及应变硅的组分以及应变度;使用透射电子显微镜(TEM)对SSOI的晶体质量进行了表征。结果表明,超薄SSOI的表面粗糙度(RMS)为0.446 nm,顶层Si的应变度为0.91%,顶层应变硅层厚度为18 nm,且具有高的晶体质量。; 母志强薛忠营陈达狄增峰张苗; 关键词：应变硅超薄锗硅

应力可调的悬浮应变薄膜结构及其制备方法: 本发明提供一种应力可调的悬浮应变薄膜结构及其制备方法，该方法包括以下步骤：S1：提供一自上而下依次包括顶层应变半导体层、埋氧层及半导体衬底的半导体结构，刻蚀顶层应变半导体层形成预设图形微结构及基座；所述微结构包括一对平板...; 狄增峰孙高迪陈达郭庆磊叶林董林玺张苗; 文献传递